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公开(公告)号：CN115232603B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202210558818.X
申请日：2022-05-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种能够低温固化的镓基液态金属热界面材料及其制备方法，属于散热材料技术领域。该材料由熔炼后的镓基液态金属和固化剂混合所得；以质量百分比计，镓基液态金属为25％～95％，固化剂为5％～75％；镓基液态金属为纯镓、镓铟合金、镓锡合金、镓锌合金、镓铟锡合金、镓铟锌合金或镓铟锡锌合金；固化剂为金属粉末。本发明材料具有远高于高分子基热界面材料的热导率，能够极大地降低界面接触热阻，且材料使用后能实现完全固化，彻底消除液态金属造成电子器件短路的风险；与金属基热界面材料相比，使用时无需经历高温焊接过程，极大地降低了材料连接工艺难度。本发明适用于高性能计算机、5G通讯和电子电力等高功率界面传热应用。
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公开(公告)号：CN115232603A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210558818.X
申请日：2022-05-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种能够低温固化的镓基液态金属热界面材料及其制备方法，属于散热材料技术领域。该材料由熔炼后的镓基液态金属和固化剂混合所得；以质量百分比计，镓基液态金属为25％～95％，固化剂为5％～75％；镓基液态金属为纯镓、镓铟合金、镓锡合金、镓锌合金、镓铟锡合金、镓铟锌合金或镓铟锡锌合金；固化剂为金属粉末。本发明材料具有远高于高分子基热界面材料的热导率，能够极大地降低界面接触热阻，且材料使用后能实现完全固化，彻底消除液态金属造成电子器件短路的风险；与金属基热界面材料相比，使用时无需经历高温焊接过程，极大地降低了材料连接工艺难度。本发明适用于高性能计算机、5G通讯和电子电力等高功率界面传热应用。
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公开(公告)号：CN113866214A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111113073.8
申请日：2021-09-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开一种电流作用下损耗因子测试装置及测试方法，包括控温加热炉、计算机、驱动机构、电源、第一铜丝和第二铜丝以及用于夹持试样两端的活动夹具和固定夹具，电源、第一铜丝、试样和第二铜丝形成电回路，用计算机控温加热炉在一定的频率和温度范围进行测试，同时打开电源、冷却气罐和保护气罐，计算机自带数据存储系统可以记录材料的损耗因子随温度的变化。本发明在测量材料的损耗因子随温度变化时引入了电流，实现了材料在电流作用下损耗因子的测量，弥补了以往损耗因子测试装置只能在非电场环境下测材料损耗因子的不足；因此，本发明的提出有一定的科学和工程意义，并且该方法的应用前景较广，实验装置简单，实际操作易于实现。
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公开(公告)号：CN112540100A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011369727.9
申请日：2020-11-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于珀尔帖效应的微焊点热迁移装置及其测试方法，通过使用所述致热结构和致冷结构抵持所述试样，装置通电后进行热迁移测试，记录相应温度后使用有限元电热耦合分析，可获取试样焊点的温度梯度，从而获得可靠稳定的微焊点热迁移数据；根据珀尔帖效应改变加载电流控制焊点冷热端的温度差，得到较大的温度梯度；还可以通过控制焊点的高度得到不同的温度梯度；同时外部使用所述加固板组件夹持固定，结构简洁，解决了现有技术中的热迁移装置结构复杂、温度梯度不易控制的技术问题。
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公开(公告)号：CN119372455A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411496706.1
申请日：2024-10-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电子封装与半导体制造技术领域，尤其涉及一种在甲酸气氛下阻止锡飘散的方法。现有技术中，甲酸还原锡的过程中容易生成甲酸锡，并且甲酸锡升华为气相后难以被完全消耗，导致锡元素的飘散和质量损失，进而影响产品质量和生产稳定性。现有的气吹等方法无法有效解决这一问题。本发明通过在反应体系中加入贵金属催化剂，改变化学反应路径，有效阻止甲酸锡的生成，从而减少锡的飘散，提高工艺的稳定性和产品质量，降低生产成本和环境污染。本发明具有简单有效、工艺稳定、环保友好和经济效益显著等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113984829B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111239076.