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公开(公告)号：CN105364321A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510790532.4
申请日：2008-10-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 熊谷正芳
IPC: B23K26/38 , B23K26/064 , B23K26/402
CPC classification number: H01L21/304 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , H01L21/78 , B23K26/38 , B23K26/0648
Abstract: 本发明涉及激光加工方法。在31ns～54ns的脉冲宽度且7.5μm～10μm的脉冲间距下照射作为脉冲激光的激光(L)，从而沿着切断预定线(5)在GaAs基板(12)上形成作为切断的起点的改质区域(7)。由此，沿着切断预定线(5)形成于GaAs基板(12)上的改质区域(7)，易于在加工对象物(1)的厚度方向上产生龟裂。因此，对于具备GaAs基板(12)的板状的加工对象物(1)，能够形成作为切断的起点的功能极佳的改质区域(7)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103934578A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410109769.7
申请日：2008-10-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 熊谷正芳
IPC: B23K26/38 , B23K26/064 , B23K26/08 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/304 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及激光加工方法。在31ns～54ns的脉冲宽度且7.5μm～10μm的脉冲间距下照射作为脉冲激光的激光（L），从而沿着切断预定线（5）在GaAs基板（12）上形成作为切断的起点的改质区域（7）。由此，沿着切断预定线（5）形成于GaAs基板（12）上的改质区域（7），易于在加工对象物（1）的厚度方向上产生龟裂。因此，对于具备GaAs基板（12）的板状的加工对象物（1），能够形成作为切断的起点的功能极佳的改质区域（7）。
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公开(公告)号：CN103706950A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410002145.5
申请日：2008-07-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/359 , B23K26/064
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/0861 , B23K26/128 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , B28D5/00 , C03B33/0222 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及激光加工方法、激光加工装置及其制造方法。以使被聚光于加工对象物（1）的内部的激光（L）的像差为规定的像差以下的方式被反射型空间光调制器（203）调制后的激光（L）被照射于加工对象物（1）。因此，能够极力减小在对准激光（L）的聚光点（P）的位置所产生的激光（L）的像差，并能够提高在该位置的激光（L）的能量密度，从而能够形成作为切断的起点的功能较好的改质区域（7）。并且，由于使用反射型空间光调制器（203），因此，相比于透过型空间光调制器，能够提高激光（L）的利用效率。这样的激光（L）的利用效率的提高在将作为切断的起点的改质区域（7）形成于板状的加工对象物（1）的情况下是特别重要的。
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公开(公告)号：CN101772398B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN200880101826.X
申请日：2008-07-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/0861 , B23K26/128 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , B28D5/00 , C03B33/0222 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及激光加工方法、激光加工装置及其制造方法。以使被聚光于加工对象物(1)的内部的激光(L)的像差为规定的像差以下的方式被反射型空间光调制器(203)调制后的激光(L)被照射于加工对象物(1)。因此，能够极力减小在对准激光(L)的聚光点(P)的位置所产生的激光(L)的像差，并能够提高在该位置的激光(L)的能量密度，从而能够形成作为切断的起点的功能较好的改质区域(7)。并且，由于使用反射型空间光调制器(203)，因此，相比于透过型空间光调制器，能够提高激光(L)的利用效率。这样的激光(L)的利用效率的提高在将作为切断的起点的改质区域(7)形成于板状的加工对象物(1)的情况下是特别重要的。
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公开(公告)号：CN102019508A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010525444.9
申请日：2008-07-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/0861 , B23K26/128 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , B28D5/00 , C03B33/0222 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及激光加工方法、激光加工装置及其制造方法。以使被聚光于加工对象物(1)的内部的激光(L)的像差为规定的像差以下的方式被反射型空间光调制器(203)调制后的激光(L)被照射于加工对象物(1)。因此，能够极力减小在对准激光(L)的聚光点(P)的位置所产生的激光(L)的像差，并能够提高在该位置的激光(L)的能量密度，从而能够形成作为切断的起点的功能较好的改质区域(7)。并且，由于使用反射型空间光调制器(203)，因此，相比于透过型空间光调制器，能够提高激光(L)的利用效率。这样的激光(L)的利用效率的提高在将作为切断的起点的改质区域(7)形成于板状的加工对象物(1)的情况下是特别重要的。
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公开(公告)号：CN101400475A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008910.2
申请日：2007-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , C03B33/0222 , C03B33/037 , H01L21/78
Abstract: 本发明的激光加工方法，通过照射具有标准的脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(111)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小大，且随着容易在加工对象物(1)的厚度方向上发生破裂(24)的溶融处理区域(131)，同时，通过照射具有来自后侧脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(112)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小小，且在加工对象物(1)的厚度方向上不容易发生破裂(24)的溶融处理区域(132)。
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