公开(公告)号：CN104981733B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201480006037.3

申请日：2014-01-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川田浩孝 ,  平准一

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/136213 ,  G02F2201/52 ,  H01L28/40

Abstract: 对起因于各像素中的泄漏电流的差异的显示质量的下降进行抑制。像素(30G)包括像素电容(36)和控制对于像素电容(36)的电压的供给及断开的开关元件(14)，相应于像素电容(36)的电压对第1波长(530nm)的照射光进行调制。像素(30R)包括像素电容(36)和控制对于像素电容(36)的电压的供给及断开的开关元件(14)，相应于像素电容(36)的电压对比第1波长长的第2波长(620nm)的照射光进行调制。像素(30G)的像素电容(36)的电容值比像素(30R)的像素电容(36)的电容值大。

公开(公告)号：CN1252826C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN00120121.2

申请日：2000-07-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川田浩孝

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/133 ,  H01L31/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明的课题是在由绝缘膜完全分离的TFT中提供一种在被分离的半导体层的端部不产生寄生MOSFET、特性离散性小的TFT。在形成TFT的栅电极中，栅宽方向的两端部的至少一部分位于形成TFT的半导体区域的内部，上述栅电极的两端部在栅长方向上被延伸到形成TFT的半导体区域的外部。因此，在栅宽方向的端部不生成寄生MOSFET，可得到均匀的TFT。

公开(公告)号：CN1143370C

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN99802022.2

申请日：1999-01-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川田浩孝

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78633

Abstract: 为了确保漏耐压，必须使基板上的MOSFET的沟道区的电位稳定。因此，必须有新的电位线，特别是在亮度变得重要的透射型的液晶显示器件中，存在开口率减少的问题。本发明中，将为了覆盖在基板上制造的MOSFET而形成的遮光层与上述MOSFET的沟道区导电性地连接起来。

公开(公告)号：CN1364243A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01800478.4

申请日：2001-03-09

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川田浩孝

IPC: G02F1/133 ,  G09G3/36 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136213 ,  G02F2202/104 ,  G02F2202/105 ,  G09G3/3648 ,  H01L27/1233 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明的课题在于确保被绝缘膜覆盖的晶体管元件的源－漏耐压。即使在电光装置的像素区使用上述晶体管元件,也能充分确保开口率。另外,为了防止由对上述晶体管元件的光入射引起的光漏泄电流导致的上述电光装置的显示品质下降,作为与电光装置的像素电极相连接的晶体管,采用了半导体层厚度为约30nm至100nm的完全耗尽型沟道层的P型晶体管。

公开(公告)号：CN1287685A

公开(公告)日：2001-03-14

申请号：CN99802022.2

申请日：1999-01-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川田浩孝

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78633

Abstract: 为了确保漏耐压,必须使基板上的MOSFET的沟道区的电位稳定.因此,必须有新的电位线,特别是在亮度变得重要的透射型的液晶显示器件中,存在开口率减少的问题。本发明中,将为了覆盖在基板上制造的MOSFET而形成的遮光层与上述MOSFET的沟道区导电性地连接起来。

公开(公告)号：CN1281261A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN00120121.2

申请日：2000-07-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川田浩孝

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/133 ,  H01L31/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明的课题是在由绝缘膜完全分离的TFT中提供一种在被分离的半导体层的端部不产生寄生MOSFET、特性离散性小的TFT。在形成TFT的栅电极中,栅宽方向的两端部的至少一部分位于形成TFT的半导体区域的内部,上述栅电极的两端部在栅长方向上被延伸到形成TFT的半导体区域的外部。因此,在栅宽方向的端部不生成寄生MOSFET,可得到均匀的TFT。