公开(公告)号：CN1886822A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035346.X

申请日：2004-12-02

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 杉田大平 ,  福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  下村和弘 ,  北岛义一 ,  大山康彦

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明目的在于提供一种能在不导致破损的情况下以高生产率得到半导体芯片的半导体芯片的制造方法。本发明的半导体芯片的制造方法，其中包括：在形成有电路的半导体晶片上粘贴切割用粘合带的粘合带粘贴工序，所述切割用粘合带具有含通过光照产生气体的气体产生剂的粘合剂层；切割已粘贴所述切割用粘合带的晶片，分割成各个半导体芯片的切割工序；对所述被分割的各个半导体芯片照射光，将至少一部分所述切割用粘合带从半导体芯片剥离的剥离工序；和利用无针拾取法拾取所述半导体芯片的拾取工序。

公开(公告)号：CN113316623A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202080009327.9

申请日：2020-03-18

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 杉田大平

IPC: C09J7/38

Abstract: 本发明的目的在于提供即使在具有厚的粘合剂层的情况下也能够抑制长时间保存时的从卷的开卷不良的粘合带及由该粘合带形成的粘合带卷。本发明的粘合带依次层叠有基材、粘合剂层和脱模膜且为长条状，在用2片SUS304板夹持粘合带、在23℃下施加1kg的载荷时，1小时后的粘合剂层的渗出量与24小时后的粘合剂层的渗出量之比(24小时后渗出量/1小时后渗出量)为4以下。

公开(公告)号：CN106243596B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201610608117.7

申请日：2009-11-11

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 山内健司 ,  麻生隆浩 ,  森口慎太郎 ,  宫崎宽子 ,  杉田大平 ,  平池宏至 ,  近藤峻右 ,  福井弘司 ,  森田健晴

IPC: C08L33/12 ,  C08K3/22 ,  C08K5/103 ,  C08K5/06 ,  C08K5/053 ,  C09D11/107 ,  C01F5/02 ,  C01G9/02 ,  C01G15/00 ,  C01G23/047 ,  C01G30/00 ,  C01G49/02 ,  C01G19/02

Abstract: 本发明提供一种通过改善金属氧化物微粒的分散性而实现了优异的网板印刷性的金属氧化物微粒分散浆料。进而，本发明提供一种含有该金属氧化物微粒分散浆料的金属氧化物微粒分散糊剂、使用有该金属氧化物微粒分散浆料或者该金属氧化物微粒分散糊剂的金属氧化物薄膜的制造方法及由该金属氧化物薄膜的制造方法得到的金属氧化物薄膜。本发明的金属氧化物微粒分散浆料含有金属氧化物微粒及有机溶剂，上述金属氧化物微粒的平均粒径为10～100nm，上述有机溶剂含有1分子中具有2个以上的羟基、分子中碳原子数相对于羟基数的比值低于5、且在常温下的粘度为100mPa·s以上的多元醇。

公开(公告)号：CN102471541B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080034292.0

申请日：2010-08-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 山内健司 ,  宫崎宽子 ,  麻生隆浩 ,  杉田大平 ,  高桥英之

IPC: C08L1/28 ,  C03C8/16 ,  C08K3/00 ,  C08K3/40 ,  C08L23/00 ,  C08L33/04 ,  H01B3/00 ,  H01B3/08

CPC classification number: C03C8/16 ,  C08F120/18 ,  C08F2220/1825 ,  C08L1/28 ,  C08L33/08 ,  C08L2666/02 ,  C08F2220/281 ,  C08F220/14

Abstract: 本发明提供一种可以形成表面平滑性优异的烧结层的无机微粒分散膏剂。本发明是一种无机微粒分散膏剂，其含有选自乙基纤维素、(甲基)丙烯酸树脂及聚乙烯基缩醛树脂中的至少一种、有机化合物、无机微粒和有机溶剂，所述有机化合物具有1个以上羟基，并且在常温下为固体，沸点小于300℃。

公开(公告)号：CN102822306A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180015098.2

申请日：2011-03-17

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 野村茂 ,  杉田大平 ,  利根川亨

IPC: C09J201/00 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06

CPC classification number: C09J11/06 ,  C08K5/3472 ,  C09J7/20 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01L21/027 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T428/2852

Abstract: 本发明的目的在于提供既具有高的胶粘力又能够易于剥离剥離、且耐热性也优异的胶粘剂组合物，使用了该胶粘剂组合物的胶粘带，以及使用了该胶粘带的半导体晶片的处理方法，及使用了该胶粘带的TSV晶片的制造方法。本发明是含有胶粘剂成分、以及下述通式(1)、通式(2)或通式(3)所示的四唑化合物或其盐的胶粘剂组合物。式(1)～(3)中，R1、R2表示氢、羟基、氨基、碳数为1～7的烷基、亚烷基、苯基或巯基。前述碳数为1～7的烷基、亚烷基、苯基羟基也可以被取代。

公开(公告)号：CN101019206A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200480043615.7

申请日：2004-08-02

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  林聪史 ,  福冈正辉 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  杉田大平 ,  北岛义一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  C09J201/00 ,  C09J5/00 ,  C09J7/02

CPC classification number: C09J5/00 ,  C08K5/23 ,  C09J5/08 ,  C09J7/38 ,  C09J7/385 ,  C09J2201/128 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/302 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明提供一种可以以高生产率制造厚50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片的IC芯片制造方法。本发明至少包括：使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合，将所述晶片固定于支撑板上的工序(1)，在借助所述双面粘合带将所述晶片固定于所述支撑板上的状态下磨削所述晶片的工序(2)，向所述双面粘合带照射光的工序(3)，以及从所述晶片剥离所述双面粘合带的工序(4)；在工序(3)中，从所述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm2·分钟以上。