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公开(公告)号：CN102208020A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110199501.3
申请日：2011-07-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于最优维数标度切判据的人脸识别方法，主要解决现有方法在对特征进行降维时无法自动确定最优维数而导致的识别率低及计算量大的问题。其步骤包括：对已知类别的图像和待测试图像进行预处理，得到训练样本集和测试样本集；分别构造训练集的局部类间和局部类内不相似性矩阵，及总的局部不相似性矩阵；构造基于最优维数局部标度切的加权差分矩阵，对该矩阵进行特征分解得到最优维数以及最优投影矩阵；分别将训练集和测试集投影到低维空间，得到新的训练集和测试集；将新的训练集和测试集输入K近邻分类器进行分类，得到测试图像的类别。本发明具有自动选择最优维数的优点，并能得到较高的识别率，可用于公共安全、信息安全领域。
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公开(公告)号：CN114591742B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210266290.9
申请日：2022-03-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , H01L31/0328 , H01L31/0352 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种铜铟锡硒/硒化锌核壳量子点及其制备方法与应用，其制备方法包括以下步骤：将碘化亚铜、醋酸铟、二氯化锡、油胺和正十八烯混合后，于惰性气体氛围下、100～120℃下保温，再于170～190℃注入硒前驱体溶液，并保温，其后进行淬灭，再经纯化后，溶解于正十八烯与油胺中，得铜铟锡硒量子点溶液；将铜铟锡硒量子点溶液于惰性气体氛围下、140～160℃下保温，再逐滴注入锌前驱体溶液，其后逐滴注入硒前驱体溶液，再升温至210～230℃，并保温25‑35min，其后进行淬灭，即得。本发明的铜铟锡硒/硒化锌核壳量子点材料在近红外波段具有良好的光吸收能力，具有良好的光生载流子生成能力。
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公开(公告)号：CN117409269A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311341244.1
申请日：2023-10-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/32 , G06N3/0464 , G06N3/082 , G06N3/096
Abstract: 本发明公开了一种基于交叉感知压缩网络的小目标远程实时检测方法，主要用于现有技术在资源受限环境下对小目标检测和计算耗时长、虚警率高的问题。其实现方案包括：设计包含主干网络、压缩混合模块和滤波感知模块的交叉感知压缩网络；选取SIRST数据集中的图像进行归一化处理，将处理后的图像组成训练集；设计损失函数并对网络进行迭代更新，得到训练好的交叉感知压缩网络；将待检测的小目标图像输入到训练好的交叉感知压缩网络中，检测出小目标。本发明计算耗时小、虚警率低、视觉效果好，能满足远程实时监测场景下的高性能与低功耗需求，能够在降低计算和通信负担的同时实现小目标的精准定位与分割，可用于在资源受限环境下的小目标检测和分析。
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公开(公告)号：CN117154755A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311096561.1
申请日：2023-08-29
Applicant: 成都大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明属于多区域风电系统控制器技术领域，公开了一种应对非周期DoS攻击的多区域风电系统控制器设计方法，该方法包括：控制负载频率；建立大规模互联电力系统模型；设计分布式离散PI控制器；基于隐马尔可夫跳变模型的拓扑切换；DoS攻击模式；设计控制器。本发明提出了一种新型的具有记忆特性的自适应事件触发机制算法。该算法的主要思想是根据系统状态的变化情况，动态地调整事件触发的时刻，从而减少事件触发的次数，降低网络通信的负载。
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公开(公告)号：CN116285994A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310296920.1
申请日：2023-03-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种金修饰的铜铝硫/硒化锌核壳量子点材料及其制备方法和应用，制备方法包括：将铜源、铝源加入溶剂中，在80‑100℃、惰性气体条件下进行脱气处理，接着阶段升温至140‑160℃，加入硫源，保温再升温，继续加入硫前驱液反应，再加入锌前驱液和硒前驱液，升温至220‑240℃，保温40‑60min后淬灭反应，收集量子点原液；向量子点原液中加入纳米金溶液，超声处理，制得。本发明制得的量子点材料可以有效解决单一铜铝硫晶体质量差、光电转换效率低下、光生激子利用率低等问题。本发明中基于上述金修饰的铜铝硫/硒化锌核壳量子点制得的光电突触器件解决了传统突触器件光电响应差、工艺结构复杂等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116285994B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310296920.1
