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公开(公告)号:CN103310071A
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201310259700.8
申请日:2013-06-26
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种基于多级贪心随机自适应过程(GRASP)的超大规模集成电路(VLSI)电路划分方法,属于VLSI设计自动化技术领域。该方法主要结合GRASP可以快速产生较好初始解的优势,对目前主流的多级划分方法进行了改进。技术方案要点如下:(1)在粗化阶段,设计了一种桶排序方法对顶点间的连接权重进行快速排序,在此基础上,用GRASP的思想构造初始匹配,并用短交替增广路(圈)局部改进匹配结果;(2)在初始划分阶段,并用GRASP的思想构造质量较好的初始划分集合;(3)在细化阶段,结合多样性机制不断减小划分集合规模。该方法可以提供高质量的划分结果,可适应目前VLSI的版图设计自动化的需求。
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公开(公告)号:CN108846187B
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN201810563559.3
申请日:2018-05-25
Applicant: 福州大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F115/06
Abstract: 本发明提供一种基于广义增广拉格朗日的集成电路全局布局优化方法,其包括以下步骤:步骤S1:将电路表示为超图;电路中的每个单元都被当成一个顶点;每个线网被当作是一个超边;步骤S2:提供一广义增广拉格朗日方法,并用其解决VLSI全局布局问题;步骤S3:证明了该广义增广拉格朗日方法对于全局布局问题是全局收敛的;步骤S4:将该广义增广拉格朗日方法应用于处理带有线网拥塞度约束的全局布局问题。本发明保留了二次罚方法和增广拉格朗日法的优点,并将二次罚方法平稳地过渡到了增广拉格朗日法。用该方法来求解全局布局问题时,单元可以在“二次罚”阶段迅速扩散,并为“增广拉格朗日”阶段提供一很好的初始解,最终得到高质量的结果。
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公开(公告)号:CN108804793B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201810542123.6
申请日:2018-05-30
Applicant: 福州大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明涉及一种最小化平均和最大移动的混合高度单元合法化方法,把电路表示为超图模型;将单元设置方向后,对齐到临近且正确匹配的电源轨道行上;对多倍行高标准单元进行预处理,并通过对目标函数和约束的分析和重构,将混合高度标准单元合法化模型规划为混合整数二次规划模型;将混合整数二次规划模型转换成二次规划模型;将二次规划模型转化为对应的线性互补模型;用基于模数的矩阵分裂迭代法来求解线性互补模型;进行行重分配以及对多倍行高标准单元进行复原;采用基于线性规划的方法和Kuhn‑Munkres算法对最小移动单元进行合法化。本发明提出的方法同时对所有的单元进行优化,可满足目前VLSI的混合高度标准单元合法化阶段的需求。
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公开(公告)号:CN107526860B
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201710207076.5
申请日:2017-03-31
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于电场能建模技术的VLSI标准单元布局方法,该方法通过建立问题的电场能模型,利用全局密度函数及泊松方程的解析解,求解VLSI标准单元全局布局问题。技术方案要点如下:(1)通过将布局问题与静电系统进行类比,将单元比作电荷,将原先的密度约束转化为零势能约束。构建了微分方程,并通过对其求解显式表达式来更为精确的刻画势能约束。再采用罚函数方法将VLSI全局布局的线长目标及势能约束转化为无约束的非线性规划问题并选择合适的优化技术进行优化。(2)与之前使用均匀划分bin的方法得到离散的密度函数值不同,此发明计算单元与整个布局区域重叠约束的全局密度表达式,从而更准确的刻画单元在布局区域上的分布状况。
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公开(公告)号:CN106980730B
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201710206952.2
申请日:2017-03-31
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于直接求解技术的VLSI标准单元布局方法,属于VLSI物理设计自动化技术领域。该方法通过建立问题的全局密度函数,利用高斯函数进行卷积光滑化,结合线长模型,从而求解VLSI标准单元全局布局问题。技术方案要点如下:(1)与之前使用均匀划分bin的方法得到离散的密度函数值不同,通过计算单元与整个布局区域重叠约束的全局密度表达式,从而更准确的刻画单元在布局区域上的分布状况。(2)考虑到单元的散开不仅与所处的密度有关,还与周围的密度有关,模型使用高斯函数对非光滑的全局密度函数进行卷积光滑化。再采用罚函数方法将VLSI全局布局的线长目标及密度约束转化为无约束的非线性规划问题,并选择合适的优化技术进行优化。
