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公开(公告)号：CN100583251C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN03154087.2
申请日：2003-07-29
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/24082 , G11B7/00718 , G11B7/00745 , G11B20/1217 , G11B20/1403 , G11B27/10 , G11B27/19 , G11B27/24 , G11B2020/1239 , G11B2020/1265 , G11B2020/1268 , G11B2020/1292 , G11B2220/20 , G11B2220/213 , G11B2220/216 , G11B2220/2541
Abstract: 本发明涉及一种信息记录方法以及信息记录媒体的信息再生方法，该方法用于将信息记录在信息记录媒体上，具有：在所述信息记录媒体记录第一和第二地址信息的步骤；在记录有所述第一和第二地址信息的区段记录表示所述第一和第二地址信息的哪一个是有效信息的选择信号的步骤。因为可以与可实现窄轨道化的凸缘·沟槽型记录相组合来使用有利于格式效率的摆动地址方式，所以可以实现可进行高密度记录的大容量光盘。
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公开(公告)号：CN100547657C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200610126540.X
申请日：2006-08-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明的目的是提供能够以少的电极数实现高速记录、高密度记录的层选择型光盘。在一对电极3、8之间配置可独立选择的多个记录膜。通过控制各个记录膜着色需要的电压的阈值、电气特性，改变在一对电极间施加的电压，可以选择任意的层。
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公开(公告)号：CN1503246A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310115030.9
申请日：2003-11-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B7/125 , G11B7/135 , G11B7/0045 , G11B7/0055
CPC classification number: G11B7/1369 , G11B7/006 , G11B7/128 , G11B7/1353 , G11B7/1395
Abstract: 在现有的相变记录中通过提高结晶化速度来实现高速记录，但在该方法中，再生光耐性、数据保存寿命成为问题。另外，无法忽视激光的上升·下降时间而带来的激光脉冲的质量降低。因此，记录方案变得困难，而且会引起再结晶，降低标记品量。将从激光器发射出的光分离成具有适当能量比的两个光束，并照射在媒体的相同轨道上。前方的光斑用于擦除，调制成与记录脉冲相同的模型，但在擦除用光斑的调制模型中，通过高能量部分的照射使记录膜温度达到熔点以上，并且在中间能量部分设定为进入结晶化区域的能量。在能量分割中使用液晶衍射光栅，能够实现改变·控制能量分割比。
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公开(公告)号：CN1149544C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN99111989.4
申请日：1999-08-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/0062 , G11B7/00736
Abstract: 一种信息记录方法，在记录媒体的控制数据区中预先保存最佳的沿记录方法，参照它们来选择记录时的沿记录方法。在把能量束多脉冲化并照射于记录媒体，借此形成记录标记的信息记录装置中，可以在起始脉冲和最终脉冲的由脉冲两沿位置控制实现的标记沿控制，和由脉冲的单沿位置控制实现的标记沿控制之间进行切换。
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公开(公告)号：CN101425299A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810170700.X
申请日：2008-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/0025 , G11B7/24006
Abstract: 本发明提供一种信息存储装置和记录介质，一边使存储区MA在z轴的周围一点一点旋转，一边从与z轴正交的方向对存储区MA照射平行光线，拍摄存储区的投影像。这时，照射的光线具有至少覆盖存储区的xy平面方向的尺寸。根据上述投影像，根据计算机X射线断层摄影术的原理，在运算单元PU通过计算，求出三维分布的小区域的数据和地址。数据的写入将用放在存储区的外部的透镜OL聚光的激光照射所希望的小区域，在相应的小区域内部发生热引起的变性，从而对光的透射率或发光特性施加变化。在将存储信息的小区域配置为x、y、z方向的三维状的信息存储装置中，防止伴随着z方向的存储区的扩大的读出信号的SN比的下降，并且提供一种写入部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101064122A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610126540.X
申请日：2006-08-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明的目的是提供能够以少的电极数实现高速记录、高密度记录的层选择型光盘。在一对电极3、8之间配置可独立选择的多个记录膜。通过控制各个记录膜着色需要的电压的阈值、电气特性，改变在一对电极间施加的电压，可以选择任意的层。
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公开(公告)号：CN100338668C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200310115030.9
申请日：2003-11-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B7/125 , G11B7/135 , G11B7/0045 , G11B7/0055
CPC classification number: G11B7/1369 , G11B7/006 , G11B7/128 , G11B7/1353 , G11B7/1395
Abstract: 在现有的相变记录中通过提高结晶化速度来实现高速记录，但在该方法中，再生光耐性、数据保存寿命成为问题。另外，无法忽视激光的上升·下降时间而带来的激光脉冲的质量降低。因此，记录方案变得困难，而且会引起再结晶，降低标记品量。将从激光器发射出的光分离成具有适当能量比的两个光束，并照射在媒体的相同轨道上。前方的光斑用于擦除，调制成与记录脉冲相同的模型，但在擦除用光斑的调制模型中，通过高能量部分的照射使记录膜温度达到熔点以上，并且在中间能量部分设定为进入结晶化区域的能量。在能量分割中使用液晶衍射光栅，能够实现改变·控制能量分割比。
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公开(公告)号：CN1551126A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007065.5
申请日：1999-08-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/0062 , G11B7/00736
Abstract: 一种信息记录方法，在记录媒体的控制数据区中预先保存最佳的沿记录方法，参照它们来选择记录时的沿记录方法。在把能量束多脉冲化并照射于记录媒体，借此形成记录标记的信息记录装置中，可以在起始脉冲和最终脉冲的由脉冲两沿位置控制实现的标记沿控制，和由脉冲的单沿位置控制实现的标记沿控制之间进行切换。
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公开(公告)号：CN1129123C
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN00121786.0
申请日：2000-08-01
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/22 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/02216 , H01S5/02244 , H01S5/02252 , H01S5/02292 , H01S5/02296 , H01S5/0683 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种光学头及其制造方法、光信息记录/再现设备。可以使用一个单独的信息记录和再现设备，把信息记录到包括CD和DVD的不同类型光盘上和从其上再现信息。解决方案是集成多个有不同波长的半导体激光器和一个反射镜，在用OEIC、PD模式形成的基片上有附标对准。
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公开(公告)号：CN1285589A
公开(公告)日：2001-02-28
申请号：CN00121786.0
申请日：2000-08-01
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/22 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/02216 , H01S5/02244 , H01S5/02252 , H01S5/02292 , H01S5/02296 , H01S5/0683 , H01S5/4087
Abstract: 所公开发明的主题是集成光头,以便使用一个单独的信息记录和再现设备,把信息记录到包括CD和DVD的不同类型光盘上和从其上再现信息。解决方案是集成多个有不同波长的半导体激光器和一个反射镜,在用OEIC、PD模式形成的基片上有附标对准。
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