一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器

    公开(公告)号:CN109411857A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811454185.8

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 本发明涉及微波电路技术,具体涉及一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器。本发明在SIW本体上开一条中间槽线用来安装贴片电阻,将经典的表贴电阻π型衰减器中间的串联电阻用五个并联电阻替换,每个电阻阻值为之前电阻阻值的五倍,同时两个接地电阻阻值保持不变,构成改进的表贴电阻π型衰减器以实现衰减功能。基于此设计思路得到的SIW衰减器对应于1dB、2dB、3dB、4dB和5dB衰减量时,其工作带宽为7.2-13.7GHz(62.2%),其工作带宽获得了极大地拓展。

    一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载

    公开(公告)号:CN118920051B

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411413051.7

    申请日:2024-10-11

    Abstract: 本发明属于微波毫米波技术,具体为一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,包括呈凹槽结构的电磁场约束载体,电磁场约束载体内设有与凹陷部相适应的负载本体,负载本体与电磁场约束载体之间通过金丝键合在一起;通过负载本体的在传播路径上引入多个π型电阻衰减网络,对输入信号的入射和反射能量同时进行多段式衰减,一是减小了到达终端50Ω负载的能量强度,增强了负载的散热性能,提高了负载的功率容量;二是对反射能量的再次衰减,减小了反射回输入端口的能量强度,提高了负载的整体驻波性能。

    一种基于小角度入射的太赫兹反射型准光隔离系统

    公开(公告)号:CN118938523A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411204703.6

    申请日:2024-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于小角度入射的太赫兹反射型准光隔离系统,属于基于反射式准光技术的收发隔离技术领域。该系统包括:输入端口A、输出端口B、隔离端口C、隔离端口D、椭球面镜M1、椭球面镜M2、椭球面镜M3、椭球面镜M4、平面镜N1、平面镜N2、90°极化光栅S1、45°极化光栅S2以及反射式法拉第旋转器。本发明中的反射式隔离器光路相对于法拉第旋转器具有接近法向的入射角、具有非常高的功率处理能力,通过对各种器件的合理运用和排布,使得‑30dB边缘电平的能量(99.9%的能量)在传播过程当中不被遮挡,并且结合合理的设计束腰转换参数,保证了高斯波束在传播过程中的准直性。

    一种基于PIN二极管的电调基片集成波导均衡器

    公开(公告)号:CN116014394B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202310255338.0

    申请日:2023-03-16

    Abstract: 本发明公开了一种基于PIN二极管的电调基片集成波导均衡器,属于微波毫米波技术领域。通过在SIW本体中设置贯通表面金属层的槽,在槽中引入PIN二极管和与之配对使用的芯片电容,增加并调节传播通道上的损耗,当电磁波在SIW本体中以TE10模式进行传播的时候,在槽中引入结构就能在传播TE10模的同时对信号进行不同程度的的衰减。本发明SIW均衡器可以应用于微波、毫米波电路和系统中,对不同频率的信号进行不同程度衰减以实现均衡效果;且均衡量与设置在PIN二极管上的电压在一定范围内成单调关系;并且还可通过设置SIW本体长宽边的尺寸比例以实现不同频段的应用调整。

    一种实现在陶瓷基板上的步进式无源衰减器

    公开(公告)号:CN115714249B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202211028285.0

    申请日:2022-08-25

    Abstract: 本发明提供一种实现在陶瓷基板上的步进式无源衰减器,包括:陶瓷基板、陶瓷基板上的传输线本体、焊盘、薄膜电阻、λg'/4扇形短路线;传输线本体沿x方向设置于陶瓷基板平面中心,多个λg'/4扇形短路线沿x方向在传输线本体的上下两侧交替等距分布,相邻λg'/4扇形短路线沿x方向的间距为Lλg/4,λg'/4扇形短路线和传输线本体之间沿y方向设置薄膜电阻和焊盘,薄膜电阻和传输线本体边缘之间为焊盘;焊盘和传输线本体边缘连接,薄膜电阻两端分别连接焊盘和λg'/4扇形短路线;衰减器的总衰减量=∑单个薄膜电阻阻值衰减量*该薄膜电阻数量。在工作频段8.5GHz‑37.5GHz中实现了良好的步进式衰减且有着可以接受的回波损耗。

