公开(公告)号：CN117646198B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202410122780.0

申请日：2024-01-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 项荣 ,  王凌峰 ,  马亦诚 ,  郑一格

IPC: C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种原子级精度的CVD设备压力自动控制方法及系统，属于半导体制造技术领域。该方法通过在薄膜沉积过程中引入蝶阀经验开启角度，能够快速的接近目标压力，大大提高响应时间。而且可以在很大程度上避免自动调节程序失效的概率，对于高压力调节（>20kPa）直接调节很容易出现自动调节失效的情况，导致压力跑崩，而本申请引入经验值可以迅速达到目标压力附近，避免大角度调节。进一步的，本申请通过针对不同的压力值，采用周期性非连续角度控制算法和连续角度控制算法两种不同的算法进行自动控制，能够达到较高的控制精度，而且可以避免压力长时间内的波动。

公开(公告)号：CN117646198A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202410122780.0

申请日：2024-01-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 项荣 ,  王凌峰 ,  马亦诚 ,  郑一格

IPC: C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种原子级精度的CVD设备压力自动控制方法及系统，属于半导体制造技术领域。该方法通过在薄膜沉积过程中引入蝶阀经验开启角度，能够快速的接近目标压力，大大提高响应时间。而且可以在很大程度上避免自动调节程序失效的概率，对于高压力调节（>20kPa）直接调节很容易出现自动调节失效的情况，导致压力跑崩，而本申请引入经验值可以迅速达到目标压力附近，避免大角度调节。进一步的，本申请通过针对不同的压力值，采用周期性非连续角度控制算法和连续角度控制算法两种不同的算法进行自动控制，能够达到较高的控制精度，而且可以避免压力长时间内的波动。