公开(公告)号：CN1303693C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200410045922.0

申请日：1994-11-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  德州仪器有限公司

Inventor： 只木芳隆 ,  村田纯 ,  关口敏宏 ,  青木英雄 ,  川北惠三 ,  内山博之 ,  西村美智夫 ,  田中道夫 ,  江崎佑治 ,  齐藤和彦 ,  汤原克夫 ,  赵成洙

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件，具有存储单元阵列部分和外围电路部分，存储单元阵列包括多个具有开关晶体管和电容器的存储单元，外围电路包括具有栅、源和漏的MISFET，还包括：形成在存储单元阵列的衬底主表面上、起开关晶体管的栅极作用的字线导体；形成在外围电路的衬底主表面上、起MISFET的栅极作用的栅导体；形成在各字线导体两侧的第一半导体区；形成在外围电路中的第二半导体区；形成在字线导体和栅导体之上具有露出第一半导体区的通孔的隔离膜；由多晶硅膜构成、形成在各通孔中却不延伸到隔离膜之上的位线连接元件；形成在隔离膜之上、由钨膜构成的位线导体，以及形成在外围电路中的隔离膜之上、与MISFET的源和漏之一电连接、由钨膜构成的布线。

公开(公告)号：CN1043389C

公开(公告)日：1999-05-12

申请号：CN94118924.4

申请日：1994-11-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  德州仪器有限公司

Inventor： 只木芳隆 ,  村田纯 ,  关口敏宏 ,  青木英雄 ,  川北惠三 ,  内山博之 ,  西村美智夫 ,  田中道夫 ,  江崎佑治 ,  齐藤和彦 ,  汤原克夫 ,  赵成洙

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体存储器件，具有衬底、字线和位线导体、以及位于字线和位线导体交点处的存储单元。相邻两单元构成一存储单元对单位结构，两相邻单元的晶体管的第一半导体区在其交界处结合成单一的区且经由位线连接件连接到一位线导体，晶体管的栅极分别连接到相邻的字线导体，晶体管的第二半导体区连接到各信息储存电容器。形成在一位线导体下的存储单元对单位结构串相对于形成在该位线导体两边的位线导体之下的存储单元对单位结构串进行位移。