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公开(公告)号：CN107815638A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711085662.3
申请日：2017-11-07
Applicant: 福建工程学院
CPC classification number: C23C14/325 , C23C14/0021 , C23C14/024 , C23C14/027 , C23C14/0641 , C23C14/0664 , C23C28/04
Abstract: 本发明属于表面处理技术领域，具体涉及一种在冲压模具表面沉积具有高强韧、低摩擦系数的纳米硬质涂层及其制备方法。本发明涂层组成是由粘结层CrN、支撑层CrAITiN/AITiCrN和功能层AITiCrCN组成；支撑层是通过周期调整Cr靶和AITi靶电流大小形成交替沉积的富Cr的CrAITiN层和富AI的AITiCrN层；交替沉积的CrAITiN/AITiCrN支撑层可提供较高的抗冲击强韧性能，而功能层AITiCrCN制备是通过通入C2H2/N2来提高涂层的自润滑性能。本发明制备的AITiCrCN复合涂层具有较高的强韧性和低的摩擦系数，具有较高的硬度，可用于冲压高强钢的模具涂层领域。
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公开(公告)号：CN106676470A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710013233.9
申请日：2017-01-09
Applicant: 福建工程学院
CPC classification number: C23C14/0676 , C23C14/024 , C23C14/325
Abstract: 本发明提供一种AlTiON热作模具钢复合梯度涂层及其制备方法，该涂层制作过程分成连续的五个阶段：第一阶段在热作模具钢基体上沉积粘结层CrN薄膜；第二阶段在CrN粘结层基础上周期交替沉积CrN/AlTiN支撑层；第三阶段向炉腔内同时通入O2和N2并使通入O2流量线性上升，N2流量线性下降，保持腔体压力不变制作AlTiON梯度层；第四阶段保持N2和O2流量不变制作AlTiON功能层；第五阶段CrN/AlTiN/AlTiON复合梯度层在真空腔体内高温原位退火。该AlTiON梯度涂层与基体间的结合力大，具有高韧性、低内应力，高硬度，高耐磨性，同时兼具高温抗氧化和抗热疲劳性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114057241B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202111506772.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 本发明提供了一种自支撑低晶相Ni(OH)2·0.75H2O@NiMoO4纳米片电极的制备方法及应用，一步合成的产物为多层片状阵列，在结构中均匀细小NiMoO4颗粒镶嵌于Ni(OH)纳米片中，Ni(OH)2·0.75H2O和NiMoO4界面紧密接触不但有利于电解液的渗透、暴露尽可能的活性点外，还减小了电荷的传递阻抗、循环稳定性得到较好提升。
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公开(公告)号：CN114582638B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210188820.2
申请日：2022-03-01
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 本发明提供了一种电化学辅助刻蚀模板制备柔性多孔镍钴钼基超电容电极的方法，通过原位电化学辅助刻蚀模板制备柔性多孔的纳米片阵列，降低材料的阻抗、有效提升电极的比容量和循环寿命。产物由多元（镍、钴、钼）电池型电极材料构成，多种金属有利于提高不同成分间协同效应；模板法使水热生长的镍钴钼基纳米片电极在衬底上取向生长；电化学辅助刻蚀模板使纳米片电极呈多孔结构，该多孔结构不但有效提高了其比表面积，便于电解液的渗透、暴露尽可能的活性点外，还减小了电荷的传递阻抗、循环稳定性得到较好提升。
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公开(公告)号：CN110838425B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201911245525.0
申请日：2019-12-07
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 本发明涉及一种金属钛修饰的三维碳阵列阴极结构及其制备方法，该阴极结构包括高导电的三维碳阵列，所述三维碳阵列表面沉积有金属钛纳米结构，形成核壳结构的钛/三维碳阵列；该阴极结构的制备方法，包括以下步骤：1）三维碳阵列制备；2）三维碳阵列表面离子刻蚀；3）在三维碳阵列上沉积金属钛层；4）金属钛/三维碳阵列真空退火。该阴极结构及其制备方法不仅有利于提高电子发射稳定性和发射电流密度，而且制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN111180293A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010092654.7
申请日：2020-02-14
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 本发明涉及一种柔性ZnO@TiN核壳结构阵列阴极及其制备方法，ZnO@TiN核壳结构阵列阴极包括碳布，碳布两侧面均涂覆有ZnO种子层，两侧面的ZnO种子层上均设有ZnO纳米棒阵列，其中一侧面的ZnO纳米棒阵列上沉积有TiN，以形成核壳结构阵列。其制备方法包括：（1）采用溶胶凝胶法在碳布两侧面上制备ZnO种子层；（2）采用液相法在两侧面的ZnO种子层上制备ZnO纳米棒阵列；（3）采用磁控溅射法在一侧面的ZnO纳米棒阵列上沉积TiN，从而制备得到ZnO@TiN核壳结构阵列阴极。该ZnO@TiN核壳结构阵列阴极开启和阈值电场低，发射电流密度大，电子输运和传导性好，可应用于真空场发射电子源器件。
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公开(公告)号：CN110706940A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910989744.3
申请日：2019-10-17
Applicant: 福建工程学院
IPC: H01G11/30 , H01G11/32 , H01G11/44 , H01G11/46 , H01G11/24 , C01B32/05 , C01G45/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种三维多孔碳-氧化锰核壳结构材料及其制备方法，其是以树皮为原料制得的三维蜂窝状多孔碳为骨架，在其表面生长MnO2纳米结构，而制成核壳结构的C@MnO2。本发明三维多孔碳-氧化锰核壳结构材料借助碳骨架的高导电和大的比表面，提高了MnO2材料整体的电导率和电化学活性，又充分发挥了核壳结构的协同效应，从而具有导电率高、比电容大和循环稳定性好的优点，可用作超级电容器电极材料。
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