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公开(公告)号：CN112673570A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980058436.7
申请日：2019-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种不易产生纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)在包含硅的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、钽酸锂膜(4)、IDT电极(5)以及保护膜(8)，关于钽酸锂膜的波长标准化膜厚TLT、欧拉角的θLT、氧化硅膜(3)的波长标准化膜厚TS、换算为铝的厚度的IDT电极(5)的波长标准化膜厚TE、保护膜的波长标准化膜厚TP、支承基板(2)的传播方位ψSi、支承基板(2)的波长标准化膜厚TSi的值，设定TLT、θLT、TS、TE、TP和ψSi，使得Ih大于‑2.4，其中，Ih对应于关于杂散(A、B、C)的响应中的至少一个响应由下述的式(1)表示的杂散的响应的强度。
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公开(公告)号：CN111587535A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880086161.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的课题是抑制高阶模。在将多个弹性波谐振器(31～39)中的在电学上最靠近第1端子(101)的弹性波谐振器设为天线端谐振器的情况下，天线端谐振器为第1弹性波谐振器(3A)，多个弹性波谐振器(31～39)中的天线端谐振器以外的至少一个弹性波谐振器为第2弹性波谐振器(3B)。弹性波装置(1)满足第1条件。第1条件为如下的条件，即，第1弹性波谐振器(3A)以及第2弹性波谐振器(3B)的高声速构件(4A、4B)各自包含硅基板，第1弹性波谐振器(3A)的硅基板中的压电体层(6A)侧的面(41A)为(111)面或(110)面，第2弹性波谐振器(3B)的硅基板中的压电体层(6B)侧的面(41B)为(100)面。
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公开(公告)号：CN111587534A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880086213.7
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明在抑制通带的特性劣化的同时使产生在比通带靠低频率侧的瑞利波的杂散降低。在弹性波装置(1)中，在电学上最靠近第1端子(101)的天线端谐振器是第1弹性波谐振器(3A)。在第1弹性波谐振器(3A)以及第2弹性波谐振器(3B)各自中，在将弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。根据波长、IDT电极的厚度、IDT电极的比重、电极指的宽度除以电极指周期的二分之一的值而得到的值即占空比、压电体层的厚度、低声速膜的厚度，以θB(°)为基准，第1弹性波谐振器(3A)的压电体层的切割角在θB±4°的范围内。与第1弹性波谐振器(3A)的压电体层的切割角相比，作为第1弹性波谐振器(3A)以外的至少一个弹性波谐振器的第2弹性波谐振器(3B)的压电体层的切割角与θB(°)的差异大。
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公开(公告)号：CN110582937A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880027238.X
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种改善了非线性特性的弹性波装置。在弹性波装置(11)中，在压电性基板(12)上设置IDT电极(13)，IDT电极(13)具有多根第1电极指(15)和连接于与多根第1电极指(15)不同的电位的多根第2电极指(16)，与第1、第2电极指(15、16)延伸的方向正交的方向是弹性波传播方向，IDT电极(13)具有设置在弹性波传播方向中央的第1区域(A)、在弹性波传播方向上设置于第1区域(A)的一侧及另一侧的第2区域(B1、B2)、和在弹性波传播方向上设置于第2区域(B1、B2)的与所述第1区域(A)相反一侧的第3区域(C1、C2)，在各第2区域(B1、B2)中第1电极指(15)和第2电极指(16)在弹性波传播方向上交替配置，在第1区域(A)及第3区域(C1、C2)中沿着弹性波传播方向相邻的电极指的电位相同者电极指不连接于电位。
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公开(公告)号：CN110383683A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016604.1
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种不易产生其他带通型滤波器中的由高阶模式引起的纹波的多工器。具备一端被公共连接的通带不同的N个(其中，N为2以上的整数)弹性波滤波器。至少一个弹性波滤波器(3)具有由欧拉角(的范围内，θLT，ψLT＝0°±15°的范围内)的钽酸锂构成的压电体(14)、支承基板(12)、和IDT电极(15)。在多个弹性波谐振器之中的至少一个弹性波谐振器中，第一高阶模式的频率fh1_t(n)，在通带比至少一个弹性波滤波器(n)高的所有的弹性波滤波器(m)(n＜m≤N)中，满足下述的式(3)以及下述的式(4)。fh1_t(n)＞fu(m)式(3)fh1_t(n)＜fl(m)式(4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105493402B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480048220.X
