公开(公告)号：CN117038420A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311077422.4

申请日：2023-08-25

Applicant: 湖南大学

Inventor： 黄帅 ,  武新龙 ,  冯凯

IPC: H01J35/10

Abstract: 本发明公开了一种带有复式密封结构的液态金属CT球管，包括球管壳，所述球管壳内设置有阳极靶盘、定子以及转子，所述定子的外部套设有上轴承套和下轴承套，所述上轴承套另一端与所述阳极靶盘连接，所述下轴承套另一端与所述转子连接，所述上轴承套与所述下轴承套的连接处以及所述下轴承套与所述转子的连接处设置有复式密封结构，所述复式密封结构包括超疏液竹节型密封结构和分设在所述超疏液竹节型密封结构两端的存液槽。本发明通过复式密封结构对液态金属进行密封，相比单一的密封圈密封更加可靠，更加有效地防止液态金属的逸出，同时，该密封结构位于轴承套上，避免了拆装复杂和连接问题，也解决了因密封圈老化而产生的材料损耗问题。

公开(公告)号：CN116432543B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310693256.4

申请日：2023-06-13

Applicant: 湖南大学

Inventor： 杨鑫 ,  张越 ,  武新龙 ,  欧阳晓平

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/0464 ,  G01R31/26 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块剩余寿命预测方法、终端设备及存储介质，确定在加速老化测试过程中表征功率半导体模块老化过程的前驱参数；获取两组同类功率半导体模块在整个加速老化测试中前驱参数随时间变化的数据；对前驱参数随时间变化的数据进行相关处理，推导出所需要的训练数据和测试数据；选择用于训练的前驱参数随时间变化的数据和用于测试的前驱参数随时间变化的数据的部分数据；利用训练数据产生训练损失，利用选择的部分数据执行最大平均差异法完成迁移学习域适应，产生差异损失；设置综合损失函数对卷积神经网络进行迭代训练，得到训练完成的剩余寿命预测模型。本发明有效地解决了前驱参数数据“分布来源”不一致的问题。

公开(公告)号：CN116454040A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310706981.0

申请日：2023-06-15

Applicant: 湖南大学

Inventor： 杨鑫 ,  武新龙 ,  叶俊杰 ,  衡可 ,  欧阳晓平

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L23/15

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件封装结构，所述功率半导体器件封装结构具有在高度方向上由上到下依次设置的芯片、第一铜层、陶瓷层、第二铜层；其特征在于：所述陶瓷层朝向第一铜层/第二铜层的一侧开设有凹槽，所述第一铜层/第二铜层具有朝向陶瓷层设置的凸起，所述凸起与凹槽的形状相适应；平行于所述封装结构高度方向且经过所述凹槽最大槽深位置的直线与芯片轴线相重合。

公开(公告)号：CN116432543A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310693256.4

申请日：2023-06-13

Applicant: 湖南大学

Inventor： 杨鑫 ,  张越 ,  武新龙 ,  欧阳晓平

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/0464 ,  G01R31/26 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块剩余寿命预测方法、终端设备及存储介质，确定在加速老化测试过程中表征功率半导体模块老化过程的前驱参数；获取两组同类功率半导体模块在整个加速老化测试中前驱参数随时间变化的数据；对前驱参数随时间变化的数据进行相关处理，推导出所需要的训练数据和测试数据；选择用于训练的前驱参数随时间变化的数据和用于测试的前驱参数随时间变化的数据的部分数据；利用训练数据产生训练损失，利用选择的部分数据执行最大平均差异法完成迁移学习域适应，产生差异损失；设置综合损失函数对卷积神经网络进行迭代训练，得到训练完成的剩余寿命预测模型。本发明有效地解决了前驱参数数据“分布来源”不一致的问题。

公开(公告)号：CN109412394A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811295752.X

申请日：2018-11-01

Applicant: 湖南大学

Inventor： 杨鑫 ,  王紫茹 ,  王俊 ,  武新龙 ,  李赟

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/44

CPC classification number: H02M1/08 ,  H02M1/44

Abstract: 本发明涉及一种应用于功率开关管IGBT和MOSFET的驱动电路，尤其涉及抑制IGBT和MOSFET电磁干扰的开环有源电压驱动电路及方法，通过连续离散调节门极电阻阻值大小，将开关暂态电压波形由原来的单一斜率的集射极电压波形，调整为对电磁干扰有更好抑制作用的高斯S型电压波形；并且，由于本发明主要是进行开关过程电压波形的调节，所以控制的动态阶段最重要的为上述的电压下降阶段和电压上升阶段，有源电压驱动电路在开关管电压下降和电压上升过程中动态连续离散调节输出门极电阻值。最终本发明能够在每个阶段选择最佳的门极电阻来驱动，以达到电磁干扰、电压过冲等影响最小的效果。