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公开(公告)号：CN115074670A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210703529.4
申请日：2022-06-21
Applicant: 济南大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/30 , C23C14/26 , C23C14/35 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种二硒化钯的制备方法，包括以下步骤：(1)在基底表面进行钯金属镀膜，得到基底/钯薄膜；(2)在基底/钯薄膜的表面旋涂含硒分散液，干燥后在保护气氛中，利用等离子体辅助热退火制备得到二硒化钯薄膜。所述制备方法还包括：将步骤(2)得到的二硒化钯薄膜转移至目标基底的步骤。本发明利用钯薄膜蒸镀‑硒分子涂覆‑加热反应制备二硒化钯薄膜的方法，不但钯金属膜与硒分子膜固相反应制备方法简单直接、生长速率快，而且利用了钯薄膜前驱体的完整涂覆特点，可以得到完整的二硒化钯薄膜，可获取晶圆级二硒化钯的规模化生产。
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公开(公告)号：CN113550008A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110792971.4
申请日：2021-07-14
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种超大尺寸铌酸锂晶体的生长装置和方法，包括铂金坩埚和位于生长装置内的可以旋转升降的籽晶杆；所述铂金坩埚外包覆保温层；所述保温层上缠绕加热线圈；所述籽晶杆穿过保温层并深入铂金坩埚中；所述铂金坩埚的上方设有上窄下宽的水冷罩，所述水冷罩的内部中空；所述水冷罩底端的宽度大于或等于铌酸锂晶体的直径；所述籽晶杆贯穿水冷罩的正中央；所述水冷罩上分别设有进水管和出水管，所述进水管和出水管分别贯穿保温层与外部连通；所述水冷罩上设有控制水冷罩上下移动的升降杆，所述升降杆贯穿保温层。本发明能够解决溶体对流缓慢，晶体生长界面处温度梯度小等问题，适合8～12英寸晶圆的制备。
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公开(公告)号：CN113529170A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110768733.X
申请日：2021-07-07
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法，包括以下步骤：(1)采用提拉法制备小尺寸晶体；在小尺寸晶体生长结束后提拉一段细颈；在细颈提拉结束后，进入扩肩、等径和收尾阶段，完成超大尺寸铌酸锂单晶的生长；(2)超大尺寸铌酸锂单晶生长结束后，冷却，将超大尺寸铌酸锂单晶与细颈分离，获得超大尺寸铌酸锂单晶。本发明解决了提拉法制备超大尺寸铌酸锂单晶在扩肩时，由中心热量对流不利而导致的凹陷这一现象，将显著满足新一代声学芯片大规模量产最亟需的战略大尺寸晶体材料的需求。
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公开(公告)号：CN111962155A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010784697.1
申请日：2020-08-06
Abstract: 本发明公开了一种基于介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法，其中提出在周期极化铁电晶体材料的抛光表面首先制备介质层。该介质层是各向同性的透明材料，然后对该透明介质层进行抛光。由于介质层的存在，可以得到特别平整的表面，有利于形成高质量的键合晶体。介质层的厚度相对晶体厚度来说几乎可以忽略不计，不会对晶体的性能尤其是非线性光学性能造成影响。
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公开(公告)号：CN111442837A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010267265.3
申请日：2020-04-08
Applicant: 济南大学
IPC: G01J1/44
Abstract: 本申请公开了一种近红外上转换单光子探测器，包括泵浦光源和波导，所述波导为周期极化掺稀土铌酸锂波导Re:PPLN或周期极化稀土、镁共掺铌酸锂波导Re:Mg:PPLN，所述泵浦光源为半导体LD激光器，根据稀土元素的不同采用发出不同波长激光的LD激光器，以使得所述LD激光器发出的激光波长与所述稀土元素需要的泵浦波长相匹配。在波导中掺稀土实现了泵浦光源直接利用LD激光器，通过自泵浦和频将信号光的光子转换成可见光的光子。由于泵浦源不需要使用掺稀有元素的激光晶体，从而大大缩小了探测器的尺寸，优化了探测器的结构，实现了可携带的量子信息设备的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114836836B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210716285.3
申请日：2022-06-23
