公开(公告)号：CN113745323A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110564286.6

申请日：2021-05-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 后藤洋太郎 ,  永久克己 ,  野村佳广

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。栅极电极经由第一绝缘膜而形成在n型源极区域和n型漏极区域之间的半导体衬底上。第一绝缘膜具有在平面视图中彼此相邻的第二绝缘膜和第三绝缘膜，并且在栅极电极的栅极长度方向上，第二绝缘膜位于n型源极区域侧，而第三绝缘膜位于n型漏极区域侧。第二绝缘膜比第三绝缘膜更薄。第三绝缘膜由层叠膜制成，层叠膜具有在半导体衬底上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜以及在第二绝缘膜上的第三绝缘膜，并且这三个绝缘膜的每个带隙大于第二绝缘膜的带隙。

公开(公告)号：CN108807436A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810362139.9

申请日：2018-04-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高桥史年 ,  国清辰也 ,  佐藤英则 ,  后藤洋太郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件，其在不增加半导体芯片面积的情况下提高背面照射CMOS图像传感器的暗电流特性和传输效率。在CMOS图像传感器中，像素包括传输晶体管和具有pn结的光电二极管。在平面图中，通过隔离绝缘膜在构成光电二极管的n型区域上方形成反射层。反射层通过帽绝缘膜在传输晶体管的栅极电极上方延伸。第一层信号布线通过在栅极电极上方的层间绝缘膜中制作的接触孔电耦合到栅极电极和反射层两者，因此相同的电势被施加到栅极电极和反射层。

公开(公告)号：CN208521936U

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201820806159.6

申请日：2018-05-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 后藤洋太郎 ,  国清辰也 ,  佐藤英则

IPC: H01L27/146

Abstract: 本实用新型提供一种固态摄像元件，在具有沿纵向层叠的两个以上半导体衬底的固态摄像元件中，通过微细的插塞将半导体衬底彼此之间电连接。将覆盖具有受光元件的半导体衬底(SB1)的第一背面的绝缘膜(IF1)与覆盖搭载有半导体元件的半导体衬底(SB2)的第二主面的层间绝缘膜(IL2)彼此接合。在该接合面，贯穿绝缘膜(IF1)的插塞(PG1)与埋入层间绝缘膜(IL2)的上表面的连接孔内的插塞(PG2)接合，上述受光元件与上述半导体元件经由插塞(PG1、PG2)而电连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利