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公开(公告)号：CN112670212A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011543746.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请提供一种大面积印刷与激光退火制造装置及半导体制造方法，其衬底材料设置于移动载台的上表面上；加热器内嵌于移动载台的内部，且处于衬底材料的正下方；位移平台与移动载台平行间隔设置，且可相对移动载台进行平行移动；印刷机构可升降地连接于位移平台上；准分子激光发射器、扩束器以及光束整形器同轴设置，且处于位移平台的斜上方；转轮振镜、汇聚透镜间隔地安装于位移平台上，转轮振镜处于汇聚透镜的正上方，汇聚透镜处于衬底材料的正上方，且位移平台能够带动转轮振镜、汇聚透镜沿衬底材料的宽度方向进行移动。该装置能够减少工艺复杂度和提高生产效率。
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公开(公告)号：CN111403608A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010180073.9
申请日：2020-03-16
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池串联组件的制备方法，制备得到钙钛矿太阳能电池，采用激光划线的方法将第一位置下方的金属电极、功能层和透明导电层全部去掉，然后通过激光转印的方法将绝缘材料转移到去除的功能层和透明导电层的位置，形成P1层；采用激光划线的方法将第二位置下方的金属电极和功能层去掉，然后通过激光转印的方法将绝缘材料转移到去除的功能层的位置，形成P2层；通过激光转印的方法将导电材料转印到P1层和P2层的上方；采用激光划线的方法将第三位置下方的金属电极去除，形成P3层；最终形成钙钛矿太阳能电池串联组件。本发明能减少工艺带来的误差，提高太阳能电池组件的有效面积，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN112670212B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202011543746.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请提供一种大面积印刷与激光退火制造装置及半导体制造方法，其衬底材料设置于移动载台的上表面上；加热器内嵌于移动载台的内部，且处于衬底材料的正下方；位移平台与移动载台平行间隔设置，且可相对移动载台进行平行移动；印刷机构可升降地连接于位移平台上；准分子激光发射器、扩束器以及光束整形器同轴设置，且处于位移平台的斜上方；转轮振镜、汇聚透镜间隔地安装于位移平台上，转轮振镜处于汇聚透镜的正上方，汇聚透镜处于衬底材料的正上方，且位移平台能够带动转轮振镜、汇聚透镜沿衬底材料的宽度方向进行移动。该装置能够减少工艺复杂度和提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117062507A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310928969.4
申请日：2023-07-26
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能PEDOT：PSS柔性热电薄膜及其制备方法。该热电薄膜，通过将PEDOT:PSS薄膜依次进行脉冲激光辐照和离子液体水溶液表面处理制备得到；其中：离子液体为1‑乙基‑3‑甲基咪唑鎓二氰胺；离子液体水溶液的体积百分浓度为10‑50％。本发明所得PEDOT:PSS柔性热电薄膜兼具较高的电导率和塞贝克系数，同时具有较高的功率因子；同时制备方法简单，原料绿色环保，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116847671A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310956074.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了基于超快激光的钙钛矿太阳能电池电子传输层表面处理方法，包括配制电子传输层前驱体溶液，在基底上沉积电子传输层薄膜；将激光器预热并设置好扫描路径及激光参数，聚焦后用超快激光高速扫描完成电子传输层薄膜的表面处理；在电子传输层薄膜上制备钙钛矿吸光层、空穴传输层、金属电极，得到完整钛矿太阳能电池器件；采用超快激光表面处理的方法，可以达到钝化电子传输层薄膜的不利界面缺陷，使其与上界面的钙钛矿层能级更加匹配，整体光电性能以及室温稳定性也得到一定程度地提高，同时加工时间至少缩短三分之二以上；超快激光处理属于低温处理工艺，不同于传统的热退火工艺，这为制备柔性钙钛矿器件提供了可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112358292B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202011251037.3
