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发明公开
一种基于铌酸锂薄膜的可重构模式开关审中-实审

公开(公告)号：CN118068626A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410381296.X

申请日：2024-03-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 尚玉玲 , 梅礼鹏 , 段阁飞 , 李春泉 , 姜辉 , 宋卓凡 , 黄国涛 , 邓淑婕 , 胡玉凤

IPC: G02F1/313

Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的可重构模式开关的结构设计，属于光波导开关和模分复用领域。本发明的基础为铌酸锂晶体的电光效应。本发明主要的结构为两个对称定向耦合单元DC1和DC2，当电极不工作时，E21模式在DC1中耦合，进入相邻波导，E31模式在DC2中耦合，进入相邻波导。当DC1中工作电压为25.8V时，E21模式在DC1处的耦合几乎完全被抑制，DC2中工作电压为16.9V时，E31模式在DC2处的耦合被完全抑制，由此实现波导模式的可重构分差复用，为可重构模分复用网络提供了选择。

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