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公开(公告)号：CN112400216A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201980042664.5
申请日：2019-06-04
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/38 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种即便使用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。作为解决手段的所述半导体加工用粘着胶带为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的断裂能为13～80MJ/m3。
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公开(公告)号：CN111868193A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980020566.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/38 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 作为技术问题，本发明的目的在于，特别是在采用预切割法而制造微小的半导体芯片时，减少将芯片21从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印不良。此外，本发明的目的在于，改善将芯片从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印效率。作为解决手段，本发明提供一种粘着胶带10，所述粘着胶带10的特征在于，其优选被用作为上述背磨胶带，其包含基材11与设置在该基材11的一面的粘着剂层12，所述粘着剂层12由能量射线固化性粘着剂构成，照射能量射线而固化后的粘着剂的200℃下的储能模量E’200为1.5MPa以上。
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公开(公告)号：CN111868192A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980020459.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/38 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 作为技术问题，本发明的目的在于，特别是在采用预切割法而制造微小的半导体芯片时，减少将芯片21从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印不良。此外，本发明的目的在于，改善将芯片从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印效率。作为解决手段，本发明提供一种粘着胶带10，所述粘着胶带10的特征在于，其优选被用作为上述背磨胶带，其包含基材11与设置在该基材11的一面的粘着剂层12，所述粘着剂层12由能量射线固化性粘着剂构成，将硅晶圆镜面贴附于所述粘着剂层12后，对粘着剂层照射能量射线而进行固化，进一步在压力0.5N/cm2、210℃的条件下热压接5秒钟后的23℃下的粘着力为9.0N/25mm以下。
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公开(公告)号：CN111868190A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980020569.5
申请日：2019-02-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , B32B27/00 , C09J7/38 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种即使在所谓的预切割法之后进行干式抛光时，也能够稳定地保持芯片等的粘着胶带。所述粘着胶带在对半导体晶圆表面形成有沟槽的半导体晶圆的背面进行磨削，并通过该磨削使半导体晶圆单颗化为半导体芯片后，进行干式抛光的工序中，贴附于半导体晶圆表面而进行使用，所述粘着胶带包含基材、及设置在该基材的一面的粘着剂层，60℃下的所述基材的拉伸储能模量为250Mpa以上。
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公开(公告)号：CN109743881A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201780055585.9
申请日：2017-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/304 , C09J4/02 , C09J133/00 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种即便使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂的半导体加工用粘着胶带。所述半导体加工用粘着胶带为具有在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材与设置于基材的至少一面侧的粘着剂层的粘着胶带，将所述粘着剂层的厚度设为(N)[μm]、蠕变量设为(C)[μm]时，(N)与(C)的乘积(N)×(C)在30℃下为500以上、且在60℃下为9000以下。
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