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公开(公告)号：CN1819035B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200510090672.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/1267
Abstract: 提供用于通过向记录介质注入能量形成和未记录部分不同的标记来记录信息的试写方法，以及在信息记录装置中能够正确而且在短时间内求高速记录条件下的最佳记录功率的试写方法。在2T系策略中，分别试写偶数长标记和奇数长标记求各自的最佳记录功率。因为可以提高试写精度，所以可以得到良好的记录性能。
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公开(公告)号：CN1909075B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200510132232.3
申请日：2005-12-22
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 牛山纯子
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B2007/0013
Abstract: 提供在多层记录介质中向热干涉激烈的半透明记录层高精度地进行记录的信息记录方法。在形成间隙部时照射的能量束波形中，在规定的间隙部的后半部分设定向下脉冲。可以得到良好的记录性能。
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公开(公告)号：CN101335018A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810145248.1
申请日：2005-08-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/1267
Abstract: 本发明涉及试写方法及信息记录装置。在本发明中，提供用于通过向记录介质注入能量形成和未记录部分不同的标记来记录信息的试写方法，以及在信息记录装置中能够正确而且在短时间内求高速记录条件下的最佳记录功率的试写方法。在2T系策略中，分别试写偶数长标记和奇数长标记求各自的最佳记录功率。因为可以提高试写精度，所以可以得到良好的记录性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101345058B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810133338.9
申请日：2005-12-22
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 牛山纯子
IPC: G11B7/006 , G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B2007/0013
Abstract: 提供在多层记录介质中向热干涉激烈的半透明记录层高精度地进行记录的信息记录方法。在形成间隙部时照射的能量束波形中，在规定的间隙部的后半部分设定向下脉冲。可以得到良好的记录性能。
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公开(公告)号：CN1819035A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510090672.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/1267
Abstract: 提供用于通过向记录介质注入能量形成和未记录部分不同的标记来记录信息的试写方法，以及在信息记录装置中能够正确而且在短时间内求高速记录条件下的最佳记录功率的试写方法。在2T系策略中，分别试写偶数长标记和奇数长标记求各自的最佳记录功率。因为可以提高试写精度，所以可以得到良好的记录性能。
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公开(公告)号：CN1230815C
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN99813184.9
申请日：1999-10-04
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立马库塞鲁株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/24079 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
Abstract: 本发明涉及一种信息记录介质，该信息记录介质用于通过能量束的照射而记录信息。该信息记录介质具有槽形的信息记录道并带有记录层、一或多种热沉控制层和热沉层。一种以上的记录层的膜厚度之和等于或小于信息记录道之间的一个阶梯，且一或多种热沉控制层的膜厚度之和大于信息记录道的槽深度。借助这种配置，即使该信息记录介质被应用于道节距为70%或更小的高密度记录，也不会产生交叉擦除。
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公开(公告)号：CN1447323A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN02154732.7
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立马库塞鲁株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/2403 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/252 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 得到在内周部记录信息时也不发生再结晶化，多次重写时再现信号劣化少的CAV方式的相变化光盘。一种信息记录介质，其特征在于，具有基板、和从激光束入射侧设有的第1保护层、第1界面层、记录层、第2界面层、第2保护层、吸收率控制层、热扩散层，第1界面层和第2界面层中含有Bi、Sn、Pb等促进记录层结晶化的元素，第1界面层含有的上述元素之和小于第2界面层。提高记录层成核速度的同时，可以抑制界面层材料溶入记录层引起的多次重写时的再现信号劣化。
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公开(公告)号：CN1326585A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN99813184.9
申请日：1999-10-04
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立马库塞鲁株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/24079 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
Abstract: 本发明涉及一种信息记录介质,该信息记录介质用于通过能量束的照射而记录信息。该信息记录介质具有槽形的信息记录道并带有记录层、一或多种热沉控制层和热沉层。一种以上的记录层的膜厚度之和等于或小于信息记录道之间的一个阶梯,且一或多种热沉控制层的膜厚度之和大于信息记录道的槽深度。借助这种配置,即使该信息记录介质被应用于道节距为70%或更小的高密度记录,也不会产生交叉擦除。
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