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公开(公告)号:CN108733936A
公开(公告)日:2018-11-02
申请号:CN201810522256.7
申请日:2018-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种DSA通孔层三重模式分解的离散松弛法。该方法通过构造一个加权冲突分组图,引入负权重的边,然后提出了一个基于掩模板设计的离散松弛问题;用整数线性规划(ILP)公式来求解离散松弛问题,求得该问题最优值的下界;为了改善下界,引入一些有效的不等式来修正一些不好的松弛问题的解;最后,通过求解布局图上的模板设计问题,将得到的离散松弛解转化为原问题的合法解,从而为原问题的最优值提供了一个上界。
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公开(公告)号:CN106980730A
公开(公告)日:2017-07-25
申请号:CN201710206952.2
申请日:2017-03-31
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于直接求解技术的VLSI标准单元布局方法,属于VLSI物理设计自动化技术领域。该方法通过建立问题的全局密度函数,利用高斯函数进行卷积光滑化,结合线长模型,从而求解VLSI标准单元全局布局问题。技术方案要点如下:(1) 与之前使用均匀划分bin的方法得到离散的密度函数值不同,通过计算单元与整个布局区域重叠约束的全局密度表达式,从而更准确的刻画单元在布局区域上的分布状况。(2) 考虑到单元的散开不仅与所处的密度有关,还与周围的密度有关,模型使用高斯函数对非光滑的全局密度函数进行卷积光滑化。再采用罚函数方法将VLSI全局布局的线长目标及密度约束转化为无约束的非线性规划问题,并选择合适的优化技术进行优化。
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公开(公告)号:CN106777849A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201710207178.7
申请日:2017-03-31
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种用于求解给定边框约束的VLSI版图设计方法,采用随机化的策略,将一个随机初始布局作为混合模拟退火算法的初始解。提出了将边框约束作为目标函数的违背惩罚函数。该函数在考虑围住候选布图结果的最小矩形超出给定边框的面积函数基础之上,引入了考虑各个模块超出给定边框的长度函数。在加入了混合模拟退火算法的基础上,又引入了可行解策略。使得经过一系列B*‑tree扰动产生的解都是可行解,从而使得算法能够得到较优的解。又引入了混合模拟退火算法来搜索最优解,在该算法中,新的温度更新公式被采用。新的温度更新公式缩短解空间搜索阶段的时间,将更多的时间用于在温度上升阶段寻找较优的解,增大了找到最优解的概率。
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公开(公告)号:CN103353910B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201310259859.X
申请日:2013-06-26
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种用于并行电路仿真的电路划分方法,属于超大规模集成电路(VLSI)设计自动化技术领域。该方法先以最小割为目标的递归的多级二路划分方法快速获取较好的初始划分,然后以最小化通信量和负载均衡为目标,用迭代改进方法不断改进划分。技术方案要点如下:(1)用递归的二路划分方法获取k路初始划分;(2)二路划分采用多级划分方法,其中在粗化阶段结合负载均衡,细化阶段限定迭代次数;(3)在迭代改进过程中,每次优先选择移动可改进负载均衡的顶点。该方法得到的划分结果满足负载均衡和较少通信量需求,可适用于VLSI并行电路仿真系统的电路划分阶段。
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公开(公告)号:CN106971042B
公开(公告)日:2019-10-15
申请号:CN201710207592.8
申请日:2017-03-31
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种用于混合高度标准单元电路设计的合法化方法,该方法的技术方案要点如下:(1)根据全局布局得到的单元位置顺序并松弛布局区域的右边界约束,将混合高度标准单元的合法化问题转化为对应的LCP,它可以被现有的优化方法有效地解决;(2)对转换后的LCP中的矩阵以适当的方式进行分解,并使用MMSIM来求解转换后的LCP,该适当的矩阵分解不仅满足了MMSIM收敛的要求,同时也大大加快了计算时间;(3)该方法是同时对所有的单元进行优化,而不是逐个单元进行优化,从一个更加全局的角度来考虑了该合法化问题。实验结果表明该方法可以提供高效实用的合法化结果(尤其对大规模的实例),可满足目前VLSI的混合高度标准单元合法化阶段的需求。
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