一种基于电动汽车马尔可夫充电需求分析模型的快速充电站容量规划方法

    公开(公告)号:CN107067130B

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN201611139822.3

    申请日:2016-12-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于电动汽车马尔可夫充电需求分析模型的快速充电站容量规划方法。该方法通过对电动汽车驾驶行为进行分析,将电动汽车的驾驶行为分成四种状态,利用蒙特卡罗模拟法建立电动汽车状态模型;结合马尔可夫模型,预测电动汽车在任意时间段的充电概率以及充电负荷;综合电动汽车等待成本等多种因素,得到充电站的经济收益与其配置的充电和等待位置的数量之间的关系;求解得到最优的充电桩和等待位置的数量。本发明以已有的电动汽车驾驶行为调查数据为基础,给出了详细的算法描述,根据已有的调查数据,通过一系列的实验证明所提出的方法在平衡电动汽车快速充电站的服务效率和经济收益方面的有效性。

    一种石英晶片送料装置的扫频驱动装置及方法

    公开(公告)号:CN111123787B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201911365700.X

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 一种石英晶片送料装置的扫频驱动装置,包括直流电源、高压电源模块U2、两个信号发生模块U1和U3、高压运算放大模块U4、电阻以及电容;所述电阻包括可变电阻和固定电阻;所述可变电阻包括动片和两片定片;所述直流电源采用线性稳压电源或者开关电源;本发明采用扫频驱动方法,能够显著克服石英晶片送料装置的机械固有共振频率会随着装载晶片后的重量变化、装置本身机械结构变化、机械部件的磨损等原因造成的漂移问题,同时也能克服驱动电路随着环境温度变化而发生的驱动频率漂移问题,可以显著提高送料装置的工作稳定性和适应性,而且可以满足间歇式送料的需求。

    一种SC切型石英晶片在线研磨测频系统的在线单频率跟踪测频方法

    公开(公告)号:CN112162148A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202010942414.1

    申请日:2020-09-09

    Abstract: 本发明公开了一种SC切型石英晶片在线研磨测频系统的在线单频率跟踪测频方法,单频率跟踪的扫频范围应覆盖将当前频率视为高频频率对应的低频频率扫频范围,以及将当前频率视为低频频率对应的高频谐振频率扫频范围;当前频率作为单频率跟踪的依据和SC晶片双谐振频率中另一个频率的判断依据;在单次扫频测频过程中,必须先保证测到当前频率,若当前频率未测到,则不作另外两个扫频范围的频率判断,若测到当前频率再进行前向频率波形和后向频率波形的判断;本发明提供了一种处理效率高、数据精度高,双模频率精准区分的一种SC切型石英晶片在线研磨测频系统的在线单频率跟踪测频方法。

    一种湿法涂胶的合成革卷边在线检测装置及方法

    公开(公告)号:CN110376211A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910726981.0

    申请日:2019-08-07

    Abstract: 一种湿法涂胶的合成革卷边在线检测装置及方法,包括支撑杆、支撑杆底盘、横杆一、横杆二、背光源、短杆、支杆、正面光源、采图模块、报警灯、工控机以及电气控制柜;所述支撑杆设置于支撑底盘,支撑底盘设置于地面,支撑杆竖立于检测点左右两侧;所述横杆一设置于支撑杆之间;所述背光源设置于横杆一上;所述短杆设置于支撑杆,短杆与支撑杆之间设置支杆;所述横杆二设置于短杆之间;所述采图模块、正面光源以及报警灯设置于横杆二;所述工控机与电气控制柜设置于支撑杆,工控机与采图模块以及正面光源电性连接;本发明通过机器代替人工,避免了人工检查可能存在漏检或是发现问题不及时的情况发生,保证了生产布匹的质量。

    石英晶片抛光研磨在线测频系统

    公开(公告)号:CN110187175A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201910608688.4

    申请日:2019-07-08

    Abstract: 本发明公开了一种石英晶片抛光研磨在线测频系统,包括DDS信号模块、射频功率放大模块、π网络接口电路模块、阻抗匹配模块、信号处理模块、MCU控制系统模块和用于为以上模块提供工作电压的电源模块,所述DDS信号模块根据MCU控制系统模块发出指定的扫频指令产生指定频率范围和扫频速度,输出功率的正弦扫频信号,经过射频功率放大模块把DDS信号模块产生的谐振信号进行功率放大,功率放大后的信号连接到π网络接口电路模块,正弦扫频信号通过π网络作用在晶片上使其产生机械振动,同时晶片的机械振动又产生交变电场,当外加的正选扫频信号频率为某一特定值的时候,振幅明显增大,当产生振幅明显增大的信号时,再去捕获有效信号。

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