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 本发明公开一种通电下薄膜材料热膨胀系数的测试装置及测试方法，包括控温加热炉、底座、固定石英管、活动石英管、活动推杆、自平衡机构、位移传感器、计算机以及用于夹持薄膜材料试样两端的下活动夹具和上活动夹具，电源、第一铜丝、薄膜材料试样和第二铜丝形成电回路，用计算机和控温加热炉在一定的温度范围进行测试，计算机用于显示薄膜材料试样的应变‑温度曲线，通过计算曲线线型段的斜率即可获得其热膨胀系数。本发明可实现对薄膜材料在电流作用下的热膨胀系数进行测量，弥补了现有技术只能在非电场环境下测量薄膜材料热膨胀系数的不足，因此具有一定的工程和科学意义，应用前景广泛，测试装置简单，测试方法易实现。
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公开(公告)号：CN115464300B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211067247.6
申请日：2022-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了焊料用增强材料的加工方法、复合焊料及其加工方法，对Cu粉末、Sn粉末、Ni粉末物质的量比为2.5‑3.0:3.0‑3.5:1的原料进行烧结，所述烧结步骤主要作用温度为450℃‑550℃；将含有Sn粉末、Bi粉末和近非晶态增强材料粉末的原料置280‑320℃中熔化后冷却，得到复合焊料。本发明提出了一种简单、可靠、高品质的制备近非晶态多相金属间化合物(IMC)样品的方法，这种IMC微米颗粒可成为改善SnBi焊料力学性能的一种潜在的复合材料增强体。
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公开(公告)号：CN115791427A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211089345.X
申请日：2022-09-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电流作用下阻尼材料的高温激活能测试方法及蠕变机制预测方法，高温激活能测试方法包括：将目标阻尼材料制成预设尺寸规格的待测样品；将待测样品安装固定于阻尼材料测试平台上；利用阻尼材料测试平台对待测样品进行电流作用下的阻尼测试，以得到待测样品在一定电流密度和激振频率下随温度变化的阻尼值；基于测试得到的阻尼值利用预先构建的阻尼材料的高温激活能计算模型计算得到一定电流密度下阻尼材料的高温激活能。本发明能够对阻尼材料在一定电流密度、温度、激振频率下的高温激活能进行定量描述，以及对阻尼材料在一定电流密度的电流作用下的蠕变机制进行快速预测。因此，本发明的提出有一定的科学和工程意义。
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公开(公告)号：CN114441585A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111408769.3
申请日：2021-11-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N25/00 , G01N21/84 , G01N23/2251 , G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种原位观察微焊点微观组织演化的方法。该方法包括：(1)微焊点制备：制备出不同钎料成分的单个微焊点；(2)使用环氧树脂将其镶嵌固封起来；(3)样品制备：沿微焊点纵截面方向先后进行粗磨、细磨、抛光、腐蚀和清洗；(4)使用光学显微镜或扫描电子显微镜对微焊点进行微观组织观察；(5)在油浴环境下对微焊点进行热时效或者电迁移，使微焊点微观组织发生演化；(6)重复步骤(3)至步骤(5)，记录微焊点微观组织的变化过程。本发明实验测试中均使用同一个焊点样品，兼具减少实验步骤、减少实验误差、提高实验可信度的优点，还可以更加直观连续地观察在通电(电迁移)或热时效(老化)等条件下焊点微观结构的演化。
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公开(公告)号：CN113984829A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111239076.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 本发明公开一种通电下薄膜材料热膨胀系数的测试装置及测试方法，包括控温加热炉、底座、固定石英管、活动石英管、活动推杆、自平衡机构、位移传感器、计算机以及用于夹持薄膜材料试样两端的下活动夹具和上活动夹具，电源、第一铜丝、薄膜材料试样和第二铜丝形成电回路，用计算机和控温加热炉在一定的温度范围进行测试，计算机用于显示薄膜材料试样的应变‑温度曲线，通过计算曲线线型段的斜率即可获得其热膨胀系数。本发明可实现对薄膜材料在电流作用下的热膨胀系数进行测量，弥补了现有技术只能在非电场环境下测量薄膜材料热膨胀系数的不足，因此具有一定的工程和科学意义，应用前景广泛，测试装置简单，测试方法易实现。
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