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公开(公告)号：CN111209712A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201811401265.7
申请日：2018-11-22
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G06F30/30
Abstract: 本发明公开了一种获取晶体振荡器工作电压的系统、方法、芯片，包括时间检测模块，检测晶体振荡器的死区时间；控制电路与时间检测模块和晶体振荡器连接，根据时间检测模块检测到的死区时间向晶体振荡器提供输入电压，当晶体振荡器的死区时间大于或等于预设阈值时，重复调高晶体振荡器的输入电压并检测晶体振荡器的死区时间的步骤直至晶体振荡器的死区时间小于预设阈值以得到晶体振荡器的工作电压。本发明根据晶体振荡器的死区时间重复调节晶体振荡器的输入电压以得到晶体振荡器的工作电压，经过多次迭代选取合适的晶体振荡器工作电压，在保证晶体振荡器能够正常工作的情况下，有效降低的电路降低整体功耗，输出稳定的振荡频率，降低芯片功耗。
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公开(公告)号：CN110888087B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810947706.7
申请日：2018-08-20
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种版图互连线缺陷检查系统及其检查方法，所述版图为多层金属互连结构，所述相邻两层金属之间通过通孔堆叠连接，根据检查目标确定网络节点；根据网络节点确定各层金属间、各通孔堆叠间、金属层和通孔堆叠之间的连通节点；依次选取金属层进行运算得到理论金属层，比较选取的金属层与对应理论金属层得到该金属层缺陷瓶颈；依次选取通孔堆叠进行运算得到通孔堆叠的缺陷瓶颈。本发明通过版图图形的连通性，通过设定的阈值进行运算和筛选操作，获取金属层和通孔堆叠瓶颈缺陷的具体区域和形状，提高检查效率和准确性。
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公开(公告)号：CN111063671A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911236369.1
申请日：2019-12-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种芯片，该芯片包括：基板，层叠的第一金属层及第二金属层，第二金属层位于基板的表面或靠近表面；位于基板内的第一模块、第二模块及第三模块；用于将第一模块与第二模块的连接引入到基板表面的第一连接链路，用于将第三模块连接点引入到基板表面的第二连接链路。在上述技术方案中，通过设置的第一连接链路及第二连接链路将第一模块、第二模块以及第三连接模块的连接端引入到基板的表面金属层，在需要进行FIB修改时，可以方便的将第一模块与第二模块之间的连接切断，并将第三模块与第二模块连接，降低了其他器件的影响。
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公开(公告)号：CN210444243U
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201921722789.6
申请日：2019-10-14
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H03K17/08
Abstract: 本实用新型公开了一种开关电路及芯片，涉及集成电路技术领域，该开关电路包括隔离开关以及二级开关，所述二级开关的输入端用于与低压模块连接，所述二级开关的输出端与所述隔离开关的输入端连接，所述隔离开关的输出端用于与芯片的IO引脚连接。本实用新型的有益效果是：通过所述隔离开关与所述二级开关串联，使得隔离开关两端的电压以及所述二级开关两端的电压能够保证晶体管的源漏结耐压，以防止电路被高压信号损坏。
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公开(公告)号：CN109411528B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201811258510.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种电阻等效二极管结构，包括Psub衬底，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的N+区(或P+区)组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层N+(或P+)和高浓度衬底P+ring(或N+ring)的反向偏置二极管核心区；此为电阻等效二极管结构。本发明提出的是一种电阻等效二极管的结构，电路设计时节省独立二极管器件，只需设计真实的电阻器件。而需要实现二极管的功能则在集成电路版图中通过改变传统电阻器件的结构，在电阻两极设计等效二极管，即一种电阻器件同时实现两种功能。此种电阻等效的二极管组合也能全方位的实现电荷泄放能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109525223B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811399709.8