申请日：2014-09-01
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中川亮
CPC classification number: H03H9/725 , H03H9/02992 , H03H9/14591 , H03H9/25 , H03H9/64 , H03H9/6469 , H03H9/6476 , H03H9/6483 , H03H9/76
Abstract: 本发明获得一种能够抑制非线性失真并且能够实现小型化的单端口型的弹性波谐振器。在弹性波谐振器(1)中，在压电基板(2)上形成了第1、第2IDT电极(4、5)以及第1、第2反射器(6、7)，在第1、第2IDT电极(4、5)中共用汇流条(8)被共用，在第1端子(9)与第2端子(10)之间并联连接了第1、第2IDT电极(4、5)，共用汇流条(8)与第1反射器(6)一起连接至第1端子(9)，第1、第2汇流条(4c、5c)与第2反射器(7)连接，进而连接至第2端子(10)。
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公开(公告)号：CN107431471A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680012583.7
申请日：2016-02-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中川亮
Abstract: 提供不增大IDT电极的面积就能充分抑制非线性信号的产生的弹性波谐振器。弹性波谐振器(1)具备压电基板(2)以及IDT电极(3)，IDT电极(3)具有第1电极指(3a)和与第1电极指(3a)邻接的第2电极指(3b)，在将第1电极指(3a)的宽度设为W1，将第2电极指(3b)的宽度设为W2，将第1电极指(3a)与第2电极指(3b)的电极指中心间距离即间距设为L时，第1电极指(3a)的金属化比(W1/L)小于第2电极指(3b)的金属化比(W2/L)，第1以及第2电极指(3a、3b)的金属化比之和(W1/L+W2/L)为0.65以上、1.00以下且第1以及第2电极指(3a、3b)的宽度之比(W2/W1)为1.12以上、2.33以下，或者W1/L+W2/L大于1.00且W2/W1为1.40以上、2.34以下。
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公开(公告)号：CN111587536B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201880086215.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 降低比反谐振频率更靠高频率侧的阻带纹波。弹性波装置(1)设置在作为天线端子的第1端子(101)与不同于第1端子(101)的第2端子(102)之间，具备多个弹性波谐振器(31～39)。多个弹性波谐振器(31～39)包含多个串联臂谐振器(31、33、35、37、39)、和多个并联臂谐振器(32、34、36、38)。在将多个弹性波谐振器(31～39)之中在电气上最接近第1端子(101)的弹性波谐振器(31)设为天线端谐振器的情况下，天线端谐振器为SAW谐振器(3B)或者BAW谐振器。多个弹性波谐振器(31～39)之中除了天线端谐振器以外的至少一个弹性波谐振器为第1弹性波谐振器(3A)。
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公开(公告)号：CN112673570B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201980058436.7
申请日：2019-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种不易产生纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)在包含硅的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、钽酸锂膜(4)、IDT电极(5)以及保护膜(8)，关于钽酸锂膜的波长标准化膜厚TLT、欧拉角的θLT、氧化硅膜(3)的波长标准化膜厚TS、换算为铝的厚度的IDT电极(5)的波长标准化膜厚TE、保护膜的波长标准化膜厚TP、支承基板(2)的传播方位ψSi、支承基板(2)的波长标准化膜厚TSi的值，设定TLT、θLT、TS、TE、TP和ψSi，使得Ih大于‑2.4，其中，Ih对应于关于杂散(A、B、C)的响应中的至少一个响应由下述的式(1)表示的杂散的响应的强度。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111587535B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880086161.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的课题是抑制高阶模。在将多个弹性波谐振器(31～39)中的在电学上最靠近第1端子(101)的弹性波谐振器设为天线端谐振器的情况下，天线端谐振器为第1弹性波谐振器(3A)，多个弹性波谐振器(31～39)中的天线端谐振器以外的至少一个弹性波谐振器为第2弹性波谐振器(3B)。弹性波装置(1)满足第1条件。第1条件为如下的条件，即，第1弹性波谐振器(3A)以及第2弹性波谐振器(3B)的高声速构件(4A、4B)各自包含硅基板，第1弹性波谐振器(3A)的硅基板中的压电体层(6A)侧的面(41A)为(111)面或(110)面，第2弹性波谐振器(3B)的硅基板中的压电体层(6B)侧的面(41B)为(100)面。
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