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公开(公告)号：CN110970400A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811139543.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率电感集成芯片及其封装制造方法，包括功率电感组件和电源芯片，电源芯片设置有引脚，电源芯片上设有连接槽，引脚设于连接槽中，功率电感组件包括封装体、线圈绕组和导电卡扣，封装体包覆线圈绕组，线圈绕组有两输出端，导电卡扣与输出端连接、且导电卡扣设于封装体外，功率电感组件和电源芯片连接时导电卡扣插入连接槽中，其端部与引脚连接，本发明设置导电卡扣与连接槽，通过导电卡扣将功率电感集成到电源芯片，利用封装芯片的设备制造电感值，减少制造的误差范围，提高功率电感的精度，减少电感因为振荡等原因导致焊接松脱的可能，提高电源系统的可靠性，减少整体电源的体积，有助于便携电子产品的微型化，客户使用方便。
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公开(公告)号：CN109411528A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811258510.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种电阻等效二极管结构，包括Psub衬底，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的N+区(或P+区)组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层N+(或P+)和高浓度衬底P+ring(或N+ring)的反向偏置二极管核心区；此为电阻等效二极管结构。本发明提出的是一种电阻等效二极管的结构，电路设计时节省独立二极管器件，只需设计真实的电阻器件。而需要实现二极管的功能则在集成电路版图中通过改变传统电阻器件的结构，在电阻两极设计等效二极管，即一种电阻器件同时实现两种功能。此种电阻等效的二极管组合也能全方位的实现电荷泄放能力。
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公开(公告)号：CN110491849B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910652078.4
申请日：2019-07-18
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/60
Abstract: 本发明涉及一种芯片、输入输出结构和垫层，所述垫层包括沿靠近芯片器件的方向依次设置的第一金属层、第二金属层组和第三金属层组；所述第二金属层组包括相互独立的导通区、输入输出电源区和输入输出地区，所述导通区分别通过通孔层与所述第一金属层和所述第三金属层组连接，所述第一金属层与封装框架连接，所述第三金属层组、所述输入输出电源区和所述输入输出地区分别与芯片内的防静电MOS场效应管连通。输入输出电源区和输入输出地区被释放出来，分别形成电源和地的走线，减小电源和地的电阻，增强了防静电MOS场效应管的泄放通路，提升输入输出结构的防静电能力；减化了垫层设计，减小了输入输出结构的面积，极大地提高了芯片的封装便捷性。
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公开(公告)号：CN112583405B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910944091.7
申请日：2019-09-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种ADC误差自动校正方法、装置、模数转换电路及存储介质，其中，该方法通过参考比例生成电路生成至少两路分别与参考输入电压信号构成预设比例的预设输入电压信号；基于预设转换规则，通过预设输入电压信号得到ADC校正用对应的失调误差值和增益误差值；基于失调误差值和增益误差值，对获取的待校正输入电压信号进行校正，就此，通过参考比例生成电路生成与参考输入电压信号构成预设比例的预设输入电压信号，就可以不用知道参考源具体值的情况下满足各种类型ADC的增益误差值和失调误差值的校正。而且，本实施例的校正过程完全自动化，不需要借助外部的校正工具以及专业人员的校正操作，节约了人力成本和操作工时，并且校正效果准确。
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公开(公告)号：CN112583405A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910944091.7
申请日：2019-09-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种ADC误差自动校正方法、装置、模数转换电路及存储介质，其中，该方法通过参考比例生成电路生成至少两路分别与参考输入电压信号构成预设比例的预设输入电压信号；基于预设转换规则，通过预设输入电压信号得到ADC校正用对应的失调误差值和增益误差值；基于失调误差值和增益误差值，对获取的待校正输入电压信号进行校正，就此，通过参考比例生成电路生成与参考输入电压信号构成预设比例的预设输入电压信号，就可以不用知道参考源具体值的情况下满足各种类型ADC的增益误差值和失调误差值的校正。而且，本实施例的校正过程完全自动化，不需要借助外部的校正工具以及专业人员的校正操作，节约了人力成本和操作工时，并且校正效果准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111193506A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201811354080.5