申请日：2023-03-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种金修饰的铜铝硫/硒化锌核壳量子点材料及其制备方法和应用，制备方法包括：将铜源、铝源加入溶剂中，在80‑100℃、惰性气体条件下进行脱气处理，接着阶段升温至140‑160℃，加入硫源，保温再升温，继续加入硫前驱液反应，再加入锌前驱液和硒前驱液，升温至220‑240℃，保温40‑60min后淬灭反应，收集量子点原液；向量子点原液中加入纳米金溶液，超声处理，制得。本发明制得的量子点材料可以有效解决单一铜铝硫晶体质量差、光电转换效率低下、光生激子利用率低等问题。本发明中基于上述金修饰的铜铝硫/硒化锌核壳量子点制得的光电突触器件解决了传统突触器件光电响应差、工艺结构复杂等问题。
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公开(公告)号：CN114591742A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210266290.9
申请日：2022-03-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , H01L31/0328 , H01L31/0352 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种铜铟锡硒/硒化锌核壳量子点及其制备方法与应用，其制备方法包括以下步骤：将碘化亚铜、醋酸铟、二氯化锡、油胺和正十八烯混合后，于惰性气体氛围下、100～120℃下保温，再于170～190℃注入硒前驱体溶液，并保温，其后进行淬灭，再经纯化后，溶解于正十八烯与油胺中，得铜铟锡硒量子点溶液；将铜铟锡硒量子点溶液于惰性气体氛围下、140～160℃下保温，再逐滴注入锌前驱体溶液，其后逐滴注入硒前驱体溶液，再升温至210～230℃，并保温25‑35min，其后进行淬灭，即得。本发明的铜铟锡硒/硒化锌核壳量子点材料在近红外波段具有良好的光吸收能力，具有良好的光生载流子生成能力。
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公开(公告)号：CN116828939A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310771429.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H10K71/00 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K30/87 , H10K39/00 , H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种基于环保型量子点太阳能器件的集成系统及其制备方法与应用，其制备方法包括以下步骤：(1)量子点制备；(2)环保型量子点荧光太阳能聚光器制备；(3)量子点/二维材料复合材料及光电探测器制备；(4)量子点/钙钛矿太阳能电池制备；(5)组件耦合，制得。本发明制得的基于环保型量子点太阳能器件的集成系统不含有任何有毒重金属如铅、镉等，本发明首次提出构建基于环保型量子点太阳能器件的集成系统，通过不断优化该系统中各组成的光电转化能力，实现该体系持久地运行，解决了太阳能光电转化长时间稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN114878571A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210662173.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N21/84
Abstract: 本发明公开了基于光学法判断铼族化合物薄膜子晶畴和晶格方向的方法，属于二维纳米材料表征技术领域。该方法的步骤为：将铼族化合物薄膜样品置于含有偏振光的光学显微镜的载物台上，旋转铼族化合物薄膜样品的位置，并对旋转后的样品进行拍照，判断铼族化合物薄膜样品的所有子晶畴和晶界；对拍照所得的照片进行RGB衬度提取，得到每个子晶畴的晶格取向。本发明的方法对设备条件要求较低，操作流程简单，是一种区分判断硫化铼晶界并指认每个子晶畴的晶格取向的无损快速便捷的方法。
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公开(公告)号：CN113755820A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111022978.4
申请日：2021-09-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积单层半导体二维WS2薄膜材料及其制备方法和应用，属于材料技术领域，以WO3和S作为前驱体，氩气作为载气，通过调节氢气的引入时机，可以有效控制WS2的成核和生长，实现大面积，层数可控的WS2的制备。本发明提供的方法，成本低廉，可控性好，重复性强。经过本发明方法制备得到的大面积单层半导体二维WS2薄膜材料，由于具有大面积、单晶型等特点，能够在光电探测器器件中表现出优异的光响应速度，具有实用价值。
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