一种传输光子轨道角动量的光子晶体光纤

    公开(公告)号:CN108318965A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201810265610.2

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种传输光子轨道角动量的光子晶体光纤,其包括环形纤芯、环形微孔层以及包层,环形纤芯和包层均采用石英;环形纤芯内设有与其共圆心的纤芯空气孔;环形微孔层设于环形纤芯外侧,环形微孔层上开设有形状相同的微孔,多个微孔等间距布置并共同形成近圆环形区域,近圆环形区域与纤芯空气孔共圆心,近圆环形区域沿光纤轴向向外依次布置有至少一个;近圆环形区域上的微孔的数量为该近圆环形区域序数*6;每一近圆环形区域上的相邻两微孔之间沿光纤轴向形成长条状的支撑壁;包层设于环形微孔层外侧,并与环形纤芯共圆心。本发明能够支持4阶的OAM光信号传播,验证了光子晶体光纤传输OAM信号的可行性,拓展了光子晶体光纤的应用领域。

    一种保偏光纤的制备方法

    公开(公告)号:CN105866880A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610412177.1

    申请日:2016-06-14

    CPC classification number: G02B6/024 C03B37/01211 C03B2203/30

    Abstract: 本发明公开了一种保偏光纤的制备方法,包括以下步骤:采用常规方法制备芯棒;根据芯棒及所需预制棒的尺寸,使用耐温范围为2500~3000摄氏度的材料制备半圆柱体的模具;向模具中注入熔融的二氧化硅液体,待其冷凝后获得石英半割套管;在石英半割套管上打磨出所需形状的半应力区槽和与芯棒尺寸相适配的半芯棒槽;通过熔融加热将两个中心放入芯棒的石英半割套管熔融成一个整体;在形成的应力区孔填充二氧化硅和三氧化二硼的混合物即可。本发明通过集成组合熔融法将两个打磨成型的石英半割套管与芯棒融合为一体,实现了多形状的应力区孔且大尺寸的保偏光纤预制棒,保证保偏光纤预制棒良好的光学性能,有效降低制造成本且提升保偏光纤的制造效率。

    光纤的快速制造装置及方法

    公开(公告)号:CN107082559A

    公开(公告)日:2017-08-22

    申请号:CN201710325373.X

    申请日:2017-05-10

    CPC classification number: Y02P40/57 C03B37/025 C03B37/012

    Abstract: 本发明公开了一种光纤的快速制造装置及方法,涉及光纤制造领域。该方法包括以下步骤:将中空的石英套管套于竖直放置的芯棒外侧固定成一体,整体向下移动,将底端送入熔融设备进行高温熔融,形成常规尺寸光棒,随后拉制成光纤;在光纤的拉制过程中,填充管在石英套管的顶端围绕芯棒旋转,石英粉通过填充管的底端开口落入芯棒与石英套管之间的间隙;根据光纤的拉制速度和石英套管的给进速度,调节填充管的底端开口大小,控制石英粉落入间隙中的速度,填充有石英粉的石英套管底端熔融形成大尺寸光棒,随后拉制成光纤。本发明能够大幅减少石英光纤从石英光棒到石英光纤的生产过程,提升石英光纤的制造效率,从而降低石英光纤的制造成本。

    一种双包层有源光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN104777552A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510155189.6

    申请日:2015-04-02

    CPC classification number: G02B6/036 C03B37/025

    Abstract: 本发明公开了一种双包层有源光纤及其制造方法,该方法包括以下步骤:S1:制备光纤预制棒前驱体;S2:对石英包层进行石英冷加工,在石英包层上钻圆孔;S3:制备环形波导预制棒;S4:将环形波导预制棒组装至圆孔,形成有源光纤预制棒;S5:对有源光纤预制棒拉丝,形成双包层有源光纤。双包层有源光纤的石英包层为D形或者正多边形;石英包层内设置有环形波导纤芯,环形波导纤芯螺旋环绕于石英纤芯周围,每米石英纤芯上环绕有0.5~120个螺旋。本发明加工精度高,制造难度较低;制造双包层有源光纤时,能够比较容易使环形波导纤芯环绕于石英纤芯周围,保证双包层有源光纤的光学性能和可靠性。

    一种抗弯曲拉锥光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN103630965A

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201310641596.9

    申请日:2013-12-03

    Abstract: 一种抗弯曲拉锥光纤及其制造方法,涉及光纤领域,其裸光纤由内至外依次包括芯层、内包层、下陷包层和外包层,所述外包层为石英包层,所述芯层、内包层、下陷包层的折射率依次减小,芯层相对外包层的相对折射率差为0.85~0.95%;内包层相对外包层的相对折射率差为0.10~0.20%;下陷包层相对外包层的相对折射率差为-0.15~-0.25%;制造中利用改进的化学气相沉积法工艺,在石英反应管内依次沉积下陷包层、内包层以及芯层,沉积原料为四氯化硅、四氯化锗、三氯氧磷、六氟乙烷;本发明在不影响拉锥性能的前提下,提升光纤的抗弯曲性能,保证其在C+L波段的光纤耦合器小型化中的应用要求。

Patent Agency Ranking