申请日：2020-11-11
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , B33Y10/00 , B33Y70/10 , B33Y80/00
Abstract: 本发明公开了一种三维纳米结构的金属氧化物陶瓷的制备方法，该制备方法包括以下步骤：(1)将掺杂有金属盐的光刻胶置于基底上；(2)利用飞秒激光三维微纳加工平台将基底上的光刻胶曝光；(3)除去未曝光的光刻胶，得到掺杂金属盐的三维有机物结构；(4)将掺杂金属盐的三维有机物结构进行烧结，除去有机物，得到三维纳米结构的金属氧化物陶瓷。本发明的制备方法简单，重复性强，适用于多种金属盐的掺杂以及多种光刻胶体系；本发明可通过调节激光参数，实现对金属氧化物陶瓷三维纳米结构精度的调控；可通过调节金属盐的含量，在烧结过程中实现金属氧化物陶瓷三维纳米结构精度的调控。
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公开(公告)号：CN113805438B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202111000941.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种单步法的深紫外微缩投影光刻并行制造系统及方法，包括深紫外飞秒激光光刻系统、外光路调制单元、微缩投影系统，三维移动平台系统，CCD光学成像系统，三维移动平台系统能与轴向或z方向位移的油浸物镜联动，控制飞秒激光在样品上的焦点位置以及位移运动；深紫外飞秒激光光刻系统与外光路调制单元、微缩投影系统连接，控制所发射的飞秒激光在整个制造过程中的强度、功率和曝光时间。能够解决微缩投影光刻技术难以应用于众多材料领域，难以实现大面积制造，并行化制造难以提供高精度的技术瓶颈。
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公开(公告)号：CN115340079A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210890589.1
申请日：2022-07-27
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B25/45 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种超细磷酸钒锂纳米微晶集成片及其制备方法与应用，所述制备方法包括步骤：将氧化石墨烯、钒源、锂源、磷源配置成混合液，超声搅拌后向所述混合液内加入还原剂，反应后冷冻干燥，得到磷酸钒锂前驱体粉末；将所述磷酸钒锂前驱体粉末在保护气氛下进行烧结，得到磷酸钒锂纳米微晶材料；将所述磷酸钒锂纳米微晶材料、导电添加剂、粘结剂与有机溶剂混合制成电极浆料，将所述电极浆料涂覆于集流体上，干燥后即得到超细磷酸钒锂纳米微晶集成片。本发明提供的超细磷酸钒锂纳米微晶集成片，通过缓解锂离子嵌入、脱出造成产热效应，进而提升材料的安全性能，使安全性能不再成为锂离子电池应用的障碍。
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公开(公告)号：CN113805438A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111000941.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种单步法的深紫外微缩投影光刻并行制造系统及方法，包括深紫外飞秒激光光刻系统、外光路调制单元、微缩投影系统，三维移动平台系统，CCD光学成像系统，三维移动平台系统能与轴向或z方向位移的油浸物镜联动，控制飞秒激光在样品上的焦点位置以及位移运动；深紫外飞秒激光光刻系统与外光路调制单元、微缩投影系统连接，控制所发射的飞秒激光在整个制造过程中的强度、功率和曝光时间。能够解决微缩投影光刻技术难以应用于众多材料领域，难以实现大面积制造，并行化制造难以提供高精度的技术瓶颈。
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公开(公告)号：CN111384313A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010278215.5
申请日：2020-04-10
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光前转移技术制备OLED发光器件的方法，包括以下步骤，先在ITO玻璃基板上蒸镀空穴传输层HTL，形成受主ITO玻璃基板；然后制备带有特定图案的待转移发光层EML的施主ITO玻璃基板；再利用飞秒激光脉冲将施主ITO玻璃基板上的发光层EML转移到步骤S1中的空穴传输层HTL上；最后在转移的发光层EML上蒸镀电子传输层ETL和金属阳极Al。本发明的方法可以在非真空条件下，将有机发光功能层薄膜材料以高分辨率和特定形状精准转移到相应基板上，不仅实现了转移区域的精确控制，且对加工环境要求低，降低成本的同时提高了生产效率。
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