公开(公告)号：CN102471247B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201080032156.8

申请日：2010-07-26

Applicant: AGC清美化学股份有限公司

Inventor： 次田克幸 ,  三桥雅人

IPC: C07C305/04 ,  B01F17/00 ,  B01F17/16 ,  C07C309/14 ,  C09K3/00

CPC classification number: C07C309/14 ,  C07C305/04 ,  C09G1/14

Abstract: 本发明提供即使使用不具有成为PFOS、PFOA问题的要素的链长8以上的全氟烷基的环境负担低的氟类材料，也具有较佳的表面张力降低能力的由下式(1)表示的含氟化合物、含氟表面活性剂、其组合物，含有该含氟表面活性剂的水性树脂乳液及地板抛光剂组合物。Rf1-CpH2p-CH(OH)-CqH2q-NR-CrH2r-(O)n-SO3M？(1)式中的记号表示下述涵义：Rf1：碳数1～6的全氟烷基，p、q及r：相互独立地为1～6的整数，M：阳离子型原子或原子团，n：0或1，R：氢原子、碳数1～12的烷基、或是由下式(2)表示的基团：Rf2-CsH2s-CH(OH)-CtH2t-？？(2)Rf2：碳数1～6的全氟烷基，s及t：相互独立地为1～6的整数。

公开(公告)号：CN1193408C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN00818052.0

申请日：2000-11-02

Applicant: 清美化学股份有限公司

Inventor： 砂原一夫 ,  次田克幸 ,  真丸幸惠

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供了在半导体器件制造的CMP工艺中，能抑制金属层过度氧化、对金属层和/或阻挡层等进行研磨、且能根据不同用途调节研磨速度的研磨剂及研磨方法。使含有抛光磨料和肽的研磨剂与氧化剂一起悬浮于水系介质中，将pH调整到7以上，制成研磨剂浆液。使该研磨剂浆液负载于CMP装置的研磨布上，然后对半导体基板上形成的Cu等金属层和/或阻挡层等进行研磨。

公开(公告)号：CN102471247A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032156.8

申请日：2010-07-26

Applicant: AGC清美化学股份有限公司

Inventor： 次田克幸 ,  三桥雅人

IPC: C07C305/04 ,  B01F17/00 ,  B01F17/16 ,  C07C309/14 ,  C09K3/00

CPC classification number: C07C309/14 ,  C07C305/04 ,  C09G1/14

Abstract: 本发明提供即使使用不具有成为PFOS、PFOA问题的要素的链长8以上的全氟烷基的环境负担低的氟类材料，也具有较佳的表面张力降低能力的由下式(1)表示的含氟化合物、含氟表面活性剂、其组合物，含有该含氟表面活性剂的水性树脂乳液及地板抛光剂组合物。Rf1-CpH2p-CH(OH)-CqH2q-NR-CrH2r-(O)n-SO3M (1)式中的记号表示下述涵义：Rf1：碳数1～6的全氟烷基，p、q及r：相互独立地为1～6的整数，M：阳离子型原子或原子团，n：0或1，R：氢原子、碳数1～12的烷基、或是由下式(2)表示的基团：Rf2-CsH2s-CH(OH)-CtH2t- (2)Rf2：碳数1～6的全氟烷基，s及t：相互独立地为1～6的整数。