    一种基于时域分析法的介质厚度估计方法

    公开(公告)号:CN115143875B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202210742453.6

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 本发明提供一种基于时域分析法的介质厚度估计方法,该方法增加了对照组实验进行对比分析计算,避免了传统时域分析法时域选通带来的误差,误差来源仅为时域分辨精度,该精度可由chirp‑z逆变换进行优化。并且本方法跳过了介电常数的计算,直接得到介质的厚度,不再考虑介质本身的组成,在介质有损或者介质多层的情况下也能较为精准的计算出介质的厚度。

    一种短毫米波高功率法拉第隔离器

    公开(公告)号:CN116154437A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202211104861.5

    申请日:2022-09-09

    Abstract: 本发明公开了一种短毫米波高功率法拉第隔离器,属于毫米波器件技术领域。该隔离器包括共轴且依次设置的输入组件、法拉第旋转组件、输出组件;法拉第旋转组件包括圆波导、永磁体、设置于圆波导内部的多层介质材料;输入组件和输出组件结构相同,且输出组件绕中轴线旋转45°设置,均包括依次连接的矩形波导、矩方过渡波导、方波导、方圆过渡波导;方波导内部对称加载有吸波片。本发明具有结构简单、匹配层厚度小、散热能力强、功率容量大等优点。

    一种实现在陶瓷基板上的步进式无源衰减器

    公开(公告)号:CN115714249A

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN202211028285.0

    申请日:2022-08-25

    Abstract: 本发明提供一种实现在陶瓷基板上的步进式无源衰减器,包括:陶瓷基板、陶瓷基板上的传输线本体、焊盘、薄膜电阻、λg'/4扇形短路线;传输线本体沿x方向设置于陶瓷基板平面中心,多个λg'/4扇形短路线沿x方向在传输线本体的上下两侧交替等距分布,相邻λg'/4扇形短路线沿x方向的间距为Lλg/4,λg'/4扇形短路线和传输线本体之间沿y方向设置薄膜电阻和焊盘,薄膜电阻和传输线本体边缘之间为焊盘;焊盘和传输线本体边缘连接,薄膜电阻两端分别连接焊盘和λg'/4扇形短路线;衰减器的总衰减量=∑单个薄膜电阻阻值衰减量*该薄膜电阻数量。在工作频段8.5GHz‑37.5GHz中实现了良好的步进式衰减且有着可以接受的回波损耗。

    一种超宽带来波信号测频测向接收机

    公开(公告)号:CN114442030A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202111655925.6

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种超宽带来波信号测频测向接收机,属于无源定位领域。该接收机包括多路天线通道、硬件采样驱动模块以及解算上位机;每个天线通道包括宽带天线和高速AD芯片。本发明通过采用多个天线及高速AD芯片对来波信号进行解算,宽带接收机中高速AD芯片的采样率取决于来波信号的最高频率,因此对高速的AD芯片采样率有更高要求。本发明相较于传统的宽带接收机的测试方法,不需要对本振对来波信号进行下变频及滤波,既节省了成本,又降低了接收回路的功耗,使得本方案的适用性大大提高。另外,相比于传统宽带接收机,得益于天线的高增益及高速AD的高采样率,本发明可以有效减小测频侧向的误差,从而可以更加准确的对来波信号进行分析。

    一种双端发射阴极结构的相对论磁控管

    公开(公告)号:CN112885681B

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN202110118135.8

    申请日:2021-01-28

    Abstract: 本发明公开了一种双端发射阴极结构的相对论磁控管,属于微波技术领域。该相对论磁控管为全腔轴向提取结构,包括阳极外壳、高频结构、能量耦合槽缝、扇形波导、同轴波导、TEM‑TM01模式变换器、输出圆波导、引导磁场线圈以及阴极结构,其中阴极结构包括两个阴极端帽、对称设置的两个发射阴极、以及中心连接导体。本发明采用虚阴极方案可以有效地解决由于互作用区间中爆炸式发射产生的等离子体所带来的脉冲缩短、频率漂移、效率降低等问题,能够有效提高相对论磁控管的输出功率和功率转换效率。

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