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公开(公告)号：CN115023896A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202180011353.X
申请日：2021-02-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 降低在比为了得到特性而使用的激励模式靠高频侧的频带中产生的高阶模式的杂散。弹性波装置(1)具备支承基板、压电体层(3)以及IDT电极(6)。压电体层(3)设置于支承基板。IDT电极(6)设置于压电体层(3)，且具有多个电极指(63)。多个电极指(63)的交叉宽度(W1)为5λ以下。
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公开(公告)号：CN112054780A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010497318.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
Abstract: 提供能抑制通带外的杂散的弹性波装置。弹性波装置(1)具备高声速支承基板(3)、设置在高声速支承基板(3)上的低声速膜(4)、设置在低声速膜(4)上的压电体层(5)和设置在压电体层(5)上的IDT电极(6)。在高声速支承基板(3)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的弹性波的声速高。在低声速膜(4)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的体波的声速低。低声速膜(4)具有第1部分(A)和位于比第1部分(A)更靠高声速支承基板(3)侧的第2部分(B)。第1部分(A)及第2部分(B)由同种材料构成。在将低声速膜(4)的第1部分(A)处的密度设为ρ1，将第2部分(B)处的密度设为ρ2时，密度ρ1和密度ρ2不同。
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公开(公告)号：CN111602337A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880086018.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明在抑制通带的特性劣化的同时，减小在比通带靠高频侧产生的高次模式的由温度引起的变化。在弹性波装置(1)中，与第一端子(101)电气上最接近的天线端谐振器是第一弹性波谐振器(3A)。分别在第一弹性波谐振器(3A)及第二弹性波谐振器(3B)中，在将弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。第一弹性波谐振器(3A)和第二弹性波谐振器(3B)满足第一条件、第二条件以及第三条件中的至少一个。第一条件为，第一弹性波谐振器(3A)还包括设置在压电体层与IDT电极之间的电介质膜，第二弹性波谐振器(3B)不包括电介质膜。
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公开(公告)号：CN111448757A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079648.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/187
Abstract: 在将弹性波元件和半导体元件形成为一体来谋求小型化的同时，降低向支承构件的漏电流的产生。电子部件(1)具备支承构件(2)、压电膜(4)和IDT电极(5)。支承构件(2)以硅为主成分。压电膜(4)直接或者间接地设置在支承构件(2)上。IDT电极(5)包含多个电极指(51)。多个电极指(51)相互隔离地排列设置。IDT电极(5)设置在压电膜(4)的主面(41)。在将由IDT电极(5)的电极指间距规定的弹性波的波长设为λ的情况下，压电膜(4)的膜厚(L1)为3.5λ以下。在支承构件(2)中，高杂质浓度区域(27)与低杂质浓度区域(28)相比远离压电膜(4)。
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公开(公告)号：CN110999078A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051686.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种多工器，具备一端被公共连接的N个弹性波滤波器，在将N个弹性波滤波器从通带的频率低的一方起依次设为弹性波滤波器1、2、…、N的情况下，N个弹性波滤波器中的除通带的频率最高的弹性波滤波器以外的至少一个弹性波滤波器n包含一个以上的弹性波谐振器，该弹性波谐振器具有：氮化硅膜，层叠在支承基板上；氧化硅膜，层叠在氮化硅膜上；压电体，层叠在氧化硅膜上，由欧拉角为θLT的钽酸锂构成；以及IDT电极，设置在压电体上。在弹性波谐振器t中，第一高阶模、第二高阶模以及第三高阶模的频率fhs_t(n)(s＝1、2、3)中的至少一个和具有频率比弹性波滤波器n的通带的频率高的通带的全部的弹性波滤波器m(n＜m≤N)满足下述的式子中的任一个：fh1_t(n)＞fu(m)fh1_t(n)＜fl(m)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107615654A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680030389.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能压制横向模式纹波、不易产生插入损耗的劣化、能提高Q值的滤波器装置。滤波器装置(1)具备：纵向耦合谐振器型弹性波滤波器(11)，具有多个第1IDT电极(31～39)且作为第1带通型滤波器(5)发挥功能，第1IDT电极在与弹性波传播方向正交的方向上在IDT电极的中央区域的外侧具有低声速区域、且在低声速区域的外侧具有高声速区域；和弹性波谐振器(21、22)，与纵向耦合谐振器型弹性波滤波器(11)电连接。弹性波谐振器(21、22)具有由LiTaO3构成的压电膜和传播的体波的声速与在压电膜中传播的弹性波的声速相比为高速的高声速构件。压电膜直接或间接地层叠在高声速构件上。多个第1IDT电极(31～39)在压电膜的一个面上进行纵向耦合连接。在压电膜的一个面上设置有第2IDT电极。连结第2IDT电极的多条第1电极指的前端的方向及连结多条第2电极指的前端的方向相对于由LiTaO3的欧拉角 规定的弹性波传播方向ψ呈倾斜角度v(v是超过0°的正值)。
