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公开(公告)号：CN100541158C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN03816809.X
申请日：2003-07-18
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M11/3181
Abstract: 一种光纤偏振波模式分散的测定方法，将作为单一直线偏振波的脉冲光输入到被测定光纤，并从该输入脉冲光的反向散射光分离出单一直线偏振波，然后，将该光强度作为从脉冲光发生开始的时序数据检测出来，计算出该时序数据中光强度的离差，并基于该算出值来评价上述被测定光纤的偏振波模式分散。
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公开(公告)号：CN1400478A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02126954.8
申请日：2002-07-24
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/00 , C03B37/012
CPC classification number: G02B6/03688 , C03B37/01228 , C03B37/014 , C03B37/01861 , C03B2203/22 , C03B2203/36 , G02B6/02238 , G02B6/02261 , G02B6/0228 , G02B6/03605 , G02B6/03627 , G02B6/03644 , Y02P40/57
Abstract: 一种制造光纤预制棒的改进方法，使用了CVD方法，其中部分或整个光纤预制棒是通过在底管(14)的内壁上淀积玻璃形成的。方法包括第一步在底管(14)的内壁上淀积玻璃并破坏底管(14)以形成硅棒；第二步去掉硅棒周围的底管(14)或去掉底管(14)和部分有机玻璃；第三步在第二步中得到的硅棒的外表面上淀积玻璃。通过使用本方法将镀层(19)的折射率设置为小于纯硅的折射率，可以得到传输损耗非常低的光纤。
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公开(公告)号：CN1337010A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802639.4
申请日：2000-09-08
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/03666 , C03B37/01413 , C03B37/01807 , C03B2201/02 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03B2203/36 , G02B6/02019 , G02B6/02238 , G02B6/03611 , G02B6/03633
Abstract: 在本发明中,通过构成下述色散位移光纤,可降低系统的成本、并可谋求传输特性的提高,该光纤由中心芯线部1;在其外周上设置的折射率比该中心芯线部1低的台阶芯线部;以及在该台阶芯部2的外周上设置的折射率比该台阶芯线部2低的包层7构成,在从1490～1625nm中选择的使用波段中,波长色散值为7～15ps/km/nm,Aeff为60～150μm2,色散斜率为0.09ps/km/nm2以下,弯曲损耗为100dB/m以下,且具有实际上成为单模传输的截止波长。
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公开(公告)号：CN1319192A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN00801537.6
申请日：2000-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/0365 , G02B6/02014 , G02B6/02242 , G02B6/02257 , G02B6/02271 , G02B6/03611 , G02B6/03633
Abstract: 在具有由高折射率的中心芯部、设置在其外周上、比该中心芯部折射率还低的台阶型芯部、设置在该台阶型芯部的外周上的、比该台阶型芯部折射率还低的包层构成的折射率分布形状的色散迁移光纤上,通过合适地设定结构参量,在维持实质上为单模以及弯曲损耗在100dB/m以下的条件下,获得可以同时满足扩大Aeff和降低色散损耗的色散迁移光纤。
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公开(公告)号：CN101896845B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN200980101352.3
申请日：2009-08-04
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/02 , C03C13/046 , G02B6/02395 , G02B6/024 , G02B6/0285 , G02B6/03611 , G02B6/03633 , G02B6/03638 , G02B6/03644 , G02B6/0365 , G02B6/03661 , H01S3/06708 , H01S3/06716 , H01S3/0672 , H01S3/06729 , H01S3/06737 , H01S3/1618 , H01S3/1691 , H01S3/1693
Abstract: 本发明的添加有镱的光纤具备至少含有镱、铝和磷的芯和包围该芯的包层，上述芯中的上述铝的氧化铝换算浓度为0.2摩尔％以上，上述芯中的上述磷的五氧化二磷换算浓度比上述氧化铝换算浓度高，并且上述芯不含有锗或者以二氧化锗换算计含有小于1.1摩尔％的锗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103038682B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180037557.7
申请日：2011-09-28
Applicant: 株式会社藤仓 , 国立大学法人北海道大学
CPC classification number: G02B6/02009 , G02B6/02347 , G02B6/0281 , H01S3/06741
Abstract: 一种固态光子带隙光纤，构成为针对光纤长度方向的截面的中心部分的纤芯区域由低折射率的固体物质形成，包围该纤芯区域的包层区域的基体部由低折射率的固体物质形成，在该包层区域中，由高折射率的固体物质形成的多个微细的高折射率散射体按照包围纤芯区域的方式分散配置，通过在被保持为规定的弯曲半径的状态下，利用因弯曲而产生的基模与高次模的弯曲损耗之差，来限制高次模下的传输，实际上仅传输基模。
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公开(公告)号：CN102197550A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980143297.4
申请日：2009-11-04
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01S3/06
CPC classification number: H01S3/06716 , C03C2201/28 , H01S3/06733 , H01S3/06754 , H01S3/1618 , H01S3/1693 , H01S3/175 , H01S3/302
Abstract: 本发明的掺镱光纤具备至少含有镱、铝及磷的芯和围绕该芯的包层，所述芯中的所述磷的五氧化二磷换算摩尔浓度与所述芯中的所述铝的氧化铝换算摩尔浓度是相同的，所述芯中的所述磷的五氧化二磷换算摩尔浓度与所述芯中的所述镱的氧化镱换算摩尔浓度之比为10～30，所述芯与所述包层的相对折射率差为0.05％～0.30％。
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公开(公告)号：CN100538310C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200480030685.9
申请日：2004-10-21
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/02285 , G01M11/3181
Abstract: 一种光纤偏振模色散测定方法，其特征在于：根据将光纤卷绕于绕线筒的场合的拍长、及将该光纤制成光缆的场合的平均耦合长度，来推定将该光纤制成光缆的场合的偏振模色散。
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公开(公告)号：CN100403070C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN02126954.8
申请日：2002-07-24
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/00 , C03B37/012
CPC classification number: G02B6/03688 , C03B37/01228 , C03B37/014 , C03B37/01861 , C03B2203/22 , C03B2203/36 , G02B6/02238 , G02B6/02261 , G02B6/0228 , G02B6/03605 , G02B6/03627 , G02B6/03644 , Y02P40/57
Abstract: 一种制造光纤预制棒的改进方法，使用了CVD方法，其中部分或整个光纤预制棒是通过在底管(14)的内壁上淀积玻璃形成的。方法包括第一步在底管(14)的内壁上淀积玻璃并破坏底管(14)以形成硅棒；第二步去掉硅棒周围的底管(14)或去掉底管(14)和部分有机玻璃；第三步在第二步中得到的硅棒的外表面上淀积玻璃。通过使用本方法将镀层(19)的折射率设置为小于纯硅的折射率，可以得到传输损耗非常低的光纤。
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公开(公告)号：CN100353192C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410098270.7
申请日：2000-07-11
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/03666 , G02B6/02019 , G02B6/02238 , G02B6/03611 , G02B6/03633 , G02B6/03644 , G02B6/0365
Abstract: 本发明提供一种色散位移光纤，其由芯体和设置其外周上的包层形成，该芯体包括中心芯部；周边芯部，该周边芯部设置该中心芯部的外周上，其折射率大于该中心芯部，所述包层具有其折射率小于所述周边芯部的折射率分布形状，通过适当地设定结构参数，满足实质上为单一模式，并且弯曲损耗在100dB/m以下的条件，另外可充分地增加有效芯体截面面积，并且减小色散斜率。
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