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公开(公告)号：CN1705912A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200380101900.5
申请日：2003-10-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G03F1/08
Abstract: 本发明提供了一种图案形成材料体，该图案形成材料体包括：在目标衬底上形成的热敏材料层；在热敏材料层和目标衬底之间形成的第一光/热转换层；和在热敏材料层与第一光/热转换层相对的表面上形成的第二光/热转换层，该热敏材料层置于第一和第二光/热转换层之间。使用在热敏材料层的两个表面上形成的第一和第二光/热转换层中产生的热，能够在由光致抗蚀剂制成的热敏材料层中形成宽高比更高的精细图案。
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12.发明公开公开(公告)号：CN1656607A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03811443.7
申请日：2003-03-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/324
Abstract: 提供使用通过加热引发的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法，使用该方法形成的化合物半导体和化合物绝缘体，以及包括该化合物半导体或化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和存储器。制造化合物半导体或化合物绝缘体的该方法包括：形成叠层结构，其包括置于含氧和/或硫的电介质层之间的对氧和/或硫是高度活性的稀土过渡金属中间层；以及加热该叠层结构，从而在电介质层与中间层之间引发化学反应和扩散，其中为了化合物半导体和化合物绝缘体，在不同温度下进行该加热。
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公开(公告)号：CN1653533A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03811109.8
申请日：2003-05-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种简单－结构的无掩模层记录媒体和信息记录和复制方法，它们解决在复制过程中产生的相关热稳定性问题。记录媒体包括在第一和第二介电层之间的高熔点记录层。在记录媒体上记录信息的方法，包括激光束照射到记录媒体上以在高熔点的记录层和第一和第二介电层中引发反应和扩散。通过上述方法，复制记录在这种超分辨率近场记录媒体上信息的方法，包括利用高熔点记录层和第一和第二介电层的结晶颗粒产生等离子体振子作为散射源，以复制记录在记录层中的信息，不管所使用激光衍射极限。
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公开(公告)号：CN100365719C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN03811109.8
申请日：2003-05-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种简单-结构的无掩模层记录媒体和信息记录和复制方法，它们解决在复制过程中产生的相关热稳定性问题。记录媒体包括在第一和第二介电层之间的高熔点记录层。在记录媒体上记录信息的方法，包括激光束照射到记录媒体上以在高熔点的记录层和第一和第二介电层中引发反应和扩散。通过上述方法，复制记录在这种超分辨率近场记录媒体上信息的方法，包括利用高熔点记录层和第一和第二介电层的结晶颗粒产生等离子体振子作为散射源，以复制记录在记录层中的信息，不管所使用激光衍射极限。
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公开(公告)号：CN1316455C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN03822852.1
申请日：2003-09-24
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B5/62
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/24 , G11B7/258 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 提供一种包括包含高熔点金属氧化物或氧化硅的掩蔽层的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质。更具体地讲，提供一种具有超分辨率近场结构的高密度记录介质，其包括依次堆叠的第二电介质层、记录层、保护层、掩蔽层、第一电介质层和聚碳酸酯层，其中掩蔽层包括高熔点金属氧化物或氧化硅以通过光或热诱导高熔点金属氧化物或氧化硅的结晶结构和光学特性中的物理变化来产生近场。
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公开(公告)号：CN1768379A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480008389.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/252 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/266
Abstract: 一种使用在其上已经预记录了信息的超高解析近场结构(Super－RENS)来实现载噪比(CNR)的只读记录介质，其包括：基底，将所述信息记录在其表面上；反射层，其在所述基底上面由相变材料构成；第一电介质层，其形成在所述反射层上面；和掩膜层，其在所述第一电介质层上面由金属氧化物或纳米颗粒构成。
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公开(公告)号：CN101243505A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680029340.0
申请日：2006-08-08
Abstract: 一种光记录介质(10)，被设计为依次具有基板(12)、第一电介质层(14)、记录层(16)、第二电介质层(18)、超分辨率层(20)以及第三电介质层(22)，该超分辨率层(20)由在以规定照射功率的DC光照射1～300秒钟时产生空隙的材料构成，从而，能够在使再现激光的照射功率不依赖记录标记大小的情况下进行超分辨率再现。
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