功率半导体器件的测量系统、测量方法及其测量装置

    公开(公告)号:CN117031236A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311184701.0

    申请日:2023-09-13

    Inventor: 冯尹 张鹏

    Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件的测量系统、测量方法及其测量装置。测量系统包括:第一均衡电路,其中各第一支路与第一测试探针连接,第一测试探针用于接触待测量的功率半导体器件的漏极;第二均衡电路,其中各第二支路与功率半导体器件的源极第二测试探针连接,第二测试探针用于接触待测量功率半导体器件的源极;第一开关模块,分别与第一均衡电路和第二均衡电路电连接,用于使导通的第一支路的数量与待测量功率半导体器件的漏极对应的第一测试探针数量相同,第二支路的数量与待测量功率半导体器件的源极对应的第二测试探针数量相同;放大模块,用于输出功率半导体器件的放大电压。该测量系统可以提高对功率半导体器件的导通电阻测量的准确性。

    碳化硅半导体结构的制作方法和碳化硅半导体结构

    公开(公告)号:CN116779427B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311071504.8

    申请日:2023-08-24

    Inventor: 冯尹 张鹏

    Abstract: 本发明提供了一种碳化硅半导体结构的制作方法和碳化硅半导体结构,该方法包括:提供第一基底层,其中,第一基底层的材料为碳化硅;对第一基底层的表面进行第一热氧化处理,形成第一氧化层,并去除第一氧化层,得到第二基底层;对第二基底层的表面进行第二热氧化处理,形成第二氧化层,并去除第二氧化层,得到第三基底层,第二热氧化处理的温度小于第一热氧化处理的温度,第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度;对第三基底层的表面进行第三热氧化处理,形成栅氧化层,第三热氧化处理的温度小于第二热氧化处理的温度。该方法解决了栅氧化层进行热氧化过程中在界面处形成C残留,导致沟道迁移率退化并影响栅氧化层性能的问题。

    一种碳化硅二极管制备方法及碳化硅二极管

    公开(公告)号:CN116884841A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310892312.7

    申请日:2023-07-19

    Inventor: 张鹏 冯尹

    Abstract: 本发明实施例提供了一种碳化硅二极管制备方法及碳化硅二极管,所述方法包括,在碳化硅外延片的P型外延层制备一类N型注入区和二类N型注入区;在外延层上制备二氧化硅层覆盖一类N型注入区、二类N型注入区以及两者之间的部分型外延层;在二氧化硅层上制备多晶硅层,刻蚀多晶硅层、二氧化硅层,露出碳化硅P型外延层;在多晶硅层及露出的外延层上制备第一金属层;在衬底远离外延层的一面制备第二金属层。本发明提供的方法相比于传统的二极管结构,增加了导电通道,从而降低导通电阻,能够降低器件的开关损耗,从而提高碳化硅二极管的整体性能;无需进行铝离子注入,能够简化器件制造工艺,有效降低生产成本。

    半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测量方法

    公开(公告)号:CN116825624A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310836567.1

    申请日:2023-07-07

    Inventor: 冯尹 张鹏

    Abstract: 本发明提供一种半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测试方法,该装置包括图形结构和定位结构;图形结构具有相背设置的淀积面和定位面,图形结构按预设图形形状沿预设方向开设有若干淀积孔,且各淀积孔贯穿淀积面和定位面;定位结构与图形结构连接,定位结构用于对待淀积的半导体晶圆定位,以使得半导体晶圆与图形结构的定位面平行,且对齐图形结构的各淀积孔。通过图形结构上的具有预设图形形状的淀积孔对半导体晶圆进行金属淀积,使得该半导体晶圆无需经过光刻、刻蚀的工序步骤,有效地精简了欧姆接触的检测工序,且能够缩短检测的时间,在产品出现异常时,能够更快地发现,减少受影响的产品的数量。

    一种基于微波雷达的语音设备控制方法、系统及存储介质

    公开(公告)号:CN115174291A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210576158.8

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本申请公开了一种基于微波雷达的语音设备控制方法、系统及存储介质。其中,所述方法包括:接收微波检测信号,其中,所述微波检测信号是对目标区域进行微波扫描后得到的检测信号;根据所述微波检测信号,判断所述目标区域内的用户行为姿态是否处于预设姿态的范围;若所述目标区域内的用户行为姿态处于预设姿态的范围,根据所述目标区域内的用户行为姿态控制所述语音设备运行。解决现有技术中语音设备无法根据用户的姿态自动调整播放模式的问题,实现语音设备音量及播放模式的动态调节,提升用户语音交互体验。

    一种模式确定方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114995196A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210287586.9

    申请日:2022-03-22

    Abstract: 本申请提供了一种模式确定方法、装置、电子设备及存储介质,属于智能家电技术领域。本申请通过,获取目标设备的设备信息及所述目标设备对应的对象信息,所述对象信息为使用所述设备的对象的信息;将所述设备信息和所述对象信息输入至知识图谱中,以使所述知识图谱输出与所述目标设备对应的安全等级,其中,所述知识图谱是预先基于至少一个样本设备对应的样本设备信息,以及,每个所述样本设备对应的样本对象信息构建的;基于所述安全等级确定所述目标设备对应的目标运行模式。以实现通过设备对应的安全等级为设备匹配适合的运行模式,从而保证对象安全使用。

    筛选用户指令响应设备的方法、存储介质及电子装置

    公开(公告)号:CN114942598A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202210499157.8

    申请日:2022-05-09

    Abstract: 本发明提供了一种筛选用户指令响应设备的方法、存储介质及电子装置,筛选用户指令响应设备的方法包括:获取接收到用户语音指令的设备所传出的指令信息;获取用户信息,用户信息包括用户位置和运动倾向;获取与云端后台连接的所有设备的设备信息,设备信息包括设备类型和设备位置;根据用户信息和设备信息,筛选出所有设备中的一个设备以用于响应用户语音指令。本发明的筛选用户指令响应设备的方法解决了现有技术中的多个具有语音功能的设备之间完全独立甚至在使用时会发生互相干扰的问题。

    一种基于知识图谱控制设备的方法及装置

    公开(公告)号:CN114500143A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210135500.0

    申请日:2022-02-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于知识图谱控制设备的方法及装置。该发明包括:接收目标对象发出的语音指令,并解析语音指令中包含的信息;获取预设知识图谱,并依据信息以及预设知识图谱,确定目标设备以及目标控制指令,其中,目标控制指令为在预设知识图谱中与目标设备存在映射关系的控制指令,其中,目标控制指令至少包含目标设备待执行的目标控制参数;将目标控制指令发送至目标设备,并控制目标设备依据目标控制参数动作。通过本发明,解决了相关技术中老人身体较为虚弱以及健忘,建立了知识图谱,设置合适参数范围以及简化指令信息的问题。

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