公开(公告)号：CN102832240A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210333321.4

申请日：2012-09-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  李巍 ,  夏小军 ,  安俊杰 ,  张灵霞 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08

Abstract: 一种集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件和功率集成电路技术领域。本发明在传统的绝缘栅双极型晶体管结构的基础上，在器件终端集电极区域引入一层连续或不连续的介质层。本发明通过介质层的引入可显著的降低器件终端集电极区域的有效空穴发射效率，从而减小器件终端处的空穴注入。当器件关断时，由于终端集电极区域空穴注入的减少，可使器件终端等位环附近的电流集中现象得到有效的抑制，从而抑制和消除由于电流集中引起的热击穿和动态雪崩击穿，从而有效改善绝缘栅双极型晶体管的关断能力，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN102800697A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210303840.6

申请日：2012-08-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  赵起越 ,  夏小军 ,  任敏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10

Abstract: 一种具有高温自保护功能的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明是在传统IGBT器件的P型基区（5）中靠近多晶硅栅电极（9）的沟道区（A）中引入带有受主能级的深能级杂质（12），这些深能级杂质（12）在常温下电离率比较低，对器件的阈值电压影响非常小。当器件工作在大电流下，器件温度升高，上述深能级杂质（12）的电离率将得到大幅提高，相当于提高了P型基区（5）的有效掺杂水平，使器件的阈值电压大幅提高，降低IGBT器件的饱和电流值，加之器件的正向导通压降的负温度系数，在双重机理的作用下达到对IGBT器件的正向导通压降的负温度系数进一步优化的目的。避免器件因为自身产生的热损耗导致的温度过高而失效，从而使得器件具有高温自我保护的功能。

公开(公告)号：CN102779840A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210249143.7

申请日：2012-07-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  李巍 ,  夏小军 ,  赵起越 ,  张金平 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/739

Abstract: 一种具有终端深能级杂质层的IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar FS-IGBT基础上，在终端漂移区（14）注入一层深能级杂质层（15）。所述的深能级杂质层（15），随着器件温度升高，深能级杂质电离度升高，杂质浓度大幅上升，在IGBT关断时，终端漂移区增加的载流子浓度有效减小终端区P+集电区的空穴发射效率，减小寄生PNP管αPNP，从而有效减少器件的高温漏电流；漂移区增加的电子浓度和P+集电区注入的空穴加速复合，而且深能级杂质本身就是复合中心，进一步加速电子空穴的复合，有效改善关断特性，提高IGBT的可靠性。

公开(公告)号：CN102683403A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210123366.9

申请日：2012-04-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  夏小军 ,  李长安 ,  张蒙 ,  安俊杰 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397

Abstract: 一种沟槽栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统的沟槽栅电荷存储型IGBT的基础上，在器件N型漂移区的上部引入一层P型埋层，通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型电荷存储层对器件击穿电压的不利影响，从而使器件获得高的击穿电压。同时由于P型埋层对N型电荷存储层的电场屏蔽作用，本发明可采用较高的N型电荷存储层掺杂浓度，从而可增强器件N型漂移区内的电导调制并优化N型漂移区内的载流子分布，从而使器件获得更低的正向导通压降以及更好的正向导通压降和关断损耗的折中。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。

公开(公告)号：CN102842612A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210333215.6

申请日：2012-09-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  杨文韬 ,  李巍 ,  夏小军 ,  张灵霞 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明是在传统IGBT器件结构的基础上，在器件MOS结构表面下分别引入P型埋岛和N型载流子存储层结构。在正向阻断时，P型埋岛所引入的电荷及附加电场可以削弱MOS结构下的尖峰电场，从而提高器件的耐压。在正向导通时，高的N型载流子存储层的掺杂浓度或厚度，抬高了空穴的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低器件的正向饱和压降并获得更好的正向导通压降和关断损耗的折中。所引入的P型埋岛和N型载流子存储层在P型基区形成之前通过离子注入和外延等工艺形成。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。