处理方法及处理组件
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112091809A

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN202010986718.8

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法,抛光处理装置及方法,能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备:头,安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫;以及抛光臂(600‑1、600‑2),用于对头进行保持。头包含:安装有比晶片(W)直径小的第一抛光垫(502‑1)的第一抛光头(500‑1);以及安装有比第一抛光垫(502‑1)直径小的第二抛光垫(502‑2)的与第一抛光头(500‑1)不同的第二抛光头(500‑2)。

    处理组件及处理方法
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112091809B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202010986718.8

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法,抛光处理装置及方法,能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备:头,安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫;以及抛光臂(600‑1、600‑2),用于对头进行保持。头包含:安装有比晶片(W)直径小的第一抛光垫(502‑1)的第一抛光头(500‑1);以及安装有比第一抛光垫(502‑1)直径小的第二抛光垫(502‑2)的与第一抛光头(500‑1)不同的第二抛光头(500‑2)。

    研磨装置及处理方法
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105479324B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201510640665.3

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法,抛光处理装置及方法,能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备:头,安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫;以及抛光臂(600‑1、600‑2),用于对头进行保持。头包含:安装有比晶片(W)直径小的第1抛光垫(502‑1)的第1抛光头(500‑1);以及安装有比第1抛光垫(502‑1)直径小的第2抛光垫(502‑2)的与第1抛光头(500‑1)不同的第2抛光头(500‑2)。

    抛光研磨处理中研磨量的模拟方法及抛光研磨装置

    公开(公告)号:CN107107309A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201680003000.4

    申请日:2016-01-18

    Abstract: 本发明以如下为一个课题:考虑小径的抛光垫从被研磨基板突出时在基板的边缘附近产生的压力集中,来进行抛光研磨量的模拟。根据本发明的一实施方式,提供一种研磨量的模拟方法,对使用尺寸比研磨对象物小的研磨垫来对研磨对象物进行抛光研磨时的研磨量进行模拟,该研磨量的模拟方法具有以下步骤:依研磨垫相对于研磨对象物的突出量,使用压力传感器测定从所述研磨垫施加给研磨对象物的压力分布;及根据突出量及测定出的压力分布,修正用于研磨量的模拟的压力。

    抛光组件及基板处理装置
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105390417A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510532602.6

    申请日:2015-08-26

    Abstract: 本发明提供一种抛光组件及基板处理装置,用于对基板进行抛光处理,该抛光组件具有:抛光台,该抛光台用于支承所述基板且该抛光台能够旋转;以及安装有抛光垫的一个抛光头,该抛光头构成为能够旋转,且构成为能够向靠近所述抛光台的方向及从该抛光台远离的方向移动,所述抛光垫具备第1部位与第2部位,所述第2部位在所述第1部位的外侧以包围所述第1部位的方式配置,所述第1部位与所述第2部位的特性相互不同。通过该抛光组件及基板处理装置能够抑制基板的损伤地进行研磨,或者,能够高效率地清洗去除粘性较大的异物等。

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