申请日：2018-11-14
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明公开了一种带电压隔离功能的低功耗PMOS管衬底切换电路，包括衬底切换控制单元、衬底切换单元、第一电压输入端、第二电压输入端、衬底电压输出端，衬底切换控制单元产生合理的判断逻辑信号，用于控制衬底切换单元，将衬底电压输出端始终连接到第一电压输入端、第二电压输入端的最高电位，包括若干PMOS管、第二弱下拉器件，衬底切换单元将PMOS管的衬底始终连接到第一电压输入端、第二电压输入端的最高电位，包括若干PMOS管、弱下拉器件，PMOS管、弱下拉器件为低耐压器件，本发明采取器件耐压隔离方法，使得器件的耐压值控制在安全工作范围以内，达到使用低耐压器件实现高耐压值的自动衬底切换电路，电源电压差分辨率高，功耗消耗低。既降低了芯片生产制造成本，也提高了芯片耐压兼容性，拓宽了芯片应用范围。
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公开(公告)号：CN111081701A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811220260.4
申请日：2018-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请涉及一种差分电路和模拟集成电路，将差分电路中的差分管和负载管的分管设置在dummy管之间，并设置为第一差分管的分管到dummy管的分管的有源区长度等于第二差分管的分管到dummy管的分管的有源区长度，第一负载管的分管到dummy管的分管的有源区长度等于第二负载管的分管到dummy管的分管的有源区长度，使得第一差分管和第二差分管的分管周围的环境一致，以及第一负载管与第二负载管的分管周围的环境一致，从而获得良好的工艺匹配，降低加工过程中LOD效应对核心器件的影响。此外，利用dummy管使阱边缘远离差分管和负载管，从而降低WPE效应。如此，可保证在深亚微米工艺条件下有效降低LOD效应和WPE效应对电路的影响，提高了深亚微米工艺条件下的电路性能。
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公开(公告)号：CN110491849A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910652078.4
申请日：2019-07-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/60
Abstract: 本发明涉及一种芯片、输入输出结构和垫层，所述垫层包括沿靠近芯片器件的方向依次设置的第一金属层、第二金属层组和第三金属层组；所述第二金属层组包括相互独立的导通区、输入输出电源区和输入输出地区，所述导通区分别通过通孔层与所述第一金属层和所述第三金属层组连接，所述第一金属层与封装框架连接，所述第三金属层组、所述输入输出电源区和所述输入输出地区分别与芯片内的防静电MOS场效应管连通。输入输出电源区和输入输出地区被释放出来，分别形成电源和地的走线，减小电源和地的电阻，增强了防静电MOS场效应管的泄放通路，提升输入输出结构的防静电能力；减化了垫层设计，减小了输入输出结构的面积，极大地提高了芯片的封装便捷性。
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公开(公告)号：CN111209712B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201811401265.7
申请日：2018-11-22
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G06F30/30
Abstract: 本发明公开了一种获取晶体振荡器工作电压的系统、方法、芯片，包括时间检测模块，检测晶体振荡器的死区时间；控制电路与时间检测模块和晶体振荡器连接，根据时间检测模块检测到的死区时间向晶体振荡器提供输入电压，当晶体振荡器的死区时间大于或等于预设阈值时，重复调高晶体振荡器的输入电压并检测晶体振荡器的死区时间的步骤直至晶体振荡器的死区时间小于预设阈值以得到晶体振荡器的工作电压。本发明根据晶体振荡器的死区时间重复调节晶体振荡器的输入电压以得到晶体振荡器的工作电压，经过多次迭代选取合适的晶体振荡器工作电压，在保证晶体振荡器能够正常工作的情况下，有效降低的电路降低整体功耗，输出稳定的振荡频率，降低芯片功耗。
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公开(公告)号：CN111063671B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201911236369.1
申请日：2019-12-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种芯片，该芯片包括：基板，层叠的第一金属层及第二金属层，第二金属层位于基板的表面或靠近表面；位于基板内的第一模块、第二模块及第三模块；用于将第一模块与第二模块的连接引入到基板表面的第一连接链路，用于将第三模块连接点引入到基板表面的第二连接链路。在上述技术方案中，通过设置的第一连接链路及第二连接链路将第一模块、第二模块以及第三连接模块的连接端引入到基板的表面金属层，在需要进行FIB修改时，可以方便的将第一模块与第二模块之间的连接切断，并将第三模块与第二模块连接，降低了其他器件的影响。
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