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公开(公告)号：CN116528632A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310554258.5
申请日：2023-05-17
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/155 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种离子液体改进蓝光硒化镉QLED空穴传输能力的方法，包括疏水性离子液体1‑丁基‑3‑甲基咪唑六氟化磷盐（BMIMPF6），量子点发光二极管器件。通过将一定量的BMIMPF6掺杂在传统的空穴传输材料聚[(9,9‑二辛基芴‑2,7‑二基)‑co‑(4,4′‑(N‑(4‑仲丁基苯基)二苯胺)]（TFB）中，与TFB溶液完全混合、相溶。本发明通过使用导电性良好的离子液体BMIMPF6掺杂在导电聚合物TFB中，使得蓝光QLED器件的开启电压、外量子效率与器件寿命都得到一定提升，解决了蓝光硒化镉器件高开启电压与低稳定性的问题。
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公开(公告)号：CN119342985A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437195.6
申请日：2024-10-15
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/165 , H10K50/155 , H10K50/115 , H10K71/00 , H10K71/12 , H10K71/40
Abstract: 本发明涉及一种利用液晶分子调控QLED载流子平衡的方法，属于QLED显示领域。所述方法，包括在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和金属阴极；将液晶分子掺入空穴传输层或电子传输层，通过液晶分子的电场响应与热响应特性，调控周围载流子的注入与传输，进而调控QLED载流子平衡，提高QLED器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118843366A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410813192.1
申请日：2024-06-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于毛细效应驱动量子点自组装制备高分辨量子点发光二极管的方法，属于发光二极管等发光器件技术领域。按照基板‑空穴注入层‑空穴传输层‑发光层‑电子传输层‑金属电极的顺序制备高分辨率量子点发光二极管，其中发光层的制备方法为：首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将量子点通过溶液法沉积到聚合物沟槽中，在毛细效应驱动下，量子点会向聚合物沟槽内壁移动并堆积成量子点条纹，将沉积有量子点阵列的聚合物衬底转印至基板后，将基板浸入热溶剂中以将聚合物去除，留下发光量子点阵列。本发明方法操作简易，产率高，适用于高分辨率量子点发光二极管的大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN118647247A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410773674.9
申请日：2024-06-17
Applicant: 福州大学
IPC: H10K71/18 , H10K50/115 , H10K50/86 , H10K50/18 , H10K59/35
Abstract: 本发明提供一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其全彩发光层通过以下方法进行制备：首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将不发光的材料通过溶液法沉积到聚合物沟槽中形成条纹；然后通过溶液法沉积第一量子点至所述条纹之间的空隙中，接着将成型后的量子点纵向转印到基板上，之后将基板浸入热溶剂中将聚合物洗去，以留下被不发光条纹裹夹的第一量子点条纹；再用同样的方法横向转印制备第二量子点条纹；最后将第三量子点通过溶液法沉积到第一、第二量子点的交叉条纹的空白位置中，形成被不发光条纹阻隔的全彩量子点阵列。
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公开(公告)号：CN117937247A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410114050.6
申请日：2024-01-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种周期性排列光学材料耦合制备量子点激光光源的方法。通过调制光子晶体微腔与量子点发光波长之间的共振耦合，实现连续光谱激光器光源。所述光子晶体微腔的制备方法为：预先制备具有特殊周期性排列形状的PDMS印章，在底发射量子点器件出光电极一侧旋涂HPC材料，将预先制备好的PDMS印章在压印出周期性排列图样，然后在上面旋涂沉积光学材料，旋涂完毕后用溶剂将HPC材料洗去，得到具有一定周期性空气孔的光子晶体微腔，此光子晶体微腔光学性质的调制可通过调节PDMS印章模板实现。该方法可在底发射量子点器件的出光侧构建一个具有特定能带结构的的光子晶体微腔，从而获得高亮度，高品质的激光光源。
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公开(公告)号：CN117928646A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410109114.3
申请日：2024-01-26
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于QLED光电突触结构实现声音和压力感知的方法，应用于声音信号检测和皮肤压力传感的方法。该方法提供一种QLED光电突触器件结构将声音感知和压力感知结合的器件结构。本发明公开了基于QLED光电突触器件结构对声音和压力感知可应用于声音信号检测和皮肤压力传感的方法。通过输入压力信号转化为压电薄膜传感层的形变程度和通过传感层的转化形成的电信号改变QLED光电前突触器件结构中的载流子的移动，使得前突触器件结构发射出带有形变信息的光信号到QLED光电后突触器件结构中，可以经过滤波器和信号放大器结构实现对声音的播放和建立对压力的感知。本发明利用了QLED光电器件的光响应特性来实现对声音的传输和压力的感知。
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公开(公告)号：CN117915679A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410111420.0
申请日：2024-01-26
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/80 , H10K71/00 , H10K50/805 , H10K71/60
Abstract: 本发明涉及一种利用巨磁电阻结构实现高分辨率量子点发光显示器件的结构及制备方法。所述制备方法包括：首先，在器件的阳极上，即，透明导电的ITO上，依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和金属阴极。而后，再在金属阴极上沉积包含两层磁性材料和夹着的一层非磁性材料的巨磁电阻。最终，得到我们想要的器件。在一个外加磁头的控制下，我们可以控制巨磁电阻的电阻状态，以此来实现器件的导通或者关闭状态，进而可以实现高分辨显示。
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