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公开(公告)号：CN108710400A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810563090.3
申请日：2018-06-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种可用于负电压输出的使能电路，属于电力电子技术领域。包括使能信号处理模块、外部使能与选通模块和逻辑模块，外部使能与选通模块在内部偏置电流出现较大偏差的情况下，将外部偏置电流代替内部偏置电流从而给出全局偏置电流，并给出强制使能信号；使能信号处理模块将使能信号与使能信号参考地之间的电压差信息转换为电流信息，再与全局偏置电流比较得到是否使能的信息，该模块还具有迟滞功能，可提升对使能信号的抗扰能力；最后通过逻辑模块处理使能信号处理模块和外部使能与选通模块的输出信号，产生可以用于负电压输出的全局使能信号。本发明能够适用于使能信号的宽电压范围，可实现负电压输出，同时可以实现外部强制使能。
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公开(公告)号：CN108646848A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810477301.1
申请日：2018-05-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/575
Abstract: 一种基于BCD工艺的高压浮动轨LDO，属于集成电路技术领域。包括浮动轨电路、误差放大器、调整管、第一分压采样电阻和第二分压采样电阻，浮动轨电路为误差放大器提供低压电源，浮动轨电路包括电流源和多个栅漏短接的带埋层的MOS管构成的串联结构，多个MOS管构成的串联结构的一端连接输入电压，另一端作为浮动电压端连接误差放大器电源轨的低电压端和电流源的负向端；带埋层的MOS管的外延层连接浮动电压端。通过改变浮动轨电路中带埋层的MOS管的个数可以自由选择误差放大器的电源轨，增大了误差放大器设计的灵活度；同时利用BCD工艺中的埋层电位，选择带埋层的PMOS管设计误差放大器，在保证误差放大器高性能同时，进一步压缩了高压LDO芯片面积。
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公开(公告)号：CN108549455A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810554987.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种具有宽输入范围的降压电路，属于电力电子技术领域。包括基准电路、降压调整电路和反馈控制电路，基准电路利用工作在亚阈区的第一PMOS管和第二PMOS管产生稳定的内部电压；降压调整电路用于将宽范围的外界输入电压降低到稳定的输出电压；反馈控制电路通过基准电路对输出电压进行采样，并与降压调整电路连接成环，形成稳定的负反馈结构。本发明提出的降压结构适用于宽电压输入范围，可以实现在简单的降压电路结构下，对较高且变化的输入电压进行降压、稳压处理，产生不受输入电压影响的恒定输出电压；而且本发明不含双极型晶体管，适用于某些特定工艺与特殊应用场合，适用性强，版图面积较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109917271B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910188748.1
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R31/28 , G01R31/307
Abstract: 一种总剂量效应检测电路，属于电力电子技术领域。包括检测阵列和编码器，检测阵列包括多个基本检测单元；基本检测单元包括检测模块，检测模块利用输入接地的反相器结构进行检测；基本检测单元的输出端连接检测模块的输出端并输出基本检测单元的输出信号，通过设置各个检测模块中构成反相器的MOS管的尺寸来设置各个基本检测单元输出信号的翻转剂量点；编码器的输入信号为各个基本检测单元的输出信号，其输出信号作为总剂量效应检测电路的输出信号。本发明提出的总剂量检测电路能够对不同大小的辐射剂量进行检测，检测范围宽，具有结构简单、版图面积小、普适性强的特点；本发明适用于普通集成电路工艺，工艺选择更灵活，应用场合范围更广。
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公开(公告)号：CN108549455B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810554987.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种具有宽输入范围的降压电路，属于电力电子技术领域。包括基准电路、降压调整电路和反馈控制电路，基准电路利用工作在亚阈区的第一PMOS管和第二PMOS管产生稳定的内部电压；降压调整电路用于将宽范围的外界输入电压降低到稳定的输出电压；反馈控制电路通过基准电路对输出电压进行采样，并与降压调整电路连接成环，形成稳定的负反馈结构。本发明提出的降压结构适用于宽电压输入范围，可以实现在简单的降压电路结构下，对较高且变化的输入电压进行降压、稳压处理，产生不受输入电压影响的恒定输出电压；而且本发明不含双极型晶体管，适用于某些特定工艺与特殊应用场合，适用性强，版图面积较小。
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公开(公告)号：CN108427463B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810538686.8
申请日：2018-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种宽输入电压范围高电源抑制比的LDO，属于电力电子技术领域。包括误差放大器、功率模块、预降压模块、耐高压模块和电源抑制比增强模块，利用预降压电路模块对LDO的输入电压进行预处理得到一个可用于低压电路部分供电的低电源电压，利用低电源电压给误差放大器和耐高压模块供电以得到高电源抑制比，并通过耐高压模块提高LDO的输入电压范围，同时利用LDO环路内部的电源抑制比增强模块进一步提升LDO在中高频端的电源抑制比，最后利用功率模块对LDO的输入电压进行处理，得到反馈电压控制误差放大器的正向输入端以得到足够的环路增益来提高LDO的输出精度，功率模块的输出电压为LDO最终的输出电压。本发明输入范围宽，占用芯片面积小，且电源抑制比高。
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公开(公告)号：CN109980945A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910287250.0
申请日：2019-04-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于电流采样的自适应前沿消隐控制电路，属于集成电路领域与开关电源领域。包括自适应前沿消隐电路和原边电流采样转换电路，自适应前沿消隐电路产生自适应前沿消隐信号作为原边电流采样转换电路的使能信号，自适应前沿消隐信号的使能宽度与应用系统在前一个开关周期的负载电流信息成正比；原边电流采样转换电路在自适应前沿消隐信号不使能时对采样电压进行采样，在自适应前沿消隐信号使能时停止对采样电压进行采样，原边电流采样转换电路的输出信号经过脉冲调制和增强驱动后用于控制应用系统中开关管的开启和关断。本发明能够减小误采样概率，提高稳定性；同时能够实现低功耗和高效率。
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公开(公告)号：CN108427463A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810538686.8
申请日：2018-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种宽输入电压范围高电源抑制比的LDO，属于电力电子技术领域。包括误差放大器、功率模块、预降压模块、耐高压模块和电源抑制比增强模块，利用预降压电路模块对LDO的输入电压进行预处理得到一个可用于低压电路部分供电的低电源电压，利用低电源电压给误差放大器和耐高压模块供电以得到高电源抑制比，并通过耐高压模块提高LDO的输入电压范围，同时利用LDO环路内部的电源抑制比增强模块进一步提升LDO在中高频端的电源抑制比，最后利用功率模块对LDO的输入电压进行处理，得到反馈电压控制误差放大器的正向输入端以得到足够的环路增益来提高LDO的输出精度，功率模块的输出电压为LDO最终的输出电压。本发明输入范围宽，占用芯片面积小，且电源抑制比高。
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