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公开(公告)号：CN105957917A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610436379.X
申请日：2016-06-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L21/265
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L21/26506 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元的波长选择Si基光电导中远红外阻挡杂质带探测器及其制备方法，从下至上依次为高纯硅基底、高纯硅基底上低电阻率的掩埋底电极、高掺杂吸收层、杂质带阻挡层，在阻挡层上方沉积的钝化层，阻挡层上设有上电极互连区和上电极，上电极是由铝薄膜形成的正方形周期圆孔阵列，铝薄膜形成正方形周期圆孔阵列是探测器的表面等离激元结构，实现波长选择功能。上电极使用金属铝，铝的制备工艺简便成熟，价格便宜易于获得，抗锈蚀能力强，同时与器件的兼容性能好；采用剥离工艺制备金属铝正方形周期圆孔阵列，相比于腐蚀技术，可控性及实际效果更好。
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公开(公告)号：CN102364704A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201110053124.2
申请日：2011-03-07
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法，它以CdZnTe或BaF2或GaAs或Si或Ge作为基底，利用分子束外延设备在基底上生长CdTe/PbTe半导体异质结，异质结的发光波长在2～5um中红外波段，基于PbTe和CdTe的极性界面效应可获得强中红外光的发射。它既可直接作为光致中红外发光器件使用，也可作为电致中红外发光器件的有源区材料得到应用，如中红外发光二极管、中红外激光二极管等。
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公开(公告)号：CN100468661C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710068039.7
申请日：2007-04-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/363 , C30B23/02
Abstract: 一种Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜和其异质结构的制备方法，在精确控制的超高真空条件下，从束源炉中蒸发出来的Ⅳ-Ⅵ族各种原子和分子束与一个清洁并具有很好晶面取向的单晶衬底表面相遇，到达衬底表面的原子和分子经过在衬底表面吸附、迁移和结晶等过程，形成高质量的单晶薄膜。通过精密控制束流量、衬底温度等生长条件，使外延的Ⅳ-Ⅵ族化合物在衬底表面按一个原子层接一个原子层的模式生长，用这种方法能够生长Ⅳ-Ⅵ族半导体异质结构，包括量子阱、超晶格，制造成本低，产品质量高。
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公开(公告)号：CN101236905A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810060092.7
申请日：2008-03-05
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/363 , C30B23/02
Abstract: 一种在CdZnTe衬底上制备IV－VI族半导体单晶薄膜的方法，是在分子束外延装置中，采用分子束外延生长方法，在不同生长温度(200～425℃)下，利用不同IV－VI族化合物分子束源，在CdZnTe单晶衬底材料上外延生长单晶薄膜，所述CdZnTe衬底具有通式Cd1－xZnxTe，式中X＝0～0.3，是通过垂直布里奇曼方法生长或气相输运生长，沿[111]晶向或[100]晶向切割而成，通过Al2O3粉末机械抛光，然后用1∶100的溴甲醇化学抛光。本发明可实现异质结，量子阱和超晶格等器件结构的可控生长。
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公开(公告)号：CN115394858A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210919398.3
申请日：2022-08-02
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/788 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种浮栅型二维异质结型忆阻器及其制备方法，忆阻器从下到上依次为Ag电极层、SiO2/Si衬底层、MoS2载流子传输层，MoS2载流子传输层上表面的相对的两端设置有Au电极，h‑BN绝缘电介质层形成了对应于Au电极和MoS2载流子传输层共同形成的上表面的凹槽，凹槽内、AuNPs电荷捕获层、h‑BN绝缘电介质层和MoS2载流子传输层构成了具备阻抗存储特性的二维异质结MoS2/h‑BN/AuNPs。相比于传统基于块体材料的忆阻器，忆阻存储器是由零维和二维纳米材料所构建，在微型化和柔性方面具有独特的优势。考虑到该器件展现出优良的信息存储和擦除性能以及良好的稳定性和可重复使用性，MoS2/h‑BN/AuNPs浮栅型忆阻器具有良好的发展前景和实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107946393B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201711084201.4
申请日：2017-11-07
Applicant: 浙江大学 , 龙焱能源科技(杭州)有限公司
IPC: H01L31/0445 , H01L31/072 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于SnTe作为背电极缓冲层的CdTe太阳能电池及其制备方法，一种基于SnTe作为背电极缓冲层的CdTe薄膜太阳能电池，电池在CdTe薄膜太阳能电池的背电极处，在CdTe与金属背电极之间生长了一层SnTe缓冲层或者ZnTe：Cu和SnTe构成的复合缓冲层，其中SnTe薄膜为P+型。SnTe薄膜具有非常高的载流子浓度，高的空穴迁移率以及极低的电阻率，以及其与CdTe形成的异质结能带结构非常利于空穴的传输，这些都利于减小CdTe薄膜太阳能电池背电极处的势垒。
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公开(公告)号：CN107946393A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711084201.4
申请日：2017-11-07
Applicant: 浙江大学 , 龙焱能源科技(杭州)有限公司
IPC: H01L31/0445 , H01L31/072 , H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0445 , H01L31/0336 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于SnTe作为背电极缓冲层的CdTe太阳能电池及其制备方法，一种基于SnTe作为背电极缓冲层的CdTe薄膜太阳能电池，电池在CdTe薄膜太阳能电池的背电极处，在CdTe与金属背电极之间生长了一层SnTe缓冲层或者ZnTe：Cu和SnTe构成的复合缓冲层，其中SnTe薄膜为P+型。SnTe薄膜具有非常高的载流子浓度，高的空穴迁移率以及极低的电阻率，以及其与CdTe形成的异质结能带结构非常利于空穴的传输，这些都利于减小CdTe薄膜太阳能电池背电极处的势垒。
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公开(公告)号：CN102364704B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201110053124.2
申请日：2011-03-07
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法，它以CdZnTe或BaF2或GaAs或Si或Ge作为基底，利用分子束外延设备在基底上生长CdTe/PbTe半导体异质结，异质结的发光波长在2～5um中红外波段，基于PbTe和CdTe的极性界面效应可获得强中红外光的发射。它既可直接作为光致中红外发光器件使用，也可作为电致中红外发光器件的有源区材料得到应用，如中红外发光二极管、中红外激光二极管等。
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公开(公告)号：CN101924160B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201010228056.4
申请日：2010-07-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种In2O3/PbTe异质结中红外光伏探测器制造技术，它以CdZnTe作为基底，利用分子束外延设备(MBE)在基底上生长p-型PbTe半导体单晶薄膜，利用磁控溅射设备在p-型PbTe单晶薄膜上生长n-型In2O3多晶薄膜形成pn结，使用ZnS作为绝缘保护层，经标准光刻工艺形成电极窗口，ICP干法刻蚀In2O3、湿法腐蚀ZnS和蒸镀In薄膜电极，再经过背面减薄和金丝引线制成pn结光伏探测器芯片，光谱响应在2～5um中红外波段，芯片具有较快的响应速度的较高的响应度。
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公开(公告)号：CN101615582B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200910099947.1
申请日：2009-06-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种低温制造透明薄膜晶体管的方法，通过在ZnO中掺入少量的In2O3和SnO2形成透明的ZnInSnO四元合金半导体薄膜为沟道层，与平板显示等的低温制造技术相兼容，通过磁控溅射低温生长制造透明薄膜晶体管，采用底栅式结构和光刻、化学湿法腐蚀和剥离相结合的技术。与现有的硅基TFT技术相比，氧化物TFT具有对可见光透明、迁移率高、制造温度低等特点。可应用于有源矩阵液晶显示器件，打印机、复印机和摄像机等产品中。
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