申请日：2018-11-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H03K3/012
Abstract: 本发明公开了一种获取晶体振荡器工作电流的系统、方法、芯片，包括时间检测模块，检测晶体振荡器的死区时间；控制电路与时间检测模块和晶体振荡器连接，根据时间检测模块检测到的死区时间向晶体振荡器提供输入电流，当晶体振荡器的死区时间大于或等于预设阈值时，重复调高晶体振荡器的输入电流并检测晶体振荡器的死区时间的步骤直至晶体振荡器的死区时间小于预设阈值以得到晶体振荡器的工作电流。本发明根据晶体振荡器的死区时间重复调节晶体振荡器的输入电流以得到晶体振荡器的工作电流，经过多次迭代选取合适的晶体振荡器工作电流，在保证晶体振荡器能够正常工作的情况下，有效降低的电路降低整体功耗，输出稳定的振荡频率，降低芯片功耗。
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公开(公告)号：CN109525223A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811399709.8
申请日：2018-11-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H03K3/012
Abstract: 本发明公开了一种获取晶体振荡器工作电流的系统、方法、芯片，包括时间检测模块，检测晶体振荡器的死区时间；控制电路与时间检测模块和晶体振荡器连接，根据时间检测模块检测到的死区时间向晶体振荡器提供输入电流，当晶体振荡器的死区时间大于或等于预设阈值时，重复调高晶体振荡器的输入电流并检测晶体振荡器的死区时间的步骤直至晶体振荡器的死区时间小于预设阈值以得到晶体振荡器的工作电流。本发明根据晶体振荡器的死区时间重复调节晶体振荡器的输入电流以得到晶体振荡器的工作电流，经过多次迭代选取合适的晶体振荡器工作电流，在保证晶体振荡器能够正常工作的情况下，有效降低的电路降低整体功耗，输出稳定的振荡频率，降低芯片功耗。
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公开(公告)号：CN109326593A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811333245.0
申请日：2018-11-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种ESD保护装置、IO电路及其ESD保护方法，该装置包括：一级MOS保护电路，用于若发生正向静电放电，则形成用于起到ESD保护作用的第一放电通路；若发生负向静电放电，则形成用于起到ESD保护作用的第二放电通路；次级二极管保护电路，用于若发生所述正向静电放电，则基于第一放电通路增加一条到电源泄放正电荷的第一泄放通路；若发生所述负向静电放电，则基于第二放电通路增加一条到地泄放负电荷的第二泄放通路。本发明的方案，可以解决IO PAD中的ESD电路结构的抗ESD能力受限于晶体管在版图上的面积的问题，达到抗ESD能力不受晶体管在版图上的面积限制的效果。
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公开(公告)号：CN109008678A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811210411.8
申请日：2018-10-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: A47J41/00
CPC classification number: A47J41/00 , A47J41/0022
Abstract: 本发明公开了一种冷热一体的保温壶，其中，包括第一壳体和第二壳体，第二壳体套设在第一壳体的外部，第一壳体内部的空腔为热水容置腔，第二壳体与第一壳体之间的空腔为冷水容置腔。本发明的冷热一体的保温壶相比较其他保温壶，能在一个壶内同时独立储存热水和凉(室温)水，使用者可以根据自己的需求倒出热水、凉水，或者自行混合成所需要的不同温度的水；此外，热水容置腔外壁同时作为冷水容置腔的内壁，在盛入热水时，热水容置腔内的水会保持高温，而冷水容置腔的热水会逐渐放热降温变冷，同时又为热水容置腔提供相对高温的环境，相应的延长保温时长。
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公开(公告)号：CN111193506A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201811354080.5
申请日：2018-11-14
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明公开了一种带电压隔离功能的低功耗PMOS管衬底切换电路，包括衬底切换控制单元、衬底切换单元、第一电压输入端、第二电压输入端、衬底电压输出端，衬底切换控制单元产生合理的判断逻辑信号，用于控制衬底切换单元，将衬底电压输出端始终连接到第一电压输入端、第二电压输入端的最高电位，包括若干PMOS管、第二弱下拉器件，衬底切换单元将PMOS管的衬底始终连接到第一电压输入端、第二电压输入端的最高电位，包括若干PMOS管、弱下拉器件，PMOS管、弱下拉器件为低耐压器件，本发明采取器件耐压隔离方法，使得器件的耐压值控制在安全工作范围以内，达到使用低耐压器件实现高耐压值的自动衬底切换电路，电源电压差分辨率高，功耗消耗低。既降低了芯片生产制造成本，也提高了芯片耐压兼容性，拓宽了芯片应用范围。
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