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公开(公告)号：CN116144160A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211531892.9
申请日：2022-12-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于先进复合材料科学技术领域，涉及自润滑复合材料及其制备，具体提供一种聚芳醚腈基自润滑多元复合材料及其制备方法，用以解决纯聚芳醚腈作为摩擦材料存在的摩擦磨损性能差的问题。本发明对纯聚芳醚腈进行填充改性，采用氮化硼、石墨烯或聚四氟乙烯作为固体润滑剂以降低摩擦系数与界面温度，同时采用增强纤维作为承重单元以延长转移膜的使用寿命，从而得到优异摩擦磨损性能、热性能稳定、低介电频率依赖性与低吸水率的聚芳醚腈基自润滑多元复合材料；并且，复合材料的制备工艺简单，产品加工精度高，加工成本低，可规模化生产，在工业设备和航空航天等领域中具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115322417A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210982779.6
申请日：2022-08-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高模量高耐热聚芳醚腈自增强薄膜的制备方法，属于特种高分子材料合成及加工工艺技术领域。本发明采用亲核取代反应合成羟基封端聚芳醚腈，与合成的邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈共混流延成膜时，利用其结晶性能作为邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈中的增强相提升其机械性能，高温环境下能够更有效提升体系交联反应速率、机械性能及耐热性能；同时，加入的低分子量羟基封端聚芳醚腈能作为低分子增塑剂，减弱高分子量邻苯二甲腈封端聚芳醚腈的加工难度。
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公开(公告)号：CN113388137B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110559514.0
申请日：2021-05-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高强度耐高温聚芳醚腈薄膜的制备方法，具体步骤如下：制备邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈；制备联苯型双邻苯二甲腈预聚体；将所得邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈粉末与联苯型双邻苯二甲腈预聚体粉末，共混溶解于N‑甲基吡咯烷酮中，加热搅拌得到透明溶液；流延法成膜升温，热处理，自然冷却得到高强度耐高温聚芳醚腈薄膜。本发明所获得的薄膜不仅具有高玻璃化转变温度和高拉伸强度和高模量，而且还能同时有着稳定的介电性能。
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公开(公告)号：CN109212336A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811242513.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明公开了一种便携式微弱电信号的低频噪声测试方法，其特征是：包括屏蔽室、防震台、屏蔽盒、偏置电路、放大电路、数据采集模块和数据处理模块。测试过程为：将样品置于低噪声偏置电路中，整体放入钼盒套铜盒的双层屏蔽单元中；通过施加偏置电压激发出待测样品的电噪声信号；噪声信号通过直流供电的低噪声放大器放大后，经基于USB接口的数据采集模块与数据处理模块，在笔记本电脑中完成时间序列和功率谱数据的存储与分析；将整个实验装置放于防震台上。本发明具有自动化程度高、背景噪声低、便携性强、应用广泛等特点。
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公开(公告)号：CN115172196B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202210724993.1
申请日：2022-06-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种考虑库伦散射的MOSFETs栅氧化层陷阱随位置分布的表征方法，选取漏极电压，对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；通过迭代方法确定除氧化层陷阱库伦散射之外其它所有散射机理决定的沟道载流子迁移率；通过迭代方法确定不同栅压下的库伦散射系数以及氧化层陷阱密度随位置的变化。本发明可应用于不同的偏置条件包括阈值电压附近及强反型区等，可应用于不同的陷阱位置分布，而不是局限于陷阱随位置均匀分布或指数分布，能反应同一类样品不同个体之间的差异性，且具有更强的精度，进而可用于评估MOSFETs的性能和可靠性，可进一步用于指导MOSFETs的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116041759B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211598334.4