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公开(公告)号：CN107112975A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580059165.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/02818 , H03H9/02574 , H03H9/02992 , H03H9/14541 , H03H9/1457 , H03H9/54
Abstract: 本发明提供一种能够在不导致制造工序的复杂化以及成本的上升的情况下有效地抑制横模波动的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，其中，在高音速件上层叠有低音速膜、压电膜以及IDT电极，在IDT电极(3)中，在第1、第2电极指(13、14)中的至少一方中，与长度方向中央相比宽度方向尺寸被设得较大的宽宽度部(13a～13d、14a～14d)设置在与中央区域相比更靠近基端侧以及前端侧中的至少一侧，第1以及第2汇流条(11、12)中的至少一方具有沿着汇流条长度方向分散配置的多个开口部(15)，第1以及第2汇流条(11、12)中的至少一方具有：内侧汇流条部(11A)，位于与开口部(15)相比更靠近第1或者第2电极指(13、14)侧，且在第1以及第2汇流条(11、12)的长度方向上延伸；中央汇流条部(11B)，设置有开口部(15)；以及外侧汇流条部(11C)。
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公开(公告)号：CN103262410A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059880.4
申请日：2011-12-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/0222 , H01L41/04 , H01L41/047 , H01L41/0477 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834 , H03H9/54 , H03H2003/023 , H03H2003/027 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155
Abstract: 提供能对应高频且能提高Q值的弹性波装置。本发明的弹性波装置（1）中，在支撑基板（2）上层叠有进行传播的体波声速比在压电膜（5）传播的弹性波声速高的高声速膜（3），在高声速膜（3）上，层叠有进行传播的体波声速比在压电膜（5）传播的体波声速低的低声速膜（4），在低声速膜（4）上层叠有上述压电膜（5），且在压电膜（5）的一面层叠有IDT电极（6）。
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公开(公告)号：CN113661654B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202080027301.7
申请日：2020-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制高阶模的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备：支承基板(4)，是硅基板，且面取向为Si(111)；压电体层(7)，使用了旋转Y切割X传播的钽酸锂；以及IDT电极(3)。若将由IDT电极(3)的电极指间距规定的波长设为λ，则压电体层(7)的膜厚为1λ以下。压电体层(7)具有由极化方向决定的正面以及负面。将钽酸锂的晶轴(XLT，YLT，ZLT)的ZLT轴投影到支承基板(4)的(111)面的方向向量k111和硅的[11‑2]方向的角度设为α111，将n设为任意的整数，此时，在IDT电极(3)被设置在压电体层(7)的正面上的情况下，角度α111在0°+120°×n≤α111≤45°+120°×n的范围内，或者在75°+120°×n≤α111≤120°+120°×n的范围内，在压电体层(7)的负面上设置有IDT电极(3)的情况下，角度α111在15°+120°×n≤α111≤105°+120°×n的范围内。
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公开(公告)号：CN117203894A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280031220.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够抑制插入损耗的增大并且能够改善IMD的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备：支承基板(3)；中间层(4)，设置在支承基板(3)上；压电体层(9)，设置在中间层(4)上；接合层(7)，设置在支承基板(3)与压电体层(9)之间；低电阻率层(8)，设置在支承基板(3)与压电体层(9)之间；和IDT电极(13)，设置在压电体层(9)上，具有1对汇流条和多个第1电极指(18)以及多个第2电极指(19)。低电阻率层(8)设置在比接合层(7)靠压电体层(9)侧，并且低电阻率层(8)以Al为主成分。
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