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公开(公告)号：CN102832219A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210316186.2
申请日：2012-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/098
Abstract: 一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，属于半导体功率器件技术领域。包括集成在一起的一个结型场效应晶体管JFET和一个可调热敏电阻，可调热敏电阻一端与JFET源极相连，另一端与JFET的栅极相连。该发明的核心为可调的热敏电阻，可调热敏电阻可以通过激光切割等方式得到满足输出电流大小要求的阻值，在同一批次中得到不同类型产品。热敏电阻为正温度系数，工作情况下，温度增加，电阻增大，降低输出电流，保护了所应用系统的可靠性。本发明具有集成度高、输出电流稳定、输电流大小可调节、温度特性好的优点，可应用于LED照明等领域。
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公开(公告)号：CN102779842A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210248741.2
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 一种变形槽栅介质的CSTBT器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT器件的基础上，改变槽内沟道区下方，即P型基区（5）下方栅介质层（7）的形状，使沟槽底部的多晶硅栅极12被更多的栅介质层7所包围，在基本不影响器件其他参数的情况下，可极大程度的提高器件的击穿电压，能更好的实现击穿电压与导通压降的折中关系，进一步优器件的综合性能。
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公开(公告)号：CN102779840A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210249143.7
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/36 , H01L29/739
Abstract: 一种具有终端深能级杂质层的IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar FS-IGBT基础上，在终端漂移区（14）注入一层深能级杂质层（15）。所述的深能级杂质层（15），随着器件温度升高，深能级杂质电离度升高，杂质浓度大幅上升，在IGBT关断时，终端漂移区增加的载流子浓度有效减小终端区P+集电区的空穴发射效率，减小寄生PNP管αPNP，从而有效减少器件的高温漏电流；漂移区增加的电子浓度和P+集电区注入的空穴加速复合，而且深能级杂质本身就是复合中心，进一步加速电子空穴的复合，有效改善关断特性，提高IGBT的可靠性。
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公开(公告)号：CN102738214A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210187423.X
申请日：2012-06-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件，属功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS的超结结构中与外延区（3）导电类型相反的柱区（4）中掺入深能级杂质（对N沟道器件，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件，掺入受主杂质In、Ti或Zn）。这些深能级施主杂质在常温下电离率比较低，可以忽略其对柱区（4）掺杂浓度的贡献，不影响器件的静态电荷平衡。当器件正向导通并工作在大电流下时，随着器件温度升高，上述深能级杂质的电离率将得到大幅提高，相当于降低了柱区（4）的掺杂水平，有效缓解了由于载流子流过外延区（3）所造成的超结结构电荷失衡导致的器件雪崩击穿电压下降，提高了器件可工作的电流范围，扩大了器件的正向安全工作区。
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公开(公告)号：CN118299422A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410374664.8
申请日：2024-03-29
Applicant: 电子科技大学 , 无锡华润华晶微电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L23/34 , G01K13/00 , G01K7/00 , G01K1/14 , G01K1/143
Abstract: 本发明提供一种集成温度传感器的半导体器件，其包括至少一个元胞。包括正面电极(阴极电极)、背面电极(阳极电极)以及位于两电极之间的半导体单元，包括隔离介质、源区接触、发射区接触、第一基区、发射区栅极结构、第二基区、漂移区、场截止区、集电区、栅极结构、采样结构隔离介质、第一采样区材料、第二采样区材料、第一采样区电极、第二采样区电极、第三采样区电极。其中，第二基区内部的第一、第二采样区材料形成的半导体结构，具备温度敏感的电学特性，能够通过第一、第二采样区电极引出的电信号反映器件内部的实时温度，并通过第三采样区电极调节采样信号的幅值。
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公开(公告)号：CN117153875A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311119562.3
申请日：2023-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 无锡华润华晶微电子有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及了具有陷阱层的逆导型IGBT器件，本发明在集电极结构中添加了陷阱层，从而形成了电子势垒；器件在正向导通初始状态下，电子势垒的存在改变了电子的移动路径，增大了器件在初始导通状态下电子电流通路上的电阻，从而抑制了器件在导通状态下的回跳电压；减小了N+集电区的间隔距离，加快关断过程中的电子抽取速度，减小关断功耗，提高器件工作频率。
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公开(公告)号：CN102800669A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210316774.6
申请日：2012-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种半导体线性恒流器，属于半导体器件技术领域。该线性恒流器包括一个MOSFET（14）、一个稳压二极管（13）和一个限流电阻（12），三者集成到同一个芯片上。稳压二极管的一端与MOSFET的栅极G相连，另一端与MOSFET的源极S相连；限流电阻一端与MOSFET的漏极D相连，另一端与MOSFET的栅极G相连。稳压二极管可以钳位住MOSFET的栅极电压，使得MOSFET的漏源电流ID维持恒定；限流电阻R可以抑制稳压二极管的电流。限流电阻可以是多晶硅电阻也可以是阱电阻。本发明具有结构简单、恒流效果明显和具有稳定的温度特性，可用作LED照明负载恒流驱动源。
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公开(公告)号：CN102779848A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210248801.0
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有深能级掺杂元素漂移区的晶闸管件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统晶闸管的N-漂移区（6）中掺入深能级杂质元素（硫、硒、碲、金或铂），深能级杂质元素随着温度升高，电离度增加，导致杂质浓度增加，从而能有效减少PNP管高温下αPNP，一方面能减少温度对高温阳极漏电流的影响，减少高温漏电流，进一步减少晶闸管的功耗；器件关断时，栅电极关断触发电流能加速空穴的抽取，减少寄生NPN管αNPN，漂移区杂质浓度上升引起αPNP的减小，加速了αNPN+αPNP
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公开(公告)号：CN119780855A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411862780.0
申请日：2024-12-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01S7/40
Abstract: 本发明公开了一种基于幅度信息的综合雷达信号分析系统，包括模拟器和分选器，所述模拟器根据设定输入参数，生成多个目标的脉冲信号并交叠，以输出用于所述分选器分选的脉冲描述字，设定输入参数包括设定雷达扫描方式；所述分选器对脉冲描述字进行分选，根据脉冲描述字的瞬时参数对脉冲信号降维并聚类，搜索符合设定雷达扫描方式特征的信号，输出属于同一辐射源的脉冲信号。本发明提供的综合雷达分析系统，通过分选器能够从截获的大数量、大范围密度且交叠严重的PDW中，精确提取单一辐射源的雷达信号。雷达信号模拟器可以模拟多种辐射源发射的信号生成指定分布的脉冲描述字，便于评估分选器算法的表现，识别性能瓶颈。
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公开(公告)号：CN114890968A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210642223.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: C07D303/42 , C08K5/1515 , C08L27/06
Abstract: 本发明公开了一种绿色环保的增塑剂，所述增塑剂的主要成分为环氧亚油酸季戊四醇酯，其结构式如下：。本发明合成的增塑剂，在一个分子中含有多个具有增塑功能的酯基和环氧基团，分子量比传统的环氧脂肪酸酯大大提高，挥发性更低，热稳定性更好；不仅能有效提高增塑效率，还将有效提高制品的热稳定性，同时由于环氧亚油酸季戊四醇酯分子的含有多个环氧基团且分子量较大，使得其有着优异的耐迁移性能，有效的改善了与PVC的相容性；使用可再生植物油为原料，是可生物降解的对人体和环境无毒害作用，对环境友好，具有较好的实用价值和经济价值，市场前景良好，适宜广泛推广应用。
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