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公开(公告)号：CN107254715A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710281775.4
申请日：2011-12-16
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: C30B29/36 , C30B25/14 , C30B25/165 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
Abstract: 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应原料气体(3)来在籽晶(5)上生长碳化硅单晶。该装置包括加热容器(8)和定位于加热容器中的基部(9)。籽晶安装于基部上。该装置还包括用于引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动的第一入口(8b)、用于将净化气体供应至第一入口的净化气体源(14)、用于引起净化气体沿着基部的外壁表面流动的第二入口(93)、以及用于支撑基部以及用于将净化气体从基部的下面供应至基部的机构(11)。
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公开(公告)号：CN113539808A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389491.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/28 , H01L21/683
Abstract: 氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101906664B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010196460.8
申请日：2010-06-03
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B29/36 , C23C16/4402 , C30B25/14
Abstract: 本发明的碳化硅单晶制造装置具备反应容器(10)、配置在反应容器(10)内的晶种(5)和加热容器(9)。晶种(5)被配置在反应容器(10)的上方，从反应容器(10)下方供给原料气体(3)。加热容器(9)相对于反应容器(10)被配置在原料气体(3)的流动路径上游侧。加热容器(9)具备中空筒状部件(9c)、原料气体入口(9a)、原料气体供给喷嘴(9b)和多个挡板(9d～9i)。原料气体入口(9a)向中空筒状部件(9c)内导入原料气体(3)。原料气体供给喷嘴(9b)将原料气体(3)从中空筒状部件(9c)向反应容器(10)中排出。多个挡板(9d～9i)在从原料气体入口(9a)到原料气体供给喷嘴(9b)之间被配置在原料气体(3)的流动路径上。
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公开(公告)号：CN102134743A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010621547.5
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 小岛淳
Abstract: 一种SiC单结晶制造装置(1)包括基座(9a)和加热坩埚(8)，籽晶(5)布置在基座上，加热坩埚(8)相对于基座(9a)布置在原料气体(3)的流动通道上游侧。通过从中空筒形件的上游端引入原料气体(3)并且从中空筒形件的下游端排出原料气体(3)，加热坩埚(8)将原料气体(3)供应给籽晶(5)。缩径部分(8d)布置在中空筒形件的下游端，其开口部分的尺寸小于中空筒形件的开口尺寸。缩径部分(8d)的整个开口部分被包含在这样的区域内，即基座(9a)的外边沿着加热坩埚(8)的中心轴线方向投影所限定的区域。
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公开(公告)号：CN113539927B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202110389082.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种用于制造氮化镓半导体器件的方法，包括：制备氮化镓晶片(1)；在氮化镓晶片上形成外延生长膜(3)，以提供具有芯片形成区域(RA)的已处理晶片(10)；在已处理晶片的一个表面侧上执行表面侧处理；去除氮化镓晶片，并将已处理晶片分开成芯片形成晶片(30)和回收晶片(40)；在芯片形成晶片的另一表面侧形成另一表面侧元件部件(60)。
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公开(公告)号：CN102534770A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110431762.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: C30B29/36 , C30B25/14 , C30B25/165 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
Abstract: 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应原料气体(3)来在籽晶(5)上生长碳化硅单晶。该装置包括加热容器(8)和定位于加热容器中的基部(9)。籽晶安装于基部上。该装置还包括用于引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动的第一入口(8b)、用于将净化气体供应至第一入口的净化气体源(14)、用于引起净化气体沿着基部的外壁表面流动的第二入口(93)、以及用于支撑基部以及用于将净化气体从基部的下面供应至基部的机构(11)。
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公开(公告)号：CN101906664A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010196460.8
申请日：2010-06-03
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B29/36 , C23C16/4402 , C30B25/14
Abstract: 本发明的碳化硅单晶制造装置具备反应容器(10)、配置在反应容器(10)内的晶种(5)和加热容器(9)。晶种(5)被配置在反应容器(10)的上方，从反应容器(10)下方供给原料气体(3)。加热容器(9)相对于反应容器(10)被配置在原料气体(3)的流动路径上游侧。加热容器(9)具备中空筒状部件(9c)、原料气体入口(9a)、原料气体供给喷嘴(9b)和多个挡板(9d～9i)。原料气体入口(9a)向中空筒状部件(9c)内导入原料气体(3)。原料气体供给喷嘴(9b)将原料气体(3)从中空筒状部件(9c)向反应容器(10)中排出。多个挡板(9d～9i)在从原料气体入口(9a)到原料气体供给喷嘴(9b)之间被配置在原料气体(3)的流动路径上。
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