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公开(公告)号：CN111313845A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911249316.3
申请日：2019-12-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于波导电桥的可调谐毫米波行波管用模拟预失真器，包括波导正交电桥结构、非线性发生结构和过渡结构；波导正交电桥结构采用标准波导设计，包括波导正交电桥；非线性发生结构包括第一肖特基二极管、第二肖特基二极管、第一射频扼流接地电路、第二射频扼流接地电路、第一可调谐微带线、第二可调谐微带线；过渡结构主要起连接波导正交电桥结构、非线性发生结构作用。本发明采用波导正交电桥、E面探针过渡结构、有源偏置的肖特基二极管和可调谐微带电路，通过设计可调谐微带长度和宽度，调整每个肖特基二极管偏置电压和偏置电阻，能够在更高的毫米波频段实现适用不同程度非线性失真特性的TWTA的可调谐的预失真曲线。
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公开(公告)号：CN111146549A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010035191.0
申请日：2020-01-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开一种基于耦合结构的接地共面波导功率分配/合成网络，应用于毫米波、亚毫米波领域，为解决现有的功率分配/合成网络不能兼顾宽频带、低插损、相位一致性好的问题，本发明通过采用接地耦合共面波导1分2的电路结构再进行背靠背形成二路能量合成。信号能量通过接地共面波导的两个导带缝传播，并通过耦合结构1分2，最后进行背靠背实现输出功率合成，相比于现有技术本发明的功率分配/合成网络拥有结构小、散热好、插入损耗低、频段宽等特点。
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公开(公告)号：CN110535440A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910826271.5
申请日：2019-09-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于凸台式准波导滤波器的太赫兹倍频器结构，包括输入波导、输出波导以及位于输入波导和输出波导之间的凸台式准波导滤波器；所述凸台式准波导滤波器包括波导屏蔽腔(1)、石英基片(2)、悬置微带导带(3)，石英基片(2)和悬置微带导带(3)设置在波导屏蔽腔内，悬置微带导带(3)设置在石英基片(2)的一个侧面上，石英基片的另一个侧面上设有多个凸台结构(4)。本发明通过引入多级凸台支撑形式，为基片提供了更多的支撑面积，创新提出通过采用凸台式准波导滤波器结构，既为基片支撑同时引入滤波作用。本发明提出的结构具有体积小、易于实现等特点，在太赫兹波倍频器中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110299897A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910588169.6
申请日：2019-07-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H7/06
Abstract: 本发明公开了一种基于矢量合成的小型化多峰均衡器，包括由上至下依次层叠的微带层、介质层和金属层，所述微带层包括第一传输线主线、第二传输主线、及由第一级功分器结构表层微带、第二级功分器结构表层微带、第三级功分器结构表层微带和第四级功分器结构表层微带构成的多级功率分配-合成结构。本发明利用多级功率分配-合成结构实现微波信号的多路分配与矢量合成，在多个特定频点实现均衡，当需要多个频带衰减时可以采用多级功分器实现，可以实现较大均衡量，同时实现小型化。
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公开(公告)号：CN109801907A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910067066.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L25/18 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种用于毫米波芯片封装的类共面波导金丝键合互连结构，其包括毫米波功放芯片、散热载体和PCB共面波导，所述毫米波功放芯片共晶烧结到散热载体上，所述散热载体嵌入到腔体结构中，所述毫米波功放芯片的GSG PAD与PCB共面波导之间通过类共面波导金丝键合互连结构进行互连。本发明通过在毫米波功放芯片的GSG PAD与PCB共面波导之间设置类共面波导金丝键合互连结构进行互连，使得毫米波功放芯片的传输性能不再依赖于地平面的完整性，克服了地平面缺陷对传输性能的影响，并且与传统的印刷电路和金丝键合工艺兼容，具有结构简单、易于实现等优点，在毫米波及太赫兹频段有源器件与无源器件的互连设计中具有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105390783B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201510549637.0
