扩片方法以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN113366080B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202080011754.0

    申请日:2020-01-29

    Abstract: 本发明提供一种扩片方法,该方法包括:使贴合有多个半导体装置(CP)的第1片(10)伸展,以扩大多个半导体装置(CP)的间隔的工序,多个半导体装置(CP)分别具有第1半导体装置面(W1)、和第1半导体装置面(W1)的相反侧的第2半导体装置面(W3),多个半导体装置(CP)分别是在第2半导体装置面(W3)与上述第1片(10)之间包含着保护层(100)而贴合的。

    固晶膜、切割固晶片及半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN111466015A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201980006405.7

    申请日:2019-03-20

    Inventor: 布施启示

    Abstract: 本发明提供一种固晶膜,其包含第一层与设置在该第一层上的第二层,该第一层具有熔融黏度的初始检测温度为75℃以下的特性;该第二层具有粘着性及能量射线固化性;所述固晶膜还具有以下特性:将厚度为10μm且宽度大于25mm的该第二层作为试验片,将该试验片贴附在硅镜面晶圆上,以使宽度为25mm的方式切断该试验片,将切断后的该试验片与该硅镜面晶圆一同在纯水中浸渍2小时,使浸渍后的该试验片能量射线固化而制成固化物,从而制作在该硅镜面晶圆上贴附有该固化物的试验用层叠体时,宽度为25mm的该固化物与该硅镜面晶圆之间的粘着力为6N/25mm以上。

    固晶膜、切割固晶片及半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN111466015B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201980006405.7

    申请日:2019-03-20

    Inventor: 布施启示

    Abstract: 本发明提供一种固晶膜,其包含第一层与设置在该第一层上的第二层,该第一层具有熔融黏度的初始检测温度为75℃以下的特性;该第二层具有粘着性及能量射线固化性;所述固晶膜还具有以下特性:将厚度为10μm且宽度大于25mm的该第二层作为试验片,将该试验片贴附在硅镜面晶圆上,以使宽度为25mm的方式切断该试验片,将切断后的该试验片与该硅镜面晶圆一同在纯水中浸渍2小时,使浸渍后的该试验片能量射线固化而制成固化物,从而制作在该硅镜面晶圆上贴附有该固化物的试验用层叠体时,宽度为25mm的该固化物与该硅镜面晶圆之间的粘着力为6N/25mm以上。

    扩片方法以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN113366080A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202080011754.0

    申请日:2020-01-29

    Abstract: 本发明提供一种扩片方法,该方法包括:使贴合有多个半导体装置(CP)的第1片(10)伸展,以扩大多个半导体装置(CP)的间隔的工序,多个半导体装置(CP)分别具有第1半导体装置面(W1)、和第1半导体装置面(W1)的相反侧的第2半导体装置面(W3),多个半导体装置(CP)分别是在第2半导体装置面(W3)与上述第1片(10)之间包含着保护层(100)而贴合的。

    扩片方法及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN113366079A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202080011743.2

    申请日:2020-01-29

    Abstract: 本发明提供一种扩片方法,该方法包括:在具有第1晶片面和第2晶片面的晶片的第2晶片面粘贴具有第1粘合剂层(12)和第1基材(11)的第1粘合片(10),切入了深度50μm的切痕的第1基材(11)的拉伸伸长率为300%以上,从第1晶片面侧切入切痕,将晶片单片化为多个芯片(CP),进一步将第1粘合片(10)的第1粘合剂层(12)切断,使第1粘合片(10)伸展,从而扩大多个芯片的间隔(CP)。

    树脂膜形成用膜及树脂膜形成用复合片

    公开(公告)号:CN110831766A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201880042700.3

    申请日:2018-05-11

    Inventor: 布施启示

    Abstract: 本发明提供一种树脂膜形成用膜,其满足以下的条件(i)及(ii):(i)使用层叠多片所述树脂膜形成用膜而成的、大小为50mm×50mm、厚度为200μm的第一层叠体制成第一试验片,将该第一试验片在纯水中浸渍了2小时时,所述第一试验片的吸水率为0.55%以下;(ii)使用将所述树脂膜形成用膜贴附在硅镜面晶圆上而成的第二层叠体制成第二试验片,使该第二试验片在23℃、50%RH的环境下经时30分钟时及将该经时后的第二试验片在纯水中浸渍了2小时时、即在浸渍前后,对树脂膜形成用膜或其固化物与硅镜面晶圆之间的粘着力进行测定时,粘着力变化率为60%以下。

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