公开(公告)号：CN114747020A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080082446.7

申请日：2020-11-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  樋口安史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  C30B29/16 ,  C23C16/40

Abstract: 一种半导体装置，至少具有结晶性氧化物半导体层，其特征在于，所述结晶性氧化物半导体层的带隙为4.5eV以上，场效应迁移率为10cm2/V·s以上。

公开(公告)号：CN112424950A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046763.0

申请日：2019-07-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝 ,  雨堤耕史

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H02M3/28

Abstract: 本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，在n型半导体层(例如，将氧化物半导体作为主成分包含的n型半导体层等)与电极之间设置有一个或两个以上的p型半导体(例如，经p型掺杂的结晶性氧化物半导体等)，所述半导体装置的特征在于，所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中，并且从所述n型半导体层向所述电极内突出。

公开(公告)号：CN110870079B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201880045648.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勲 ,  神原仁志 ,  四戸孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体区域和设置在该半导体区域上的势垒电极，在所述半导体区域与所述势垒电极之间设置有势垒高度调整区域，与所述半导体区域与所述势垒电极的界面中的势垒高度相比，所述势垒高度调整区域与所述势垒电极之间的势垒高度更大，在所述半导体区域表面嵌入有多个所述势垒高度调整区域。

公开(公告)号：CN111357119B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201880074220.5

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  杉本雅裕 ,  四户孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，其可以减小反向的漏电流，而且例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，能够不使半导体特性恶化且实现优良的半导体特性。一种半导体装置，至少包括n型半导体层，具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如为α‑Ga2O3等)作为主成分；以及电场屏蔽层和闸电极，分别直接或隔着其他层被层叠于该n型半导体层上，其中，该电场屏蔽层包含p型氧化物半导体，而且该电场屏蔽层比该闸电极更深地埋入于该n型半导体层中。

公开(公告)号：CN112424947A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046489.7

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其为常闭型半导体装置且包括氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有刚玉结构，或者包含氧化镓或其混晶作为主成分，所述半导体装置的阈值电压为3V以上。

公开(公告)号：CN112424945A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046420.4

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种层叠结构体，其特征在于，在包含氧化镓或其混晶作为主成分的氧化物半导体膜上，层叠有包含元素周期表第15族元素中的至少一种元素的氧化膜。

公开(公告)号：CN112385048A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980046507.1

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，至少具有反型沟道区域，所述反型沟道区域具有包含结晶的氧化物半导体膜，所述结晶具有刚玉结构。

公开(公告)号：CN117223111A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280031272.0

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  松田慎平 ,  樋口安史 ,  则松和良

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的、耐压性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备：结晶性氧化物半导体层(8)，包括沟道层(6)、漂移层(7)和源极区域(1)；栅电极(5a)，经由栅极绝缘膜(4a)配置在该沟道层上；电流阻断区域(2)，配置在所述沟道层与所述漂移层之间；以及源电极(5b)，设置在所述源极区域上，其中，所述电流阻断区域由高电阻层构成，所述源电极与所述电流阻断区域形成接触。

公开(公告)号：CN109427867B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810971991.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  髙桥勲 ,  四户孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN114747021A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080082526.2

申请日：2020-11-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  樋口安史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/365 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  C23C16/40

Abstract: 制作半导体装置以用作功率器件，该半导体装置至少具有高电阻氧化物膜，电阻为1.0×106Ω·cm以上的高电阻氧化物膜沿着电流的流动方向配置，或者配置于源极与漏极之间，或者配置于所述源极或/和所述漏极与基板之间。