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公开(公告)号：CN102257607A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151713.5
申请日：2009-12-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 乔治·M·葛梅尔 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 一种离子均匀性监控装置，被定位在等离子体制程室内且包括多个感测器，这些感测器位于等离子体制程室内的工件上方一段距离之处。这些感测器经配置以侦测从暴露于等离子体制程的工件的表面发射出来的二次电子的数量。每个感测器输出与侦测到的二次电子成正比的电流信号。一电流比较电路输出由多个电流信号的每个电流信号而得出的处理后的信号。等离子体处理过程中侦测到从工件上发射出来的二次电子显示出工件表面的均匀性特征，且二次电子的侦测可在线上等离子体处理过程中原位执行。
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