公开(公告)号：CN114114539A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202011294845.8

申请日：2020-11-18

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： E·J·诺伯格 ,  梁睿 ,  B·M·柯廷 ,  J·鲍特斯

IPC: G02B6/13

Abstract: 本公开的实施例涉及光子电路制造中的损耗监测。光学制造监测器结构可以被包括在由掩模或制造光罩在晶片上进行制造的设计中。第一组件集合可以在初始制造周期中被形成，其中第一组件集合包括功能性组件和监测器结构。第二组件集合可以通过后续制造过程形成，后续制造过程可能潜在地导致第一组件集合的错误或损坏。监测器结构可以在制造期间(例如，在洁净室中)被实现，以在不会拉出或报废晶片的情况下，检测制造错误。

公开(公告)号：CN113589557A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110836409.7

申请日：2019-09-25

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： J·E·罗斯 ,  E·J·诺伯格

IPC: G02F1/025 ,  G02F1/00 ,  G02F1/017

Abstract: 本公开的各实施例涉及具有加热器的集成光电器件。公开了集成光电器件的结构以及制造和操作方法，其促进直接加热二极管或波导结构以调节器件的温度，同时允许电触点靠近器件放置以减小电阻。实施例尤其包括异质电吸收调制器，异质电吸收调制器包括放置在形成于SOI基板的器件层中的波导上方的化合物半导体二极管结构。