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公开(公告)号:CN109195523A
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:CN201780032880.2
申请日:2017-05-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: A61B5/1455
Abstract: 提供一种对发光元件的劣化进行抑制的技术。生物体信息取得装置通过使受光部接受以发光部作为测量用发光部照射出的光而取得受光结果,并且利用受光结果而取得生物体信息,在生物体信息取得装置中,在对包括多个发光元件中的发光的发光元件和不发光的发光元件在内的多个发光图案进行切换的同时,实施用于取得一次量的受光结果的来自发光部的光的照射。
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公开(公告)号:CN106254729A
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201610324171.9
申请日:2016-05-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 小出泰纪
IPC: H04N5/225
Abstract: 一种摄像装置以及电子设备,使多个受光元件的受光量的检测精度均匀。摄像装置具备:多个单位电路(U);连接于检测线(24);以及信号输出电路,多个单位电路(U)分别包含:受光元件(D1),包含连接于布线(42)的电极(E1)和电极(E2);以及晶体管(T1),对电极(E2)与检测线光状态的受光元件(D2),包含连接于布线(44)的电极(E3)和电极(E4);以及检测电路(50),当受光元件(D1)和受光元件(D2)在布线(42)与布线(44)之间处于逆向偏压状态时,输出与电极(E2)与电极(E4)之间的检测点(PS)的电位对应的检测信号(S[n])。(24)的电连接进行控制,信号输出电路包含:遮
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公开(公告)号:CN102169019B
公开(公告)日:2014-11-26
申请号:CN201010606050.6
申请日:2010-12-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 小出泰纪
IPC: G01J5/10
CPC classification number: G01J5/34 , G01J1/46 , G01J2005/345
Abstract: 本发明提供了能以高灵敏度检测红外线的红外线检测电路、传感器装置及电子设备等。红外线检测电路包括:设置在红外线检测元件CF的一端侧的读取节点NR与储能节点NT之间并将来自红外线检测元件CF的电荷转送至储能节点NT的电荷转送用晶体管TTR、控制上述电荷转送用晶体管TTR的栅极的栅极控制电路20以及在通过上述电荷转送用晶体管TTR转送电荷时将储能节点NT设定为负电位的负电位生成电路30。
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公开(公告)号:CN102169019A
公开(公告)日:2011-08-31
申请号:CN201010606050.6
申请日:2010-12-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 小出泰纪
IPC: G01J5/10
CPC classification number: G01J5/34 , G01J1/46 , G01J2005/345
Abstract: 本发明提供了能以高灵敏度检测红外线的红外线检测电路、传感器装置及电子设备等。红外线检测电路包括:设置在红外线检测元件CF的一端侧的读取节点NR与储能节点NT之间并将来自红外线检测元件CF的电荷转送至储能节点NT的电荷转送用晶体管TTR、控制上述电荷转送用晶体管TTR的栅极的栅极控制电路20以及在通过上述电荷转送用晶体管TTR转送电荷时将储能节点NT设定为负电位的负电位生成电路30。
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公开(公告)号:CN100421173C
公开(公告)日:2008-09-24
申请号:CN200410103648.8
申请日:2004-12-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 小出泰纪
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C14/0072 , G11C14/00
Abstract: 本发明提供一种主要在程序电路等使用的存储电路,可以简单、稳定地读取存储数据。所述存储电路包括:具有一端及另一端的第一铁电电容器和第二铁电电容器、电连接于第一铁电电容器的一端以及第二铁电电容器的另一端的第一连接部、电连接于第一铁电电容器的另一端以及第二铁电电容器的一端的第二连接部、使第一铁电电容器的一端和第二铁电电容器的一端之间产生规定的电位差的电位差提供部。优选电位差提供部包括具有第一端以及第二端的触发器。
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公开(公告)号:CN100407421C
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:CN200510002662.3
申请日:2005-01-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 小出泰纪
IPC: H01L25/00
CPC classification number: G11C5/06 , G11C7/1045 , G11C7/20 , G11C2207/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种层叠型半导体存储装置,无需复杂的布线和部件,便可提高芯片成品率。该层叠型半导体存储装置由多个半导体芯片层(C1~C4)层叠而成,在各芯片层具有连接在芯片层之间的芯片选择焊盘(CS1、CS2),从而将用于选择各个芯片层的芯片选择信号同时输入至各芯片层。各芯片层具有可对输出信号编程的程序电路(PG1、PG2);根据所述芯片选择信号和所述程序电路的输出信号判断芯片选择的芯片选择判断电路(10)。程序电路具有可写入的非易失性存储单元(122)、(124);与该非易失性存储单元相连接,根据该非易失性存储单元中的记录内容输出不同信号的逻辑电路,且不需要熔丝的熔断工序。
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公开(公告)号:CN1710663A
公开(公告)日:2005-12-21
申请号:CN200510073484.3
申请日:2005-05-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 小出泰纪
CPC classification number: G11C29/84
Abstract: 本发明公开了在采用分层位线方式的铁电存储装置中,能够抑制读出时的位线容量的变化,并提高救济效率的冗余救济技术。本发明的铁电存储装置包括:主位线(BL);局部位线(LBL),相对于主位线对应设置多条,并与字线(WL)交叉配置;多个第一开关元件(SW1-SW4),设置在局部位线的各条局部位线与主位线之间;多个存储单元(MC),各存储单元分别设置在字线和各条局部位线的交叉位置上;以及多个冗余存储单元(RM),各冗余存储单元分别设置在主位线和位线的交叉位置上,其中,禁止动作故障的存储单元动作,而由冗余存储单元代替动作,使在连接有该故障存储单元的局部位线和主位线之间连接的多个第一开关元件动作。
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公开(公告)号:CN1637934A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410103648.8
申请日:2004-12-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 小出泰纪
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C14/0072 , G11C14/00
Abstract: 本发明提供一种主要在程序电路等使用的存储电路,可以简单、稳定地读取存储数据。所述存储电路包括:具有一端及另一端的第一铁电电容器和第二铁电电容器、电连接于第一铁电电容器的一端以及第二铁电电容器的另一端的第一连接部、电连接于第一铁电电容器的另一端以及第二铁电电容器的一端的第二连接部、使第一铁电电容器的一端和第二铁电电容器的一端之间产生规定的电位差的电位差提供部。优选电位差提供部包括具有第一端以及第二端的触发器。
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公开(公告)号:CN109195522B
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN201780032852.0
申请日:2017-05-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: A61B5/1455
Abstract: 提供一种实现节能化的技术。在生物体信息取得装置中,在取得第一生物体信息时发光的发光元件的每一个发光元件的每单位面积的发光功率小于,在取得第二生物体信息时发光的发光元件的每一个发光元件的每单位面积的发光功率。
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公开(公告)号:CN105679842A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201510873100.X
申请日:2015-12-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 小出泰纪
IPC: H01L31/0216 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L25/167 , H01L27/1443 , H01L27/14623 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L31/02164 , H01L31/022416 , H01L31/125 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L31/0216 , H01L27/146 , H01L27/1462 , H01L31/02168
Abstract: 本发明提供光电转换装置及电子设备,该光电转换装置具有高感光灵敏度与高精度。作为光电转换装置的图像传感器(100),其特征在于,具备:配置在基板(1)上的光电二极管(20)、晶体管(10)和平坦化层(7),平坦化层(7)具有开口部(8a)、配置为包围开口部(8a)的倾斜部(7a)和覆盖晶体管(10)的平坦部(7b),光电二极管(20)形成在开口部(8a)内,在平坦化层(7)的倾斜部(7a)上与平坦部(7b)上形成有反射膜(11)。
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