申请日：2015-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于太赫兹器件技术领域，提供一种适用于太赫兹波段的镜频抑制混频器结构，包括E面矩形波导田字形分支线电桥3dB定向耦合器、微带波导双探针、两个混频器以及功率合成器；射频信号经过E面矩形波导田字形分支线电桥3dB定向耦合器产生等幅且90度相差的两路射频信号，分别输入到两路混频器中；本振信号经过微带波导双探针产生等幅同相两路信号，分别输入到两路混频器中；两路混频器中频输出信号经功率合成器功率合成后输出；所述功率合成器任一输入端前端设置90度移相器，使其对应的一路混频器中频输出信号产生90度移相器，从而使两路混频器中频输出信号同相叠加输出。本发明提供镜频抑制混频器结构结构简单、适用于太赫兹波段。
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公开(公告)号：CN107342459A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710541192.0
申请日：2017-07-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜微带天线过渡探针结构，包括上腔体，下腔体和天线探针组合，上腔体与下腔体闭合后形成依次连接的矩形输入波导、过渡探针腔体和矩形输出波导，下腔体的中部设有凸台，天线探针组合安装在凸台之上；上腔体与凸台之间形成单片电路屏蔽腔，电磁信号从矩形输入波导输入，经过过渡探针腔体中的天线探针组合的处理后，从矩形输出波导输出。本发明所提供的一种薄膜微带天线过渡探针结构，能大幅提高太赫兹频段信号的过渡性能，本发明结构小巧不增加芯片体积，节约模块空间，结构简洁紧凑，便于制造。
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公开(公告)号：CN106992339A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710181398.7
申请日：2017-03-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
CPC classification number: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种应用于WLAN的双频点圆柱共形滤波器及其制作方法，所述系统包括圆柱共形底座(1)、基板(2)以及双阶SIR滤波器(3)；双阶SIR滤波器(3)固定设置于基板(2)上，基板(2)固定贴合于圆柱共形底座(1)的共形曲面上。本发明中圆柱共形底座(1)可采用3D打印技术加工完成，其外表面是最常见的圆柱面，可用于其它共形系统中。本发明采用两阶的阶跃阻抗谐振器(SIR)来实现滤波功能，通过调整SIR的两段微带线的宽度和长度，可以得到不同的两个谐振点，同时双频滤波器有利于系统整体的小型化。本发明中双阶SIR滤波器(3)使用平行耦合线馈电方式，可以产生多个传输零点，从而提高带外抑制性能。
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公开(公告)号：CN106886650A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710120429.8
申请日：2017-03-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种超宽带氮化镓器件小信号模型及其参数提取方法，该小信号模型在栅、源、漏端分别采用三个互联电容和级联电感网络结构形式，包括18个寄生参数和10个本征参数；寄生参数包括外层寄生电容Cpgi1、Cpdi1、Cgdi1等，寄生电感Lgi1、Ldi1、Lsi1等，寄生电阻Rg、Rd、Rs；本征参数包括本征电容Cgd、Cgs、Cds，本征电阻Rgs、Rgd、Rds，本征电流源Ids＝ViGme‑jωta中的参量Gm及ta。该模型可以准确描述高频器件特性，从而使得模型具有更宽的应用频带，最高能够适用于W频段；该参数提取方法可以实现模型参数在0.2‑110GHz的频率范围内具有良好稳定性。
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公开(公告)号：CN106845025A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710120505.5
申请日：2017-03-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法，包括：测试每一批次中若干个氮化镓高电子迁移率晶体管，获得所述氮化镓高电子迁移率晶体管的电流‑电压特性；将所述电流‑电压特性用于与所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路模型，提取关于所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路参数；根据所述大信号等效电路参数，利用响应曲线法建立大信号统计模型。该建模方法能够减少数据量，避免出现异常值而遇到不收敛的问题，使通过该建模方法获得的统计模型能够准确反映不同器件的工艺变化情况，使晶体管的生产质量稳定、均衡。
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