公开(公告)号：CN110212081B

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910399152.6

申请日：2019-05-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 万春磊 ,  宗鹏安 ,  潘伟

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了属于热电材料技术领域的一种铜硅硫基的热电材料及其制备方法，该材料结构式为Cu8‑xSiS6，其中元素含量x的变化范围为0.01≤x≤0.2。本发明以硫化亚铜粉末、硫粉末和硫粉为原料，通过真空密封、高温化合、退火、研磨得到热电粉体材料。通过放电等离子烧结致密化得到块体材料。利用本发明方法制备热电材料具有制备简单、成本低等优点，同时克服了传统热电材料碲化铋、碲化铅等组成元素毒性大的缺点，其在600℃下的热电优值达到了0.25。因此，本发明具有良好应用前景。

公开(公告)号：CN110407581B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201910575801.3

申请日：2019-06-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 万春磊 ,  宗鹏安 ,  潘伟

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明涉及一种P型热电化合物材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。该热电化合物结构式为KCu7‑xS4，其中0.01≤x≤0.5。主要通过水热反应、洗涤、干燥得到热电粉体材料。通过研磨、烧结得到热电块体材料。利用本发明方法制备热电材料具有工艺简单、成本低、毒性低的优点。该材料热导率低,热电优值在400℃高达0.4。因此，本发明所制备的基于铜硫的p型热电化合物材料是一种具有较好应用前景的热电化合物材料。

公开(公告)号：CN110212080A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910398489.5

申请日：2019-05-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 万春磊 ,  宗鹏安 ,  潘伟

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了属于热电材料技术领域的一种钡铜硫基热电材料及其制备方法，该材料结构式为BaCu4-xS3，其中元素含量x的变化范围为0.01≤x≤0.3。本发明以硫化亚铜粉末、硫化钡粉末和硫粉为原料，按照BaCu4-xS3的化学计量比，即钡：铜：硫＝1：(4-x)：3分别称取对应化学计量比重量的硫化亚铜粉末、硫化钡粉末和硫粉；通过真空密封、高温化合、退火、研磨得到热电粉体材料。通过放电等离子烧结后得到块体材料。本发明制备热电材料具有制备简单、成本低等优点，同时克服了传统热电材料碲化铋、碲化铅等组成元素毒性大的缺点，其在500℃下的热电优值达到了0.37。因此，本发明新的热电材料具有良好应用前景。

公开(公告)号：CN108063179A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711381581.8

申请日：2017-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 万春磊 ,  潘伟 ,  宗鹏安

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L35/18 ,  B82Y30/00 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及一种纳米晶多孔块体硅块体热电材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。该材料结构式为BxSi或SbxSi(0.01≤x≤0.3)，其晶粒尺寸范围为5～200nm，孔径范围为10～100nm。本发明制备方法以硅藻土为原料，氯化钠为晶粒细化剂，镁为还原剂，650℃还原后，通过水洗、稀盐酸洗涤、氢氟酸洗涤，旋转蒸发真空干燥后得到多孔硅纳米晶粉末，通过添加硼和锑，经研磨后，得到混合热电粉料，再通过40MPa，1000℃放电等离子烧结后得到纳米晶多孔硅块体热电材料。本方法制备的硅热电材料同时具备纳米晶结构和多孔结构，具有比单晶硅低两个数量级的热导率。