一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用

    公开(公告)号:CN111091945B

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201911425263.6

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料包括以下组分:R、B、Ti、Cu和Ga;R:29.0~31.5wt%;B:0.87‑0.91wt%;所述R为稀土元素;所述R中包括轻稀土元素RL,所述RL中包括Nd;所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式:(1)0<Ti/(Cu+Ga)≤0.8;(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5;wt%是指在所述R‑T‑B系永磁材料中的重量百分比;余量为Fe和Co及不可避免的杂质。本发明中的R‑T‑B系永磁材料性能优异:非晶界扩散品Br≥14.50kGs,Hcj≥15kOe,晶界扩散品:Br≥14.50kGs,Hcj≥25.5kOe实现了Br和Hcj的同步提升。

    一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用

    公开(公告)号:CN111091945A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201911425263.6

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R-T-B系永磁材料包括以下组分:R、B、Ti、Cu和Ga;R:29.0~31.5wt%;B:0.87-0.91wt%;所述R为稀土元素;所述R中包括轻稀土元素RL,所述RL中包括Nd;所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式:(1)0<Ti/(Cu+Ga)≤0.8;(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5;wt%是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比;余量为Fe和Co及不可避免的杂质。本发明中的R-T-B系永磁材料性能优异:非晶界扩散品Br≥14.50kGs,Hcj≥15kOe,晶界扩散品:Br≥14.50kGs,Hcj≥25.5kOe实现了Br和Hcj的同步提升。

    一种低涡流发热的组合磁体的制作方法及夹持工装

    公开(公告)号:CN110942908B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN201910748601.3

    申请日:2019-08-14

    Abstract: 本发明公开了一种低涡流发热的组合磁体的制作方法及夹持工装,方法包括如下步骤:磁体组件预处理;在预处理后的所述磁体组件的至少一个表面形成未完全固化的热固性树脂层;采用夹持工装对所述磁体组件进行堆叠,所述磁体组件的堆叠表面形成有所述的未完全固化的热固性树脂层,挤压所述堆叠后的磁体组件,所述挤压力为0.01MPa‑2.5MPa;将所述堆叠后的磁体组件连同夹持工装在烘箱内烘烤固化,烘烤温度为150℃‑200℃,烘烤时间为10min‑24h;冷却后得到组合磁体。本发明还公开了一种用于上述低涡流发热的组合磁体制备的夹持工装。本发明通过在磁体组件表面形成树脂层,经堆叠后加热固化,无需另外处理多余粘胶。

    组合永磁体、方形组合永磁体及圆弧形组合永磁体

    公开(公告)号:CN211350252U

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202020076679.3

    申请日:2020-01-14

    Inventor: 施尧 师大伟

    Abstract: 本实用新型提供了一种组合永磁体、方形组合永磁体及圆弧形组合永磁体;所述组合永磁体包括上下堆叠的第一永磁体组和第二永磁体组,所述第一永磁体组和所述第二永磁体组分别由至少两片永磁体沿水平方向粘结形成,所述至少两片永磁体之间形成粘结缝,所述第一永磁体组的粘结缝所在平面与所述第二永磁体组的粘结缝所在平面不重合。应用本技术方案可有效提高组合永磁体的抗弯强度及抗拉强度。

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