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公开(公告)号：CN104282533A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410323137.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , B24B37/005 , B24B37/04
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/042 , B24B49/12 , H01L21/67288 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 一种研磨方法，对基板的周缘部是否有异常部位进行检查，在未检测出异常部位的场合对基板进行研磨，在检测出异常部位的场合不对基板进行研磨。作为基板的异常部位，如有附着在基板周缘部上的粘接剂等异物。在基板的研磨后，再次对基板的周缘部是否有异常部位进行检查。采用本发明的研磨方法，可将基板的破损防患于未然。
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公开(公告)号：CN101689495B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200880024126.5
申请日：2008-06-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B9/00
CPC classification number: B24B49/12 , B24B9/065 , B24B37/005
Abstract: 本发明具备：载置台(20)，用于保持衬底W；载置台旋转机构(40)，用于使载置台旋转；研磨头(42)，用于研磨保持在载置台上的衬底的周缘部；控制部(70)，控制载置台(20)、载置台旋转机构(40)及研磨头(42)的动作；图像取得部(61)，通过与衬底的周缘部相对配置的至少1个末端摄像部(60)取得该衬底的周缘部的图像；图像处理部(62)，处理来自图像取得部的图像；及液体喷射部(51)，向衬底的周缘部喷射具有透光性的液体，在衬底的周缘部和末端摄像部之间充满液体。
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公开(公告)号：CN111644975A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010123454.3
申请日：2020-02-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 金马利文
IPC: B24B37/005 , B24B37/10 , B24B49/12 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种加强氙气闪光灯等闪光光源的光的强度，从而正确地测定晶片等基板的膜厚的研磨方法。该研磨方法为，在光学传感器头(7)横跨基板(W)地移动的期间，使闪光光源(44)在光检测器(48)的曝光时间E1内多次发光，使光通过光学传感器头(7)而引导至基板(W)，且使来自基板(W)的反射光通过光学传感器头(7)而导入至光检测器(48)，而且使闪光光源(44)在光检测器(48)的曝光时间E2内多次发光，使光通过光学传感器头(7)而引导至基板(W)，且使来自基板(W)的反射光通过光学传感器头(7)而导入至光检测器(48)，生成反射光的光谱，根据光谱来检测基板(W)的表面状态。
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公开(公告)号：CN104117903B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201410172021.1
申请日：2014-04-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 金马利文
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
Abstract: 一种研磨方法以及研磨装置，该研磨方法在基板的研磨中接受从该基板反射的光，根据该反射光生成光谱波形，对光谱波形进行傅里叶变换处理，确定基板的膜的厚度以及所对应的频率成分的强度，在频率成分的强度高于规定的阈值的情况下，将确定的膜的厚度认定为可靠性高的测量值，在确定的频率成分的强度为规定的阈值以下的情况下，将确定的膜的厚度认定为可靠性低的测量值，根据可靠性高的测量值达到规定的目标值的时刻而确定基板的研磨终点，使所述规定阈值根据不良数据率而变化。采用本发明，能在基板的研磨中取得形成在基板上的膜的正确厚度，并根据得到的膜的厚度而能准确地确定基板的研磨终点。
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公开(公告)号：CN1820346B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200480019519.9
申请日：2004-04-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01J37/28 , H01L21/66 , G01N23/225
Abstract: 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101630623A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910164111.5
申请日：2004-04-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01J37/28 , H01J37/05 , H01L21/66 , G01N23/225
Abstract: 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。
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公开(公告)号：CN1820346A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200480019519.9
申请日：2004-04-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01J37/28 , H01L21/66 , G01N23/225
Abstract: 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。
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公开(公告)号：CN111644975B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202010123454.3
申请日：2020-02-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 金马利文
IPC: B24B37/005 , B24B37/10 , B24B49/12 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种加强氙气闪光灯等闪光光源的光的强度，从而正确地测定晶片等基板的膜厚的研磨方法。该研磨方法为，在光学传感器头在光检测器(48)的曝光时间E1内多次发光，使光通过光学传感器头(7)而引导至基板(W)，且使来自基板(W)的反射光通过光学传感器头(7)而导入至光检测器(48)，而且使闪光光源(44)在光检测器(48)的曝光时间E2内多次发光，使光通过光学传感器头(7)而引导至基板(W)，且使来自基板(W)的反射光通过光学传感器头(7)而导入至光检测器(48)，生成反射光的光谱，根据光谱来检测基板(W)的表面状态。(7)横跨基板(W)地移动的期间，使闪光光源(44)
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公开(公告)号：CN116945032A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310447683.4
申请日：2023-04-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/12 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种表面性状测定系统、表面性状测定方法、研磨装置以及研磨方法，不会损伤研磨垫并且不会降低研磨处理整体的生产率，能够精度良好地测定研磨垫的表面性状。表面性状测定系统(40)具备：光学测定装置(41)，该光学测定装置向旋转的研磨垫(2)的研磨面(2a)照射光，基于来自研磨面(2a)的反射光来测定研磨垫(2)的表面性状；罩部件(44)，该罩部件配置在光学测定装置(41)与研磨垫(2)之间；以及透明液供给线路(45)，该透明液供给线路与设置于罩部件(44)的注入口(44b)连结，通过注入口(44b)向研磨垫(2)上供给透明液，罩部件(44)在光和反射光的光路上具有光透过部(44a)。
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公开(公告)号：CN114434314A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210133260.0
申请日：2018-07-19
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供能够高精度地测定膜厚而不影响晶片的研磨率的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨头(5)，用于将晶片(W)按压于研磨垫；投光光纤(34)，具有顶端(34a)，并且连接于光源(30)，所述顶端配置在研磨台(3)内的流路(7)内；分光仪(26)，根据波长分解来自晶片的反射光并对各波长的反射光的强度进行测定；受光光纤(50)，具有顶端(50a)，并且连接于分光仪，所述顶端配置在流路内；处理部(27)，确定晶片的膜厚；液体供给线路(62)，与流路连通；气体供给线路(63)，与流路连通；液体供给阀(65)，安装于液体供给线路；气体供给阀(67)，安装于气体供给线路；以及动作控制部(71)，控制液体供给阀及气体供给阀的动作。
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