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法，包括以下步骤：(1)将抛光后的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片置于密闭装置中，然后充满还原性气体；(2)按照设定好的图形，激光欠焦照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片，通入惰性气体排出还原性气体，得到局域黑化的晶片。所述激光欠焦的参数为：激光波长为1064nm，激光功率为4～10W，欠焦距离为0.50～2.50cm，扫速为100～600mm/s。本发明在还原性气体氛围内，采用激光照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片，能够快速实现晶片黑化，同时还可以对黑化的区域进行选择，达到局域化黑化的目的。
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公开(公告)号：CN114836836A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210716285.3
申请日：2022-06-23
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法，包括以下步骤：(1)将抛光后的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片置于密闭装置中，然后充满还原性气体；(2)按照设定好的图形，激光欠焦照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片，通入惰性气体排出还原性气体，得到局域黑化的晶片。所述激光欠焦的参数为：激光波长为1064nm，激光功率为4～10W，欠焦距离为0.50～2.50cm，扫速为100～600mm/s。本发明在还原性气体氛围内，采用激光照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片，能够快速实现晶片黑化，同时还可以对黑化的区域进行选择，达到局域化黑化的目的。
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公开(公告)号：CN111190024B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010115975.4
申请日：2020-02-25
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了基于柔性非对称薄膜的气体流向和流速的检测装置。所述柔性非对称薄膜正面为蜂窝状多孔结构，反面为平面结构；并给出了柔性非对称薄膜的制备方法。所述检测装置包括柔性非对称薄膜；所述柔性非对称薄膜的正面与带叉指电极的第一柔性薄膜相对放置；所述柔性非对称薄膜的反面与第二柔性薄膜相对放置；所述叉指电极位于柔性非对称薄膜的正面和第一柔性薄膜之间；所述叉指电极的两端分别与第一导线和第二导线连接。本发明的气体流向和流速的检测装置测试气体流速和流向的原理与现有传感器不同，利用非对称薄膜形变方向和形变量所引起的电阻变化，测量气体的流向和流速；利用同一装置可以同时实现流向和流速测定。
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公开(公告)号：CN111575800A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010401253.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 济南大学 , 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基片均匀黑化的方法，准备原料：包括氯化钾和氯化锂混合盐和铌酸锂或者钽酸锂基片；熔融：将氯化钾和氯化锂按照一定的比例进行混合，或者外加一定质量分数的碳粉、锌粉、铁粉等还原性粉体，混合均匀后，再将混合后的原料置于氧化铝刚玉坩埚中，再对氧化铝刚玉坩埚加热，将该氧化铝刚玉坩埚加热至360-400℃，使其内部的混合原料全部熔融，还原性粉体均匀分散于熔体内，形成无氧熔体或者还原性熔盐；反应：将待还原的基片投入氧化铝刚玉坩埚中，并使氧化铝刚玉坩埚内部的熔盐将基片淹没，保持一定的时间后取出，并冷却；清洗：对冷却的基片进行清洗，将基片表面黏附的还原剂熔体清洗掉，然后晾干，得到黑化的基片。
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公开(公告)号：CN216274468U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202121617291.0
申请日：2021-07-16
Applicant: 济南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于超大尺寸长等径铌酸锂生长的装置，所述装置包括生长装置与加料装置；生长装置包括第一坩埚及第一保温层；第一保温层和第一坩埚之间设有生长加热器；第一坩埚上方设有可旋转升降的籽晶杆，籽晶杆贯穿第一保温层的顶部；加料装置包括第二坩埚及第二保温层，第二坩埚与第二保温层之间设有化料加热器；第二坩埚的上方设有加料管，加料管穿过第二保温层；第一坩埚的底部通过输料管与第二坩埚的底部连通；输料管的外壁上设有输料加热器。本实用新型采用化料与生长相分离的方法，通过输料管的热量带入生长区熔体中心使得生长区域温度更均匀，以及及时补充原料的方法，避免了生长界面过冷导致的大尺寸铌酸锂晶体拖尾现象。
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