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公开(公告)号：CN101817083A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010143559.1
申请日：2010-04-06
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及流延法制备Mg-Cu体系密度梯度材料的方法，该方法包括金属粉非水基流延料浆、流延成型、裁剪、叠层，以及将生坯进行排胶和用热压烧结步骤，其中：所述料浆中各组分质量含量为金属粉40～70％、分散剂0.6～1.2％、粘结剂2.5～3.5％、增塑剂1.6～3.5％、余量为丁酮溶剂，料浆的粘度为1～10000mPa·s，金属粉为镁粉、铜粉中的一种或者二种任意配比的混合粉，该粉粒径≤300目。该方法工艺简单、成本低，最重要的是所制备的Mg-Cu体系密度梯度材料的单层厚度可以达到μm量级、密度变化平缓、过渡层光滑连续的特点。
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公开(公告)号：CN116589286B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310654590.9
申请日：2023-06-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/645 , C04B35/581 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种采用乙酰丙酮钇作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷的方法，乙酰丙酮钇粉末与有机溶剂混合并加热后，加入一定质量比的氮化铝粉末，然后进行混合并球磨，得到混合粉末；所得混合粉末进行等离子活化烧结，得到氮化铝陶瓷块体材料。本发明开发了乙酰丙酮钇作为氮化铝烧结助剂的新用途，将其作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷有效解决了氮化铝粉体烧结中因氧杂质含量较高导致热导率降低的问题。
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公开(公告)号：CN116904916B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310750838.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法，包括：S1.原料准备：以高硅铁硅合金为硅源，以低硅硅钢片为基片，以Ag为介质；S2.将Ag置于硅源和基片之间形成硅源/Ag/基片扩散偶，将扩散偶于1100～1200℃、惰性气氛下烧结使Ag完全熔化，在硅源与基片之间形成液态Ag介质，渗硅一定时间，得到高硅硅钢片。本发明以低硅硅钢片作为基片，在硅源和基片中间引入熔融Ag作为液相介质，通过高温扩散渗硅的过程，在液相介质中硅源处与基片处建立合适的Si浓度梯度，可以提高基片表面Si含量，还能控制液相介质中的渗硅速率。
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公开(公告)号：CN105837224A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610374803.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/63
CPC classification number: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/6303 , C04B2235/445 , C04B2235/74 , C04B2235/77
Abstract: 本发明公开的氮化铝陶瓷的制备方法，是一种以氟化铵为添加剂的氮化铝陶瓷的制备方法，具体是：将氟化铵粉体和氮化铝粉体按质量配比(0.24～0.36):1分别称量，然后在刚玉研钵中充分研磨均匀，得到混合粉料；将制得的混合粉料装入模具中，再将模具置于等离子活化烧结炉中，在烧结温度1600～1800℃、保温时间3～5min、烧结压力30～40MPa和氮气气氛下进行致密化，最后得到氮化铝陶瓷。本发明采用氟化铵作为添加剂，克服了现有氧化物添加剂在氮化铝陶瓷烧结过程中引入新杂质的技术难题，在烧结过程中可有效减少AlON等杂相的生成，而又不引入其它杂质，同时也能促进陶瓷致密化，因而能够获得具有较高纯度和高致密度的氮化铝陶瓷。
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公开(公告)号：CN103589884B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310602223.0
申请日：2013-11-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种高性能钨铜复合材料的低温制备方法，该方法是：根据所需制备的钨铜复合材料的钨铜组分比例称量对应质量的铜包覆钨复合粉体和铜粉进行混料得到混合粉体，或直接用对应组分的铜包覆钨粉为烧结原料，将混合粉体或对应组分的铜包覆钨复合粉体装入模具中进行低温热压烧结即得到高性能的钨铜复合材料。本发明工艺简单、可靠，流程短，生产成本低、效率高；所制备出的钨铜复合材料钨含量分布宽、致密度高、具有铜网络结构、组分和结构均一、钨铜界面润湿性得到改善，并且具有优异的热、电、力学性能，因此在电子封装、电触头、电极加工材料等领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104371540A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410652035.3
