公开(公告)号：CN101124663A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200580023196.5

申请日：2005-07-08

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 野上光秀 ,  长谷川平 ,  功刀俊介

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C23F4/00

Abstract: 一种用于处理基板的外周的方法和装置，在用于从基板的外周部去除不需要的膜时能够避免对基板中心部分的损坏。作为吸热装置的冷却介质室(4)形成在台(10)内，且诸如水的冷却介质填充到其中。晶片(90)被支撑在台(10)的支撑表面(10a)上。晶片(90)的外周部通过加热器(20)被加热，且用于去除不需要的膜的反应性气体从反应性气体出口(30b)供到晶片的被加热部分。另一方面，晶片(90)的在所述外周部的内侧的部分内的热量通过吸热装置吸收。

公开(公告)号：CN103619926B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280030972.4

申请日：2012-08-27

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 村上淳之介 ,  中野良宪 ,  长谷川平

IPC: C08J7/18 ,  C08J7/00 ,  C08J7/04 ,  G02B5/30

CPC classification number: C08J7/042 ,  C08J7/18 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14

Abstract: 本发明在提高用于偏振板的保护膜等的树脂制的被处理膜的粘接性的同时，提高通过粘接而形成的偏振板等膜层叠体的耐热水性。第一处理部(91)中，使含有聚合性单体及交联性添加成分的第一气体与被处理膜(9)接触(第一处理工序)。在第一处理工序后或与第一处理工序并行地，使氮气等放电生成气体进行等离子体化，而与被处理膜(9)接触(第二处理工序)。将交联性添加成分相对于聚合性单体的含有率设定在规定范围内，优选将上述含有率设定在0.5wt％～10wt％。上述交联性添加成分优选为二烯丙基化合物、炔化合物、或硅醇盐化合物。可以向上述放电生成气体中加入0.5vol％以下的氧气。

公开(公告)号：CN1748265B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200480003726.5

申请日：2004-02-05

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 野村茂树 ,  山内健司 ,  小间聪 ,  杉本俊哉 ,  长谷川平

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/06

CPC classification number: C08J5/2287 ,  C08G77/28 ,  C08G77/392 ,  C08J2383/00 ,  H01B1/122 ,  H01M8/0289 ,  H01M8/1007 ,  H01M8/1009 ,  H01M8/12 ,  H01M2300/0082 ,  Y02P70/56

Abstract: 制备质子导电膜的方法、由该方法生产的质子导电膜以及使用该质子导电膜的固体聚合物类型燃料电池。所述质子导电膜具有带硅氧共价键的交联结构并在膜中具有下列式(1)表示的含磺酸交联结构，所述方法特征在于它包括第一步，制备包括含巯基低聚物(A)的混合物，所述巯基低聚物(A)具有多个巯基和能够通过缩合反应形成Si-O-Si键的反应性基团；第二步，所述混合物形成膜；第三步，所述膜形式的混合物在催化剂的参与下进行缩合反应形成交联凝胶；和，第四步，通过氧化使膜中巯基转变成磺酸基。所述质子导电膜表现出高的离子导电性、它在高温时具有优异尺寸稳定性，而且即使在高温它也能够稳定工作。