申请日：2022-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种挠性覆铜板用高导热聚芳醚腈层间电介质薄膜及其制备方法，通过采用亲核取代反应合成羟基封端与邻苯二甲腈封端聚芳醚腈，与含硅氧苯并环丁烯、氮化硼纳米片共混流延成膜，再利用等温热处理提升复合材料结晶程度，以提升本征体系的导热系数；最后结合高温后固相化学反应加速氰基交联和BCB交联密度，提升复合材料的耐热性与机械强度，以最终获得一种高导热、高模量、高分解温度、高玻璃化转变温度、介电性能稳定且易加工的聚芳醚腈薄膜，制备工艺简单，效果明显，可规模化生产与应用。
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公开(公告)号：CN115172196A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210724993.1
申请日：2022-06-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种考虑库伦散射的MOSFETs栅氧化层陷阱随位置分布的表征方法，选取漏极电压，对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；通过迭代方法确定除氧化层陷阱库伦散射之外其它所有散射机理决定的沟道载流子迁移率；通过迭代方法确定不同栅压下的库伦散射系数以及氧化层陷阱密度随位置的变化。本发明可应用于不同的偏置条件包括阈值电压附近及强反型区等，可应用于不同的陷阱位置分布，而不是局限于陷阱随位置均匀分布或指数分布，能反应同一类样品不同个体之间的差异性，且具有更强的精度，进而可用于评估MOSFETs的性能和可靠性，可进一步用于指导MOSFETs的制造。
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公开(公告)号：CN106385271B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201610829484.X
申请日：2016-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于频控阵的安全通信方法及系统，其方法包括步骤：(1)产生扩频码；(2)对所述扩频码扩频得到发射阵元序列和子阵序号；(3)在每个阵元上加入相位偏移，并进行调制；(4)接收端采用相关器对接收到的信号进行解扩、解调；(5)对经过解扩后的信号进行判决，并计算误码率。本发明通过将扩频码的自相关特性引入到基于频控阵的方向调制中，频控阵相对于相控阵而言，在各阵元上附加了一个远小于载频的频偏，在波束上可以实现角度和距离上的双重控制，在角度和距离上提升了精度，即缩小了接收端的可解调范围，因此，基于频控阵的方向调制技术可以实现更高精度的物理层安全通信。
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公开(公告)号：CN104291376B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410440353.3
申请日：2014-10-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01G23/047
Abstract: 本发明公开了一种室温制备P25型二氧化钛的固相合成方法，该方法是以普通锐钛矿二氧化钛为原材料，在室温下采用反应球磨法对普通锐钛矿二氧化钛进行球磨，制得平均粒径为17纳米以下的P25型二氧化钛粉体材料，其晶相分布为锐钛矿/金红石晶相比为80/20。与现有技术相比，本发明采用球磨法使普通锐钛矿二氧化钛中20％的锐钛矿相发生相变为金红石相，合成均匀性、一致性好的性能优异的P25型二氧化钛粉体材料，且该种技术能耗低(室温下)，绿色环保(不向外排放无机、有机污染物)，机械化程度高，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN118909425A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411152982.6
申请日：2024-08-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: C08L71/10 , C08K7/10 , C08K7/00 , C08K3/38 , C08K9/04 , C08J5/18 , B32B15/20 , B32B15/08 , B32B27/28
Abstract: 本发明公开了一种高导热、低摩擦系数聚芳醚腈基复合薄膜材料的制备方法，属于多功能复合材料制备技术领域。本发明公开选用一维碳化硅晶须(SiCws)、二维氮化硼纳米片(BNNS)作为导热填料与增强体，多巴胺与聚乙烯酰亚胺为表面改性剂，聚芳醚腈作为聚合物基体。首先利用聚多巴胺和聚乙烯酰亚胺通过表面共沉积效应制备无机改性粒子，再结合溶液流延法将无机改性粒子以不同质量分数比与聚芳醚腈树脂溶液共混成膜，该方法不仅能有效改善填料在基体树脂中的团聚作用，还能加强填料与聚芳醚腈基体树脂间的界面相互作用，以获得一种高导热、低摩擦系数聚芳醚腈基复合薄膜材料，在高性能电子结构件中具有巨大的应用潜力，可规模化生产与应用。
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