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公开(公告)号：CN108899313B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810495782.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区，第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第四N+注入区以及第四P+注入区，第二P+注入区跨接在第一P阱与第一N阱之间，第三P+注入区跨接在第一N阱与第二P阱之间，第一P+注入区以及第一N+注入区均与阳极连接，第四P+注入区以及第四N+注入区均与阴极连接。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，提高器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN109411468B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811253429.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底、埋氧层、N阱以及P阱，在N阱内设有第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区以及第四N+注入区，在P阱内设有第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区以及第四P+注入区，第三P+注入区与第三N+注入区跨接在N阱与P阱之间的交界处，第一P+注入区与阳极相连，第一N+注入区与阴极相连，第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区与N阱构成PMOS管，第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区与P阱构成NMOS管。本发明具有低触发电压、高维持电压、结构简单、易于集成以及鲁棒性高等优点，适用于器件以及电路的静电保护。
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公开(公告)号：CN109166941A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810388951.9
申请日：2018-04-26
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/078 , H01L31/0224 , H01L31/02
Abstract: 本发明提供了一种能源转换器件，具有衬底，在衬底上形成电极3，在电极3上形成介电层，在介电层上分别形成电极1和电极2，在电极1和2以及介电层上形成半导体层，其中电极1与所述半导体层形成欧姆接触，电极2与所述半导体层形成肖特基接触，在衬底硅电极3与电极1之间施加交流信号，在电极1和电极2之间就会形成稳定的直流输出，该能源转换器件不仅制备工艺简单，而且可以收集具有任意幅值的电磁波信号用于转化成直流电，并且无衰减，能长期工作，工艺性能稳定。
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公开(公告)号：CN108899315A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810662973.X
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多叉指静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间，第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，第一P阱与第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，第四P+注入区以及第五P+注入区均与深N阱跨接，N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，该多叉指静电保护器件以N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。本发明能够解决导通不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN108735732A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810540058.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种LDMOS静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有第一P阱和第一N阱，所述第一P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区，所述第一N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区；所述第二N+注入区、所述第一P阱、所述第一N阱构成第一NPN结构，所述第一P阱、所述第一N阱、所述第三P+注入区构成第一PNP结构，所述第一NPN结构与所述第一PNP结构形成第一SCR路径；所述第一N+注入区、所述第一P阱、所述第二N+注入区构成第二NPN结构，所述第三P+注入区、所述第一N阱、所述第二P+注入区构成第二PNP结构，所述第二NPN结构与所述第二PNP结构形成第二SCR路径。本发明增加了一条SCR路径，提高了静电泄放能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109860638B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910010568.4
申请日：2019-01-07
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米多孔Ag2Al材料、制备方法及应用。通过结合合金熔融与选择性腐蚀过程，实现了Ag2Al材料的快速、规模化制备，得到条带或粉体纳米多孔催化剂。所得纳米多孔Ag2Al材料具有优异的电子传输能力，三维多通道孔结构和高比表面积，可直接作为“结构‑功能”一体化电极。电化学测试表明，纳米多孔Ag2Al具有优异的氧还原催化活性，在电化学催化领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108735733B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810542367.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有P阱和N阱，所述P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区，所述N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区；所述第一N+注入区、所述第三N+注入区、所述第二P+注入区与阳极相连，所述第二N+注入区、所述第一P+注入区、所述第三P+注入区与阴极相连；所述第二N+注入区、所述P阱、所述N阱构成NPN结构，所述P阱、所述N阱、所述第三P+注入区构成PNP结构，形成可控硅结构；所述第一N+注入区和所述P阱构成第一反偏二极管，所述第三P+注入区和所述N阱构成第二反偏二极管。本发明能够解决触发电压过高的问题。
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公开(公告)号：CN109065538A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811162797.X
申请日：2018-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多指SCR静电保护器件，包括衬底，所述衬底上设有第一P阱、第一N阱、第三P阱、第二N阱和第四P阱及第五P阱，第一P阱、第二P阱、第三P阱、第四P阱和第五P阱均设有P+注入区、N+注入区和氧隔离区，第一N阱和第二N阱中均分别设有N+注入区和氧隔离区，第一P阱、第二P阱、第三P阱、第四P阱、第五P阱、第一N阱和第二N阱上均连接有一金属层，与第一P阱、第二P阱、第四P阱、第五P阱连接的金属层上均设有第一电极，与第三P阱连接的金属层上设有第二电极，第一电极和第二电极分别为多指SCR静电保护器件的阳极和阴极。本发明能有效改善多指SCR静电保护器件的触发不均匀特性，提高了多指SCR静电保护器件内部的电压调节性能。
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公开(公告)号：CN108735733A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810542367.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有P阱和N阱，所述P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区，所述N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区；所述第一N+注入区、所述第三N+注入区、所述第二P+注入区与阳极相连，所述第二N+注入区、所述第一P+注入区、所述第三P+注入区与阴极相连；所述第二N+注入区、所述P阱、所述N阱构成NPN结构，所述P阱、所述N阱、所述第三P+注入区构成PNP结构，形成可控硅结构；所述第一N+注入区和所述P阱构成第一反偏二极管，所述第三P+注入区和所述N阱构成第二反偏二极管。本发明能够解决触发电压过高的问题。
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公开(公告)号：CN108630747A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810480779.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种LDMOS-SCR器件，包括P型硅衬底，P型硅衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有P阱和N阱，P阱内设有第一P+注入区和N+注入区组件，N+注入区组件包括从左到右依次设置的第一N+注入区和第二N+注入区，N阱内设有第二P+注入区和第三N+注入区；第一N+注入区和第二N+注入区之间设有N型沟道，N型沟道区上方设有第一薄栅氧化层，薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅，第一多晶硅栅连接栅极，N+注入区组件中其中一个N+注入区连接阴极，第三N+注入区连接阳极，第一P+注入区与N+注入区组件之间构成第一二极管，第二P+注入区和N+注入区之间构成第二二极管，第一N+注入区和第二N+注入区之间设有NMOS结构。本发明能够解决触发电压较高的问题。
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