申请日：2014-11-17
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C09D183/04 , C09D163/00 , B05D1/38 , B05D3/04
Abstract: 本发明涉及到一种以烷基烷氧基硅烷为载体，环氧树脂和三甲基氯硅烷为改性剂的功能梯度复合结构透明超疏水涂层的制备方法。涂层的梯度复合结构为：环氧底面粘结层、烷基烷氧基硅烷疏水中间层、表面改性功能层。首先在基板上涂覆环氧底面粘结层，再涂覆烷基烷氧基硅烷疏水中间层，最后利用三甲基氯硅烷进一步改善疏水性。涂层表面纳米颗粒均匀；接触角大于150°、滚动角小于2°；具有良好的疏水性能；机械性能良好，能耐受50次5Kpa下丝巾摩擦；透光性良好。此本发明提供的制备方法工艺简单，易操作，常压下进行大面积制膜，且对基底材料要求不高，成本较低，可用在高层建筑的窗户、车辆的挡风玻璃等透明材料的防水防污方面。
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公开(公告)号：CN104355307A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410567064.X
申请日：2014-10-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供的RGO/Cu纳米复合粉体的制备方法，具体是：先将氧化石墨烯还原，再用敏化，活化的方法使铜均匀地负载于石墨烯上，得到铜均匀负载于石墨烯片层上的纳米复合粉体。该方法包括石墨烯的敏化和活化、RGO/Cu纳米复合粉体的中间产物的制备、H2还原RGO/Cu的纳米复合粉体步骤。本发明提供的是一种制备铜均匀地负载于石墨烯片上的纳米复合材料的全新方法，具有高效、快速、操作比较简便、成本低、不需要使用昂贵仪器，以及节约能源等优点。
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公开(公告)号：CN103981382A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410218501.7
申请日：2014-05-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高导热金刚石/铜基复合材料的制备方法，由基体铜、金刚石粉末和钼镀层构成，钼的含量体积分数为1％～2％，其余为金刚石颗粒和铜；在金刚石和铜中，金刚石粉末含量体积分数为15％～50％。本发明可以解决在熔渗、粉末冶金等方法中金刚石粉末和铜不润湿导致的烧结致密化的难题，方法如下：一、采用磁控溅射方法在金刚石颗粒的表面镀钼，制成钼包金刚石粉；二、利用化学镀的方法在钼包金刚石粉的表面镀铜，制成铜包钼包金刚石粉；三、采用机械混和方式把步骤二中得到的复合粉末与一定比例纯铜粉混合；四、将步骤三制备的混合粉末真空热压烧结，得到金刚石/铜基复合材料，该材料具有较好的界面结合状况，高的致密度与热导率。
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公开(公告)号：CN103480837A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310476238.7
申请日：2013-10-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种碳纳米管增强铜基热用复合材料的制备方法，具体是：采用化学包覆的方法，在表面改性的碳纳米管表面包覆一层致密均匀的纳米铜，获得具有包覆厚度为100-200nm的Cu@CNT复合粉末，然后将Cu@CNT复合粉末和纯Cu粉按照体积百分比为Cu@CNT=0.1%-10.0%，Cu=90.0%-99.9%进行球磨混合均匀，将混合均匀粉末在100-500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，得到所述碳纳米管增强铜基热用复合材料。本发明可以获得致密度高的CNT增强Cu基热用复合材料，具有热导率高、CNT-Cu界面之间结合力强等优点。
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公开(公告)号：CN103464742A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310430077.8
申请日：2013-09-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种铜包覆银包覆钨的复合包覆粉体的制备方法，属于粉末冶金的粉体处理与制备技术领域。钨粉经过碱洗酸洗并经敏化活化形成预处理粉体，再进行表面包覆银形成纳米银层包覆钨复合粉体，最后将银包覆钨复合粉体进行包覆铜获得铜含量在5%～50%变化的铜包覆银包覆钨的复合包覆粉体。本发明制备的复合包覆粉体中铜、银包覆层均匀、完整、纯度高、质量可控。银层的加入可以明显改善钨铜界面润湿性。复合包覆粉体具有良好的烧结性能，钨铜复合材料的热学、力学等综合性能能够得到提升，复合包覆粉体可作为制备高性能钨铜复合材料的原材料，在电子封装、高温材料、电触头材料等领域具有广泛的应用前景。
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