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公开(公告)号:CN103059492A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201210588080.8
申请日:2012-12-31
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及纳米银粒径和含量可控且分布均匀的高Ag含量Ag/PMMA纳米复合材料的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)将纳米银种子溶液倒入高温的DMF/PMMA/PVP混合体系中,经高温反应制备Ag/PMMA纳米复合溶胶;(2)将Ag/PMMA纳米复合溶胶涂覆在基板上,在低温下真空干燥除去DMF,得到Ag/PMMA纳米复合材料。本发明的优点在于:(1)可保证高含量的纳米银在PMMA基体中的均匀分散且粒径和含量可控;(2)可提高银离子还原速率,有利于生成粒径均匀的纳米银;(3)在低温下真空干燥,可阻止干燥过程中纳米银的团聚和生长;(4)选择分子量较高的PMMA作为原料,制备的复合材料性能好。
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公开(公告)号:CN110304916A
公开(公告)日:2019-10-08
申请号:CN201910341120.0
申请日:2019-04-25
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种抗还原BaTiO3基介质陶瓷及制备方法。该介质陶瓷的化学式为(1-x)BaTiO3-xBi(Zn1/2Y1/2)O2.75,其中x=0.05~0.25,包括了以下步骤:(1)以BaTiO3、Bi2O3、ZnO、Y2O3为原料,依化学式中金属原子的化学计量比配比原料;(2)将原料球磨混合均匀,烘干,在马弗炉中预烧得到陶瓷粉体;(3)将预烧得到的陶瓷粉体经过二次球磨,烘干后造粒压制成陶瓷生坯;(4)将陶瓷生坯排胶后,在管式炉中通入还原性气体烧结,得到抗还原BaTiO3基介质陶瓷。该介质陶瓷在还原气氛下烧结,具有绝缘性能和介电性能优异、生产成本低、且在宽温范围内介电性能稳定等特点,尤其在x=0.15时,具有绝缘电阻率高达5.5×1012Ω·cm,介电温度稳定性满足X8R标准。
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公开(公告)号:CN117154925A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202310953190.8
申请日:2023-07-31
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 武汉理工大学 , 国网冀北电力有限公司 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于纯光CT的智能运维系统及方法,属于纯光CT运维技术领域。本发明,包括:物理层、感知层、计算层和应用层;所述物理层用于构建数据库,并用于实时获取纯光CT运行相关的目标数据,且将目标数据存储在数据库中;所述感知层用于调取目标数据,基于目标数据提取所述纯光CT的故障特征和实时运行状态参数;所述计算层用于基于所述纯光CT的故障特征和实时运行状态参数,对所述纯光CT进行仿真运算,根据所述仿真运算得到的结果,构建用于仿真纯光CT运行状态的实时仿真模型;所述应用层基于所述运策略完成对所述纯光CT的运维。本发明能够帮助完成纯光CT的现场运维,为直流系统的控制保护及运行状态监测提供可靠的测量信息。
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公开(公告)号:CN110304916B
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN201910341120.0
申请日:2019-04-25
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种抗还原BaTiO3基介质陶瓷及制备方法。该介质陶瓷的化学式为(1‑x)BaTiO3‑xBi(Zn1/2Y1/2)O2.75,其中x=0.05~0.25,包括了以下步骤:(1)以BaTiO3、Bi2O3、ZnO、Y2O3为原料,依化学式中金属原子的化学计量比配比原料;(2)将原料球磨混合均匀,烘干,在马弗炉中预烧得到陶瓷粉体;(3)将预烧得到的陶瓷粉体经过二次球磨,烘干后造粒压制成陶瓷生坯;(4)将陶瓷生坯排胶后,在管式炉中通入还原性气体烧结,得到抗还原BaTiO3基介质陶瓷。该介质陶瓷在还原气氛下烧结,具有绝缘性能和介电性能优异、生产成本低、且在宽温范围内介电性能稳定等特点,尤其在x=0.15时,具有绝缘电阻率高达5.5×1012Ω·cm,介电温度稳定性满足X8R标准。
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公开(公告)号:CN108395243A
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:CN201810445941.4
申请日:2018-05-11
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/468
Abstract: 本发明涉及一种XnR宽温高稳定的BaTiO3基介质陶瓷及其制备方法。该介质材料的化学组成为(1-y)BaTi1-xCaxO3-x-yBi(Zn0.5Ti0.5)O3(x=0.04~0.05,y=0.1~0.15)陶瓷。该介质陶瓷具有性能优良、成本低,在宽温范围内的高稳定性等特点,尤其当x=0.04~0.05,y=0.15时,制得满足X9R特性的陶瓷电容器介质材料。
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