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公开(公告)号:CN110177898B
公开(公告)日:2021-01-01
申请号:CN201880007119.8
申请日:2018-10-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种在溅射烧结靶并成膜时,衬底面内薄膜厚度分布良好成膜的溅射装置。溅射装置(SM)具有:真空室(1),其具有烧结原料粉末而成的靶(31);磁铁单元(4),靶不可旋转地安装在真空室中,所述磁铁单元具有配置在靶上方的同一平面内的磁铁(41,42)并使贯通靶的漏磁场多集中在溅射面上发挥作用;旋转轴(44),其配置在穿过靶中心的中心线(CI)上并与磁铁单元连接;以及驱动电机(45),其旋转驱动旋转轴,使磁铁单元旋转以便漏磁场对于溅射面的作用区域在以靶中心为中心的虚拟圆周上旋转;溅射装置还具有倾斜装置(5),其使旋转轴相对于中心线倾斜以便根据原料粉末烧结时靶的密度分布使各磁铁相对于靶的上表面接近、远离。
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公开(公告)号:CN111263831A
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN201980004189.2
申请日:2019-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 阴极装置(20)具备:旋转板(26),其固定有磁路(27);旋转机构(21),其接受电机(21M)的动力,使旋转板(26)绕旋转轴(25)旋转;直线运动型并行连杆机构(22~24),其具备将旋转轴(25)支承为能够旋转的末端执行器(24)、前端与末端执行器(24)连接且从末端执行器(24)以放射状延伸的六根连杆(23)、分别接受直线运动致动器(22M)的动力而使相邻的两根连杆(23)的基端沿着一方向移动的三个直线运动机构(22);以及控制部(30),其对旋转轴(25)基于各直线运动致动器(22M)的协调动作的位置变更以及旋转轴(25)基于电机(21M)动作的旋转进行控制。
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公开(公告)号:CN110177898A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201880007119.8
申请日:2018-10-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种在溅射烧结靶并成膜时,衬底面内薄膜厚度分布良好成膜的溅射装置。溅射装置(SM)具有:真空室(1),其具有烧结原料粉末而成的靶(31);磁铁单元(4),靶不可旋转地安装在真空室中,所述磁铁单元具有配置在靶上方的同一平面内的磁铁(41,42)并使贯通靶的漏磁场多集中在溅射面上发挥作用;旋转轴(44),其配置在穿过靶中心的中心线(CI)上并与磁铁单元连接;以及驱动电机(45),其旋转驱动旋转轴,使磁铁单元旋转以便漏磁场对于溅射面的作用区域在以靶中心为中心的虚拟圆周上旋转;溅射装置还具有倾斜装置(5),其使旋转轴相对于中心线倾斜以便根据原料粉末烧结时靶的密度分布使各磁铁相对于靶的上表面接近、远离。
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